阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置，该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对第一绝缘层进行图形化处理；其中液晶显示面板两侧的阵列基板的第一绝缘层的厚度大于液晶显示面板中间的阵列基板的第一绝缘层的厚度；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成所述像素电极。本发明专利技术在不影响液晶显示装置的开口率以及功耗的基础上，解决了显示画面的显示亮度不均的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置
本专利技术涉及液晶
，特别是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置。
技术介绍
随着信息社会的发展，人们对液晶显示设备的需求越来越高，因而推动了液晶显示面板行业的快速发展，液晶显示面板的尺寸也越做越大，客户对液晶显示面板的品质要求也越来越高。目前由于扫描驱动信号在扫描线上的衰减，导致衰减比较严重区域的显示画面的显示亮度，比衰减较轻区域的显示画面的显示亮度要低。对于大尺寸的液晶显示面板，表现出来即为，在同一灰阶画面下，两侧的显示画面会比中间的显示画面的显示亮度要高(两侧的扫描驱动信号的衰减较小)。对于上述的问题，目前有两种改善方案：一、减少扫描线的阻抗，可以增加扫描线的线宽，但是增加扫描线的线宽会减小像素单元的开口率。二、对扫描驱动信号进行波形消角处理，这样导致液晶显示装置整体的亮度变低，需要通过增加背光源的功率，来加大液晶显示装置的显示亮度，从而增加了液晶显示装置的功耗。故，有必要提供一种阵列基板的制作方法及阵列基板，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置，以解决现有的液晶显示装置的显示画面的显示亮度不均、开口率较低或制作成本较高的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设置在相应的液晶显示面板中，其中所述制作方法包括：在所述衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行图形化处理；其中所述液晶显示面板两侧的所述阵列基板的所述第一绝缘层的厚度大于所述液晶显示面板中间的所述阵列基板的所述第一绝缘层的厚度；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成所述像素电极，其中所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜场效应晶体管连接。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，整个所述阵列基板的所述图形化处理后的第一绝缘层的截面形状为具有一条曲边的曲边四边形，所述曲边为凹弧状。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述对所述第一绝缘层进行图形化处理的步骤包括：在所述第一绝缘层上进行光阻涂布操作；使用渐变光罩对所述光阻进行曝光操作；对所述曝光操作后的光阻进行显影操作，以形成具有弧面的光阻；以及对涂布所述具有弧面的光阻的第一绝缘层进行干法刻蚀，以形成所述图形化处理后的第一绝缘层。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述对涂布所述具有弧面的光阻的第一绝缘层进行干法刻蚀的步骤包括：将所有所述具有弧面的光阻进行灰化操作；以及对所述第一绝缘层进行干法刻蚀操作，以形成所述图形化处理后的第一绝缘层在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述渐变光罩的中间部分的遮光率小于所述渐变光罩的两侧部分的遮光率。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述沉积半导体层以及第二金属层的步骤包括：在所述半导体层上形成欧姆接触层；以及在所述欧姆接触层上沉积所述第二金属层。本专利技术实施例还提供一种阵列基板，设置在相应的液晶显示面板中，其中所述阵列基板包括：多个扫描线，用于传输扫描信号；多个数据线，用于传输数据信号；多个薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输给像素电极，以显示所述数据信号；第一绝缘层，设置在所述薄膜场效应晶体管与所述扫描线之间；以及第二绝缘层，设置在所述像素电极与所述薄膜场效应晶体管之间；其中所述液晶显示面板两侧的所述阵列基板对应的所述第一绝缘层的厚度大于所述液晶显示面板中间的所述阵列基板对应的所述第一绝缘层的厚度。在本专利技术所述的阵列基板中，整个所述阵列基板的所述第一绝缘层的截面形状为具有一条曲边的曲边四边形，所述曲边为凹弧状。在本专利技术所述的阵列基板中，所述薄膜场效应晶体管包括源极、漏极以及栅极，所述源极和所述漏极之间设置有沟道，所述源极与所述数据线连接，所述栅极与所述扫描线连接，所述漏极与所述像素电极连接。本专利技术实施例还提供一种液晶显示装置，其包括：具有彩膜基板以及阵列基板的液晶显示面板；其中所述阵列基板包括：多个扫描线，用于传输扫描信号；多个数据线，用于传输数据信号；多个薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输给像素电极，以显示所述数据信号；第一绝缘层，设置在所述薄膜场效应晶体管与所述扫描线之间；以及第二绝缘层，设置在所述像素电极与所述薄膜场效应晶体管之间；其中所述液晶显示面板两侧的所述阵列基板对应的所述第一绝缘层的厚度大于所述液晶显示面板中间的所述阵列基板对应的所述第一绝缘层的厚度。相较于现有的液晶显示装置，本专利技术的阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶显示装置通过设置不同厚度的第一绝缘层，使液晶显示装置的显示画面的显示亮度均匀；解决了现有的液晶显示装置的显示画面的显示亮度不均、开口率较低或制作成本较高的技术问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术的阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图；图2为本专利技术的阵列基板的制作方法的步骤S102的具体流程图；图3为本专利技术的阵列基板的制作方法中使用的渐变光罩的结构示意图；图4为本专利技术的液晶显示装置的整个阵列基板的第一绝缘层的截面图；图5为本专利技术的液晶显示装置的一个像素单元的阵列基板的结构示意图；图6为图5的按A-A’截面线的截面图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法，请参照图1，图1为本专利技术的阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图。本优选实施例的阵列基板的制作方法包括：步骤S101，在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；步骤S102，沉积第一绝缘层，并对第一绝缘层进行图形化处理；步骤S103，沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；步骤S104，沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；步骤S105，沉积透明电极层，并通过图形化处理形成像素电极。本优选实施例的阵列基板的制作方法结束于步骤S105。下面详细说明本优选实施例的阵列基板的制作方法的各步骤的具体流程。在步骤S101中，提供衬底基板，然后在该衬底基板上沉积第一金属层，第一金属层的材料可为锘、钼、铝、铜、钛、钽或钨等，并使用光罩对第一金属层进行图形化处理在衬底基板上形成扫描线；随后转到步骤S102。在步骤S102中，沉积第一绝缘层，第一绝缘层的材料可为氮化硅层等，并使用渐变光罩对第一绝缘层进行图形化处理，具体可参见图2，图2为本专利技术的阵列基板的制作方法的步骤S102的具体流程图。步骤S102包括：步骤S1021，在第一绝缘层上进行光阻涂布操作，将光阻均匀的涂布在第一绝缘层的表面；步骤S1022，使用渐变光罩对光阻进行曝光操作，该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设置在相应的液晶显示面板中，其特征在于，所述制作方法包括：在所述衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行图形化处理；其中所述液晶显示面板两侧的所述阵列基板的所述第一绝缘层的厚度大于所述液晶显示面板中间的所述阵列基板的所述第一绝缘层的厚度；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成所述像素电极，其中所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜场效应晶体管连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板设置在相应的液晶显示面板中，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底基板上沉积第一金属层，并通过图形化处理形成扫描线；沉积第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行图形化处理；其中所述液晶显示面板两侧的所述阵列基板的所述第一绝缘层的厚度大于所述液晶显示面板中间的所述阵列基板的所述第一绝缘层的厚度；其中图形化处理后的第一绝缘层的截面形状为具有一条曲边的曲边四边形，该曲边为凹弧状；沉积半导体层以及第二金属层，并通过图形化处理形成数据线以及薄膜场效应晶体管；沉积第二绝缘层，并通过图形化处理形成接触孔；以及沉积透明电极层，并通过图形化处理形成像素电极，其中所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜场效应晶体管连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述第一绝缘层进行图形化处理的步骤包括：在所述第一绝缘层上进行光阻涂布操作；使用渐变光罩对所述光阻进行曝光操作；对所述曝光操作后的光阻进行显影操作，以形成具有弧面的光阻；以及对涂布所述具有弧面的光阻的第一绝缘层进行干法刻蚀，以形成所述图形化处理后的第一绝缘层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对涂布所述具有弧面的光阻的第一绝缘层进行干法刻蚀的步骤包括：将所有所述具有弧面的光阻进行灰化操作；以及对所述第一绝缘层进行干法刻蚀操作，以形成所述图形化处理后的第一绝缘层。4.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述渐变光罩的中间部分的遮光率小于所述渐变光罩的两侧部分的遮光率。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述沉积半导体层以及第二金属层的步骤包括：在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴立，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44