带有抑制器栅的阳极制造技术

抑制器栅被配置为邻近阳极以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电势，其中所述抑制器电势被进一步选择来使电子从所述抑制器栅到所述阳极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有抑制器栅的阳极如果在本申请的申请日已经提交了申请数据表(ADS)，则通过参考将其并入本文。在主题不与本文冲突的程度上，ADS上的根据35USC§§119、120、121或者365(c)要求优先权的任何申请以及这样的申请的任何及所有的母申请、祖申请、曾祖申请等也通过参考并入本文，包括这些申请以及通过参考并入的任何材料中作出的任何优先权要求。相关申请交叉参考本申请涉及和/或要求如下所列申请(“优先权申请”)的最早可用的有效申请日的权益(如果有这样的申请，则在下面列出)(例如，要求不同于临时专利申请的专利申请的最早可用的优先权日期或根据35USC§119(e)要求临时专利申请、优先权申请的任何及所有的母专利申请、祖专利申请、曾祖专利申请等的权益)。此外，本申请涉及“相关申请”(如果有这样的申请，则在下面列出)。优先权申请本申请根据35USC§119(e)主张名称为《场发射装置》、以罗德利克·A·海德、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘和小劳威尔·L·伍德作为专利技术人、于2011年12月29日提交的美国专利申请No.61/631,270的优先权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。本申请是名称为《场发射装置》、以罗德利克·A·海德、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘和小劳威尔·L·伍德作为专利技术人、于2011年12月30日提交的美国专利申请No.13/374,545的部分继续申请，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。本申请根据35USC§119(e)主张名称为《场发射装置》、以罗德利克·A·海德、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘和小劳威尔·L·伍德作为专利技术人、于2012年4月26提交的美国专利申请No.61/638,986的优先权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。本申请根据35USC§119(e)主张名称为《场发射装置的性能优化》、以罗德利克·A·海德、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘和小劳威尔·L·伍德作为专利技术人、于2012年7月10日提交的美国专利申请No.13/545,504的优先权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。本申请根据35USC§119(e)主张名称为《场发射装置的材料和配置》、以杰茜·R·奇赛姆三世、菲利普·安德鲁·艾克豪夫、威廉·盖茨、罗德利克·A·海德、莫瑞尔·Y·伊希卡瓦、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘、罗伯特·C·派托斯奇、克莱润斯·T·泰格林、大卫·B·塔克曼、查尔斯·威特莫、小劳威尔·L·伍德和维克特里拉·Y·H·伍德作为专利技术人、于2012年8月16日提交的美国专利申请13/587,762的优先权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。本申请根据35USC§119(e)主张名称为《电子装置石墨烯栅》、以罗德利克·A·海德、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘和小劳威尔·L·伍德作为专利技术人、于2012年9月12提交的美国专利申请No.13/612,129的优先权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。本申请根据35USC§119(e)主张名称为《带有抑制器栅的阳极》、以杰茜·R·奇赛姆三世、菲利普·安德鲁·艾克豪夫、威廉·盖茨、罗德利克·A·海德、莫瑞尔·Y·伊希卡瓦、乔丁·T·凯拉、内森·P·梅偌德、托尼·S·潘、罗伯特·C·派托斯奇、克莱润斯·T·泰格林、大卫·B·塔克曼、查尔斯·威特莫、小劳威尔·L·伍德和维克特里拉·Y·H·伍德作为专利技术人、于2012年11月1日提交的美国专利申请No.13/666,759的优先权，该专利申请目前共同待定或是让目前共同待定的申请享有该申请日的权益的申请。美国专利局(USPTO)发布效果公告告知，美国专利商标局的计算机程序要求专利申请人引用序列号并指明申请是否是母申请的继续申请、部分继续申请、或分案申请。斯蒂芬·G·库宁，《先前提交的申请的益处》，《美国专利商标局官方公报》，2003年3月18日。美国专利商标局还提供了针对申请数据表(ApplicationDataSheet)的表格，其使著录数据能够自动导入但要求识别各申请是母申请的继续申请、部分继续申请还是分案申请。本申请人实体(以下简称“申请人”)在上文特别提及了一个或多个申请，按法律规定要求该一个或多个申请的优先权。申请人理解，法律在其具体的引用语言方面是清楚的，不需要序列号，也不需要诸如“继续”或“部分继续”之类的任何特征来要求美国专利申请的优先权。尽管有上述规定，但申请人理解，美国专利商标局的计算机程序有一定的数据输入要求，因此，申请人已提供了在本申请与上文及本申请中所提交的任何ADS中所述的母申请之间的关系的指定，但明确指出，这样的指定决不以任何方式解释为对本申请除了其母申请的内容外是否还包含任何新内容的任何类型的评论和/或认可。如果上面提供的申请列表与通过ADS提供的列表不一致，则申请人的意图是要求在ADS的优先权申请部分中出现的各个申请以及在本申请的优先权申请部分中出现的各个申请的优先权。优先权申请和相关申请的所有主题以及优先权申请和相关申请的任何及所有母申请、祖申请、曾祖申请等的所有主题，包括任何优先权要求，在这样的主题不与本文冲突的程度上，都通过参考并入本文。
技术实现思路
在一实施方式中，一种方法包括：对抑制器和阳极之间的抑制器区域施加抑制器电场，其中所述抑制器电场被选择来对电子提供沿着指向远离所述抑制器区域中的所述阳极的方向的力；使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极；以及使所述第一成组的电子的至少一部分与所述阳极相互作用。在另一实施方式中，一种装置包括：阳极，其接受第一成组的电子；以及抑制器，其被设置为邻近所述阳极并接受功率源以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电场，其中所述抑制器电场被进一步选择来使所述第一成组的电子到达所述阳极。在另一实施方式中，一种电子倍增器包括：阳极阵列，所述阳极阵列中的每个阳极接受电子以产生二次电子；以及至少一个抑制器，其被设置为邻近所述阳极阵列中的至少一个阳极，所述至少一个抑制器接受功率源以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述至少一个阳极的方向的力的抑制器电场，其中所述抑制器电场被进一步选择来使电子到达所述至少一个阳极。在另一实施方式中，一种热电子转变器包括：阴极，其被配置来产生第一成组的电子；阳极，其接受所述第一成组的电子的第一部分以产生电流；以及抑制器，其被设置为邻近所述阳极并接受功率源以在位于所述抑制器和所述阳极之间的区域中产生被选择来对所述第一成组的电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电场，其中所述抑制器电场被进一步选择来传递所述第一成组的电子的所述第一部分。前述概要仅仅是说明性的，并无意于以任何方式进行限制。在上述的说明性的方面、实施方式和特征之外，进一步的方面、实施方式和特征通过参考附图以及接下来的详细描述会变得显而易见。附图说明图1是一种包括阴极、栅极、抑制器和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：对抑制器和阳极之间的抑制器区域施加抑制器电场，其中所述抑制器电场被选择来对电子提供沿着指向远离所述抑制器区域中的所述阳极的方向的力；使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极；以及使所述第一成组的电子的至少一部分与所述阳极相互作用。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.29 US 61/631,270;2011.12.30 US 13/374,545;1.一种用于场发射的方法，其包括：对抑制器和阳极之间的抑制器区域施加抑制器电场，其中所述抑制器电场被选择来对电子提供沿着指向远离所述抑制器区域中的所述阳极的方向的力；使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极；使所述第一成组的电子的至少一部分与所述阳极相互作用，其中所述第一成组的电子的所通过部分在所述阳极处形成电流；以及测定所述电流的属性；并且根据所述电流的测定属性改变所述抑制器电场。2.如权利要求1所述的方法，还包括：用所述电流驱动装置。3.如权利要求1所述的方法，其还包括：测量所述阳极的温度；以及根据所述阳极的测定温度改变所述抑制器电场。4.如权利要求1所述的方法，其还包括：改变所述阳极的温度；以及根据所述阳极的温度变化改变所述抑制器电场。5.如权利要求1所述的方法，其还包括：作为时间的函数来改变所述抑制器电场。6.如权利要求1所述的方法，其还包括：确定与所述第一成组的电子对应的电子传输时间；以及根据所确定的电子传输时间改变所述抑制器电场。7.如权利要求1所述的方法，其还包括：确定与所述第一成组的电子对应的电子速率；以及根据所确定的电子速率改变所述抑制器电场。8.如权利要求1所述的方法，其中使第一成组的电子沿着与所述力相反的方向穿过所述抑制器区域并到达所述阳极包括：利用所述抑制器电场加速所述第一成组的电子。9.如权利要求1所述的方法，其还包括：使第二成组的电子沿着所述力的方向通过。10.一种场发射装置，其包括：阳极，其接受第一成组的电子；以及抑制器，其被设置为邻近所述阳极并接受功率源以产生被选择来对电子提供沿着指向远离所述阳极的方向的力的抑制器电场，其中所述抑制器电场被进一步选择来使所述第一成组的电子到达所述阳极；操作性地连接到所述功率源以改变所述抑制器电场的电路；以及被配置来测量所述阳极处的电流并操作性地连接到所述电路的仪表，其中所述电路响应于所测定的电流来改变所述抑制器电场。11.如权利要求10所述的场发射装置，其中所述抑制器电场具有被选择来从所述阳极诱导具有高于阈值能量的能量的电子的电子发射的场强。12.如权利要求10所述的场发射装置，其中所述阳极接受所述第一成组的电子以产生电流。13.如权利要求10所述的场发射装置，其还包括：由所述阳极支撑的介电层，所述介电层支撑所述抑制器。14.如权利要求10所述的场发射装置，其中所述阳极和所述抑制器被分开1-100nm的距离。15.如权利要求10所述的场发射装置，其还包括延伸穿过所述抑制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰西·R·奇塔姆三世，菲利普·安德鲁·埃克霍夫，威廉·盖茨，罗德里克·A·海德，穆里尔·Y·伊什卡娃，乔丁·T·卡勒，内森·P·梅尔沃德，托尼·S·潘，罗伯特·C·皮特洛斯基，克拉伦斯·T·特格雷尼，大卫·B·塔克曼，查尔斯·惠特默，洛厄尔·L·伍德，维多利亚·Y·H·伍德，
申请(专利权)人：埃尔瓦有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US