【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高纯度钛锭、其制造方法及钛溅射靶
本专利技术涉及高纯度钛锭、其制造方法及钛溅射靶,在含有非金属元素的高纯度钛锭或靶中,锭内及不同锭间或靶内、靶间的偏差少,具有均匀的组织,且强度高。另外,关于本说明书中记载的杂质浓度,全部以质量ppm(massppm)表示。
技术介绍
近年来,以半导体的飞跃式进步为开端,产生了各种各样的电子设备,并且时刻进行着其性能的提高和新设备的开发。其中,倾向于电子、器件设备更微小化且提高集成度。在这些诸多制造工序中形成许多薄膜,钛也由于其特殊的金属性质而以钛及其合金膜、硅化钛膜或者氮化钛膜等形式用于许多电子设备薄膜的形成。通常,上述的钛及其合金膜、硅化钛膜或者氮化钛膜等可以通过溅射、真空蒸镀等物理蒸镀法形成。特别是,高纯度钛被用作半导体的布线材料。通常,半导体的布线通过溅射法形成。该溅射法为使Ar+等正离子与设置在阴极的锭发生物理碰撞从而利用该碰撞能量放出构成锭的金属原子的方法。为了形成氮化物,可以通过使用钛或其合金作为锭,并在氩气与氮气的混合气体气氛中进行溅射来形成。最近,为了提高生产效率而存在高速溅射(高功率溅射)的需求,此时存在如下问题 ...
【技术保护点】
一种钛锭,其为除了添加元素和气体成分以外的纯度为99.99质量%以上的高纯度钛锭,其特征在于,含有合计0.1~100质量ppm的选自S、P或B中的一种以上非金属元素作为添加成分,在同一锭内的上部、中间部、底部的非金属元素的偏差为±200%以内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.14 JP 2012-0294861.一种钛锭,其为除了添加成分和气体成分以外的纯度为99.99质量%以上的高纯度钛锭,其特征在于,含有合计0.1~100质量ppm的选自S、P或B中的一种以上非金属元素作为添加成分,在同一锭内的上部、中间部、底部的非金属元素的偏差为±200%以内,在添加选自S、P或B中的一种以上非金属元素时,以金属间化合物或母合金的形式添加具有2000~18000平方毫米的截面积、厚度为1~10毫米的小片,在电弧熔炼法或电子束(EB)熔炼的熔炼开始时刻,将添加成分的添加量增加至目标组成浓度的3倍浓度,随着接近熔炼结束,将该添加量降低至目标组成浓度的1/3倍浓度。2.如权利要求1所述的钛锭,其特征在于,在同一锭内的中间部的非金属元素的面内径向的偏差为±200%以内。3.如权利要求1或2所述的钛锭,其特征在于,在不同锭间的非金属元素的偏差为±200%以内。4.如权利要求1或2所述的钛锭,其特征在于,所述非金属元素的偏差为±100%以内。5.如权利要求3所述的钛锭,其特征在于,所述非金属元素的偏差为±100%以内。6.一种钛锭的制造方法,所述钛锭含有0.1~100质量ppm的非金属元素,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:八木和人,日野英治,新藤裕一朗,
申请(专利权)人:吉坤日矿日石金属株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。