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本发明公开了一种硅异质结太阳能电池的制作方法，采用第一温度在单晶硅片的一面沉积第一非晶硅本征层；采用第一温度在单晶硅片的另一面沉积第二非晶硅本征层；采用第二温度对沉积有第一非晶硅本征层和第二非晶硅本征层的单晶硅片进行退火处理；其中，第二温度...
该专利属于新奥光伏能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新奥光伏能源有限公司授权不得商用。

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