一种硅异质结太阳能电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度大于第一温度。由于采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。【专利说明】
本专利技术涉及太阳能
，尤其涉及。
技术介绍
随着能源危机和环境污染问题的日益加重，人们对新能源的研究和应用开发更加 关注。其中，太阳能光伏发电技术以其洁净、安全、可再生成为新能源领域的研究热点。其 中，硅异质结太阳能电池凭借其较低的制备工艺温度、较高的光电转换效率、优异的高温/ 弱光发电以及较低的衰减等优势，成为目前太阳能行业的重要发展方向。 硅异质结太阳能电池一般包括单晶硅片衬底，分别位于单晶硅片衬底两侧的非晶 硅本征层，以及位于非晶硅本征层外侧的前电极和背电极；其中，非晶硅本征层/单晶硅片 /非晶硅本征层（i/ c-Si/i)结构是核心结构。当太阳光照射到PN结时，内建电场使得光照 产生的光生空穴电子对分离，从而形成非平衡载流子，产生电流。在硅异质结太阳能电池的 制备过程中，对非晶硅和单晶硅（a-Si:H/c-Si)界面的钝化成为硅异质结太阳能电池的核 心技术之一。钝化处理可以对硅片表面的悬挂键等表面缺陷进行处理，降低表面活性，从而 降低少数载流子表面复合的速率，以获得较长的少子寿命，增强硅异质结太阳能电池的性 能。 目前，提升a-Si:H/C-Si界面的钝化效果的工艺有通过提高硅烷的解离度、降低 本征层沉积温度或在非晶硅向微晶硅转化区沉积高质量的非晶硅本征层等方式。但是， 目前提升a-Si :H/c-Si界面钝化的工艺窗口比较窄，存在工艺较复杂或难以稳定控制的问 题。 因此，如何采用一种易于实现且易于控制的方式来提高a-Si:H/c-Si界面的钝化 效果，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
基于此，本专利技术实施例提供，用以采用易于 实现且易于控制的方式提高a-Si :H/c-Si界面的钝化效果。 因此，本专利技术实施例提供了，包括： 采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层； 采用所述第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层； 采用第二温度对沉积有所述第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片 进行退火处理；其中，所述第二温度大于所述第一温度。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，在采用第二温度对沉积有所述第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅 片进行退火处理时，所述退火处理的加热时长与采用的所述第二温度成反比。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，所述退火处理的加热时长为l〇min至60min。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，所述第一温度为135°c至175°C，所述第二温度为185°C至240°C。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，所述第一温度为135°C、150°C或175°C，所述第二温度为185°C、200°C或240°C。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，所述第一温度为150°c，所述第二温度为240°C。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，在所述采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层之后，在进行所 述采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层之前，还包括：在所述第一非 晶硅本征层上沉积N型掺杂非晶硅层； 在所述采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层之后，在进行所 述退火处理之前，还包括：在所述第二非晶硅本征层上沉积P型掺杂非晶硅层。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，在所述采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层之前，还包括： 对所述单晶硅片进行制绒处理，并在所述制绒处理之后进行清洗处理。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，对所述单晶硅片进行制绒处理，包括： 将所述单晶硅片放入预先制备的制绒溶液中； 在设定的制绒时间内，对所述单晶硅片和/或所述制绒溶液进行间歇性晃动； 将所述单晶硅片从所述制绒溶液中取出。 在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制 作方法中，在对所述单晶硅片进行清洗处理，包括： 对所述单晶硅片进行预清洗使得硅片表面产生氧化后，进行刻蚀处理；其中， 采用双氧水、氢氟酸和水混合后的刻蚀溶液对经过预清洗后的所述单晶硅片进行 刻蚀处理。 本专利技术有益效果如下： 本专利技术实施例提供的，采用第一温度在单晶 娃片的一面沉积第一非晶娃本征层；米用第一温度在单晶娃片的另一面沉积第二非晶娃本 征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火 处理；其中，第二温度大于第一温度。由于在制作硅异质结太阳能电池的过程中对于温度的 控制较容易实现，因此，采用较低的第一温度沉积第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层 并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结合的方式，通过测试数据可知，可以使 硅异质结太阳能电池中的a-Si:H/c-Si界面获得较好的钝化效果，有利于获得较长的少子 寿命，进而提升硅异质结太阳能电池的开路电压，增强硅异质结太阳能电池的性能。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例中提供的硅异质结太阳能电池的制作方法的流程图； 图2为本专利技术实施例中提供的实例一中硅异质结的制作方法的流程图； 图3为本专利技术实施例中提供的实例二中硅异质结太阳能电池的制作方法的流程 图。 【具体实施方式】 下面结合附图，对本专利技术实施例提供的硅异质结太阳能电池的制作方法的具体实 施方式进行详细地说明。 本专利技术实施例提供了，如图1所示，包括以 下步骤： S101、采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层； S102、采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层； S103、采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片 进行退火处理；其中，该第二温度大于第一温度。 在本专利技术实施例提供的上述硅异质结太阳能电池的制作方法中，由于在制作硅异 质结太阳能电池的过程中对于温度的控制较容易实现，因此，采用较低的第一温度沉积第 一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层并采用较高的第二温度对异质结进行退火处理相结 合的方式，通过测试数据可知，可以使硅异质结太阳能电池本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用所述第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有所述第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，所述第二温度大于所述第一温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田小让，王进，谷士斌，张林，杨荣，李立伟，孟原，郭铁，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13