中介层装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】中介层装置
本专利技术总体涉及3D集成电路或者3D封装，尤其涉及由于硅通孔而允许从上到下导电的硅中介层以及涉及制造该硅中介层的方法。
技术介绍
高亮度的LED对静电放电(ESD)和其包装的热膨胀系数(TCE)是非常敏感的。为了得到可靠的高亮度LED，已知使用安装在硅中介层上的裸露的LED芯片，硅中介层改善了TCE不匹配且还利用集成二极管提供ESD保护。装置集成和良好的导热性是硅基板的主要优点。然而，为了降低封装成本，越来越多地使用表面安装技术。在基板上，顶部到底部的连接是必要的。通过通孔提供顶部到底部的连接。通孔的典型制造方法包括：形成通孔，以及沉积扩散阻挡层和导电种子层。导电材料然后被电镀进入通孔。铜通常被用作导电材料，这是由于铜具有良好的导热性和导电性且可以高度纯的状态使用。通孔可具有高的纵横比，因此，将铜沉积到这样的结构中会是挑战性的。这样的通孔的加工成本非常高且不用特定设备的情况下，难以实施。存在已知的平坦化的方法，该方法在波纹类型的集成方案中实现。然而，该类集成方案需要使用化学机械平坦化(CMP)技术，该CMP技术通常是昂贵的且难以实施，尤其难以采用铝实...
【技术保护点】
一种中介层装置，包括：掺杂硅衬底(1)，所述掺杂硅衬底具有在第一面上的外延层(24)和两个通孔(11，12)，所述通孔从所述掺杂硅衬底的所述第一面延伸到与所述第一面相对的第二面，其中，每个通孔包括通过周围沟槽(7)所限定的掺杂硅衬底的体积，所述周围沟槽从所述掺杂硅衬底的所述第一面延伸到所述第二面，使得所述周围沟槽被布置成电隔离通过所述沟槽所包围的所述掺杂硅衬底；第一导电层和第二导电层(121，122)，所述第一导电层和所述第二导电层分别置于第一通孔的第一面和第二面上以便电连接在一起；第三导电层和第四导电层(112，111)，所述第三导电层和所述第四导电层分别置于第二通孔的表...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.09 EP 11306634.41.一种中介层装置，包括：掺杂硅衬底(1)，所述掺杂硅衬底具有在第一面上的外延层和两个通孔(11，12)，所述通孔从所述掺杂硅衬底的所述第一面延伸到与所述第一面相对的第二面，其中，每个通孔包括通过周围沟槽(7)所限定的掺杂硅衬底的体积，所述周围沟槽从所述掺杂硅衬底的所述第一面延伸到所述第二面，使得所述周围沟槽被布置成电隔离通过所述沟槽所包围的所述掺杂硅衬底；第一导电层和第二导电层(121，122)，所述第一导电层和所述第二导电层分别置于第一通孔的第一面和第二面上以便电连接在一起；第三导电层和第四导电层(112，111)，所述第三导电层和所述第四导电层分别置于第二通孔的表面上以便电连接在一起，所述第一导电层(122)和所述第三导电层(112)通过背对背二极管(35)连接到一起，其中，所对应的二极管是通过二极管沟槽(6)将位于所述外延层内的掺杂层(5)分离成两个子部分(51)而形成的，并且其中，所述二极管沟槽(6)隔离所述所对应的二极管，所述二极管沟槽具有的深度至少等于所述外延层的深度。2.根据权利要求1所述的中介层装置，其中，比率H/S小于或等于1，其中，H为在所述通孔的所述第一面和所述第二面之间的平均距离以及S为所述通孔的平均宽度。3.根据权利要求1或2所述的中介层装置，其中，所述周围沟槽(7)至少部分地由绝缘材料填充，以及所述沟槽的填充通过α硅或多晶硅或绝缘材料的保形沉积来完成。4.根据权利要求3所述的中介层装置，其中，所述绝缘材料是电介质材料。5.根据权利要求4所述的中介层装置，其中，所述电介质材料是热氧化硅。6.根据权利要求2所述的中介层装置，其中，比率H/e大于或等于15，其中，H为在所述通孔(11)的所述第一面和所述第二面之间的所述平均距离以及e为所述周围沟槽(7)的平均厚度。7.根据权利要求1所述的中介层装置，还包括：选择性地形成的第一铝层(31)，所述第一铝层在所述硅衬底的第一表面上的氧化物层的区域之间；第二铝层(32)，所述第二铝层形成在第一铝层和氧化硅层上；和另一氧化硅层(36)，其中，所述第一铝层和所述第二铝层在所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层和所述第四导电层(111，112，121，122)之前形成。...
【专利技术属性】
技术研发人员：让勒尼·泰耐洛，吉勒斯·费鲁，
申请(专利权)人：爱普迪亚公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR
-
暂无相关专利
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。