【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种超高纯钛的生产装置，特别涉及碘化法生产半导体用超高纯金属提纯装置。
技术介绍
目前用于集成电路板的高纯金属靶材的原料，超高纯钛目前我国还不能自给，其主要问题是精细冶炼工艺尚未过关。提纯超高纯钛的方法主要有克劳尔法、电解熔盐法、碘化法、电子束熔炼法等，在碘化法生产超高纯钛中，有将原料罐与沉积罐放在同一罐体中，这将造成超高纯钛沉积区域高温对合成区域形成热辐射作用，导致合成区域温度超出理想的合成温度范围，对杂质提纯效果不佳，且原料海绵钛的装载量也非常有限，影响产能。
技术实现思路
为解决碘化法生产超高纯钛提纯效果和产能的问题，本专利技术提供了一种碘化法生产超高纯钛的装置，该设备性能稳定、可靠。一种碘化法生产超高纯钛的装置，主要有原料罐、罐盖、超高纯钛沉积管、加碘罐、碘回收罐、沉积罐，原料罐与沉积罐为分开的两个独立的罐体，原料罐与沉积罐均通过密封垫分别与相应的罐盖连接，原料罐装有海绵钛，沉积罐内部设有超高纯钛沉积管，可通过加碘罐在反应初始和反应过程中补加原料碘。本专利技术是碘化法生产高纯钛的装置，原料罐与沉积罐为分开的两个独立的罐体，避免了沉积区对原料区的高温辐射造成的原料合成区域温度超出理想温度区间的问题，同时可增加粗钛原料的一次转载量以及通过加碘罐解决反应过程中补加单质碘的问题，使反应过程去除杂质元素的效果更好，反应过程更加可控，且产能和生产效率大幅提高。利用该装置生产的产品纯度可达到5N（99.999%）以上。附图说明图1为本专利技术超高纯钛的生产装置结构示意图。
【技术保护点】
一种碘化法生产超高纯钛的装置，主要包括原料罐（1）、罐盖（9）、超高纯钛沉积管（13）、加碘罐（5）、碘回收罐（6）、沉积罐（17），原料罐（1）与沉积罐（7）为分开的两个独立的罐体，原料罐（1）与沉积罐（17）均通过密封垫（7）分别与相应的罐盖（9）连接，原料罐（1）装有海绵钛（4），沉积罐（17）内部设有超高纯钛沉积管（13），可通过加碘罐（5）在反应初始和反应过程中补加原料碘，使反应可连续操作。
【技术特征摘要】
1.一种碘化法生产超高纯钛的装置，主要包括原料罐（1）、罐盖（9）、超高纯钛沉积管（13）、加碘罐（5）、碘回收罐（6）、沉积罐（17），原料罐（1）与沉积罐（7）为分开的两个独立的罐体，原料罐（1）与沉积罐（17）均通过密封垫（7）分别与相应的罐盖（9）连接，原料罐（1）装有海绵钛（4），沉积罐（17）内部设有超高纯钛沉积管（13），可通过加碘罐（5）在反应初始和反应过程中补加原料碘，使反应可连续操作。
2.如权利要求1所述的一种碘化法生产超高纯钛的装置，其特征在于，还包括：
原料罐与沉积罐分别为两个独立的罐体，高温区沉积罐不对低温区原料罐产生热辐射，导致低温区温度不易控制，提纯效果较差。
3.如权利要求1所述的一种碘化法生产超高纯钛的装置，其特征在于，还包括：
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