本实用新型专利技术提供了一种贴片式LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。本实用新型专利技术省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种贴片式LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。本技术省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢。【专利说明】贴片式LED封装结构
本技术涉及LED封装
，特别涉及一种LED封装结构。
技术介绍
为了避免LED芯片发出的光被金属基板吸收，造成光损失。目前业界的做法，是在 金属基板的表面镀银。利用银的高反射率特性，将射到基板表面的光线反射到LED芯片和 硅胶层。由于有机硅胶较高的透湿透氧性，在LED光源使用过程中，空气中的硫元素会透过 硅胶，渗入封装体内部。硫元素进入封装体后会与基板表面的银发生反应，生成黑色的硫化 银。例如2012年5月23号授权的专利号为ZL201120356103. 3技术，揭示了一种贴片 LED的封装结构。该LED封装结构包括：LED芯片、基板、镀银层，所述LED芯片设置在所述 的基板的上表面，所述的镀银层涂在所述基板的上表面，分别连接所述LED芯片的各电极， 该镀银层将LED芯片发出的光线充分反射，提高了 LED光源的质量。 由此可知，由于该LED封装技术，在基板上表面镀银，该银反射层会与进入LED封 装结构的空气中的硫元素发化学反应生成黑色的硫化银。导致基板反射区域变黑，造成LED 光源光通量降低。而且由于银层直接位于LED芯片下，银层反射回来的光大部分再次进入 LED芯片，这就会导致LED芯片过热，影响LED的使用寿命。因此，LED封装结构的防止硫化 和过热的问题已经成为LED封装技术的主要的技术问题。
技术实现思路
本技术针对上述现有技术存在的问题作出改进，即本技术要解决的技术 问题是提供一种贴片式LED封装结构，这种贴片式LED封装结构提高了散热。 为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案： -种贴片式LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器 的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。 所述LED芯片包括至少一 P极与一 N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯 片上。 所述LED芯片通过共晶焊或粘胶定位于所述散热器上。 所述散热器包括绝缘层和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与 所述LED芯片之间。 本技术一种贴片式LED封装结构，省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大 幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长， 亮度得到提升，光衰速度变慢；镀银层与本结构的巧妙设置有效的防止了硫化，使LED向大 功率照明发展的技术上升到了一个新的台阶。 【专利附图】【附图说明】 附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用 新型的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中： 图1是本技术一种实施方式的结构示意图。 【具体实施方式】 如图1所示，本技术公开一种LED封装结构，包括LED芯片21和散热器232， LED芯片21设于散热器232的中轴上，散热器232及LED芯片21上设有镀银层。 芯片21的P极与N极均设置于远离散热器232的一侧，即芯片的顶部，该P极与N 极直接通过超声焊分别引出。当该芯片21与芯片21间距离较短时，可用金线、铝线、铜线 等通过超声焊进行连接。该散热器232由铜材料或铝材料制作。 LED芯片21通过共晶焊或粘胶定位于散热器232上。 散热器232包括绝缘层和导电层，绝缘层和导电层设置于散热器232与LED芯片 之21间。 芯片与芯片通过超声焊进行电性连接时，为提高安全系数，线与散热器232间增 加一绝缘层。导电层之上再增加一保护层，即设置镀银层。散热器232中轴上设置反光层， 反光层可用抛光法、涂层法，液体法，溅射法、真空镀层法（蒸化真空沉积法）、电镀、氧化方 式制成。当为铝材散热器时，并通过氧化的方法制作反光层时，该氧化层进一步通过离子封 孔、染色处理，提高美观效果，具有与芯片发光色相同的颜色时，提高反光效果。 当该贴片式LED封装结构包括多颗LED芯片21串并联电连接时，与电源连接线对 应的LED芯片21之P极与N极由该导电层引出，非与电源连接线对应的LED芯片21之P 极与N极由超声焊引出。 同时，该LED封装结构也适用于其他大功率芯片，包括不限于LED、功率集成电路、 大功率稳压电源、大功率音响芯片、CPU等高功率芯片的散热封装。 以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参 照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以 对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡 在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用 新型的保护范围之内。【权利要求】1. 一种贴片式LED封装结构，其特征在于：包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于 所述散热器的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。2. 根据权利要求1所述的贴片式LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片包括至少 一 P极与一 N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯片上。3. 根据权利要求1所述的贴片式LED封装结构，其特征在于：所述LED芯片通过共晶 焊或粘胶定位于所述散热器上。4. 根据权利要求2所述的贴片式LED封装结构，其特征在于：所述散热器包括绝缘层 和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与所述LED芯片之间。【文档编号】H01L33/48GK203895496SQ201420222388【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2014年4月30日 【专利技术者】周峰 申请人:扬州新思路光电科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种贴片式LED封装结构，其特征在于：包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器的中轴上，所述散热器及所述LED芯片上设有镀银层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周峰，
申请(专利权)人：扬州新思路光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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