本实用新型专利技术涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构。所述纳米银线导电层叠结构包括一基材，一光学匹配层，设置于所述基材上方，及一纳米银线导电电极层，设置于所述光学匹配层的上表面或下表面。采用纳米银线作为导电材料时，雾度问题成为首要克服的难题，本实用新型专利技术通过设置光学匹配层实现对雾度的有效调节。本实用新型专利技术还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构。所述纳米银线导电层叠结构包括一基材，一光学匹配层，设置于所述基材上方，及一纳米银线导电电极层，设置于所述光学匹配层的上表面或下表面。采用纳米银线作为导电材料时，雾度问题成为首要克服的难题，本技术通过设置光学匹配层实现对雾度的有效调节。本技术还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板。【专利说明】纳米银线导电层叠结构及触控面板【
】本技术涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板。【
技术介绍
】触控设备因其便于操作、成像效果好、功能多元化等优点逐渐受到电子通讯行业的青睐，并广泛应用于资讯系统设备、家电设备、通讯设备、个人便携设备等产品上。伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ΙΤ0)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极已经无法适应市场的需求而逐渐被淘汰。正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(Silver Nano Wires,简称SNW)、金属网格(Metal Mesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。采用纳米银线(以下简称SNW)做导电电极材料的导电电极层，由于SNW反光率高形成漫射现象，导致导电电极层表面看上去发白发雾。纳米银线导电电极层的雾度问题一直是业界的普遍问题，所谓雾度是指由于导电薄膜中的纳米银线表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观。屏幕的雾度问题会导致在室外场景光线照射的情况下，屏幕反射光强烈，严重的时候会使得用户看不清屏幕，由于雾度问题成为纳米银线进一步推广应用的首要问题，因此它也成为当下首要解决的问题。
技术实现思路
为克服SNW作为导电电极时反光率高形成漫射现象，导致导电薄膜表面看上去发白发雾的雾度问题。本技术提供一种能够有效解改善SNW作为导电电极材料时存在的雾度问题的纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的触控面板。本技术解决技术问题的方案是提供一种纳米银线导电层叠结构，其包括，一基材，具有上表面和与之相对的下表面，一纳米银线导电电极层，设置于基材的上表面，及至少一层光学匹配层，设置于纳米银线导电电极层的上侧或/和下侧。优选地，所述光学匹配层厚度为四分之一波长的奇数倍。优选地，所述光学匹配层为一层低折射率光学膜，所述低折射率光学膜的折射率为 1.1-1.6。优选地，所述光学匹配层包括两层光学膜，该光学匹配层按照低折射率光学膜、高折射率光学膜叠加形成，其中低折射率光学膜层折射率为1.1-1.6，高折射率光学膜层折射率为 1.8-2.7。优选地,所述光学匹配层为三层光学膜叠加而成，其中第一层光学膜的折射率为1.1-1.6，第二层光学膜的折射率为1.8-2.7，第三层光学膜的折射率为1.1-1.6。优选地，所述光学匹配层包括多层光学膜，由低折射率光学膜、高折射率光学膜按交替叠加的方式叠加形成，其中低折射率光学膜折射率为1.1-1.6，高折射率光学膜折射率为 1.8-2.7。优选地，所述纳米银线导电层叠结构雾度小于或等于3.0 %。优选地，所述纳米银线导电层叠结构雾度小于或等于1.5%。本技术解决上述技术问题的又一技术方案是提供一种纳米银线触控面板，其包括一盖板，一胶层，一遮蔽层，设置于胶层与盖板之间，及纳米银线导电层叠结构，其中，所述胶层粘接盖板和所述的纳米银线导电层叠结构。本技术解决上述技术问题的再一技术方案是提供一种纳米银线触控面板，其包括一遮蔽层，及纳米银线导电层叠结构，其中，遮蔽层设置于基材与纳米银线导电电极层之间，所述的基材作为盖板使用，基材远离遮蔽层的表面作为触控操作面。 与现有技术相比，本技术纳米银线导电层叠结构及采用所述纳米银线导电层叠结构的触控面板采用纳米银线替代ITO作为导电材料，导电性能和反应灵敏度得到了提高，尤其在中大尺寸的触控面板当中对灵敏度的提升尤为明显。其次由于采用纳米银线作为导电材料时，纳米银线的反光率较高产生漫射现象，会使得表面出现发白发雾的问题，通过设置一层光学匹配层，当其厚度为四分之一波长的奇数倍时，由于光学匹配层折射率调节作用，使得两个界面的反射系数接近。相邻两束光之间的光程差恰好为1/2波长，即振动方向相反，使得反射光减少。而通常光学匹配层只设置一层光学膜层的效果对于反射光的降低有限，可以通过设置多层高低折射率搭配的光学膜层交替叠加形成光学匹配层或添加多层光学匹配层来提高对雾度的改善效果，当单层光学膜的膜厚度为四分之一波长奇数倍，或光学匹配层的总厚度为四分之一波长奇数倍时，可以较好的降低反射光的数量，实现对雾度问题的改善。本技术结构合理，纳米银线导电电极层的透光率在85%以上，甚至达90 %以上，雾度可以降低至小于或等于3.0%，甚至达到小于或等于1.5%。【【专利附图】【附图说明】】图1是纳米银线导电电极层分布于基材上的截面结构示意图。图2是纳米银线导电电极层分布于基材上的平面示意图。图3是本技术第一实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。图4是本技术第二实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。图5是本技术第三实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。图6是本技术第三实施例纳米银线导电层叠结构的变形结构剖切面爆炸结构图。图7是本技术第四实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。图8是本技术第五实施例纳米银线导电层叠结构的剖切面爆炸结构图。图9是本技术第六实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。图10是本技术第七实施例纳米银线触控面板的剖切面爆炸结构图。【【具体实施方式】】为了使本技术的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。在所有实施例中上、下、左、右等位置限定词仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置。银在一般状态下为银白色金属，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种纳米银线导电层叠结构，其特征在于：包括，一基材，具有上表面和与上表面相对的下表面；一纳米银线导电电极层，设置于基材下表面；及至少一层光学匹配层，设置于所述纳米银线导电电极层上侧和/或下侧；
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高国峯，袁琼，叶坤雄，何小娴，
申请(专利权)人：宸鸿科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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