本发明专利技术提供一种原料硅破碎装置（10），其不会使纯度下降，能够机械性地破碎原料硅，能够抑制微粉化损失。通过由第一壳体（22）、一部分从第一壳体（22）的开口向外方突出了的第一破碎用硅（20）、被夹装在了第一破碎用硅（20）及第一壳体（22）之间的第一防污构件（24）构成第一床身（12），由第二壳体（42）、一部分从第二壳体（42）的开口向外方突出了的第二破碎用硅（41）、对由一对破碎面（16、18）夹着的空间A的两侧面进行覆盖的一对侧硅（44）、被夹装在了第二破碎用硅（41）与第二壳体（42）之间的第二防污构件（48）、和被夹装在了侧硅（44）与侧硅壳体（45）之间的第三防污构件（49）构成第二床身（14），能够解决上述课题。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种原料硅破碎装置（10），其不会使纯度下降，能够机械性地破碎原料硅，能够抑制微粉化损失。通过由第一壳体（22）、一部分从第一壳体（22）的开口向外方突出了的第一破碎用硅（20）、被夹装在了第一破碎用硅（20）及第一壳体（22）之间的第一防污构件（24）构成第一床身（12），由第二壳体（42）、一部分从第二壳体（42）的开口向外方突出了的第二破碎用硅（41）、对由一对破碎面（16、18）夹着的空间A的两侧面进行覆盖的一对侧硅（44）、被夹装在了第二破碎用硅（41）与第二壳体（42）之间的第二防污构件（48）、和被夹装在了侧硅（44）与侧硅壳体（45）之间的第三防污构件（49）构成第二床身（14），能够解决上述课题。【专利说明】原料硅破碎装置
本专利技术涉及一种对原料硅进行破碎的原料硅破碎装置，该原料硅成为作为半导体 材料使用的硅晶片的原料。
技术介绍
作为半导体材料使用的硅晶片，是将形成为大致圆柱状的单结晶硅在直径方向以 规定的厚度切断来制造。此单结晶硅由所谓的切克劳斯基（CZ)法制造，该切克劳斯基（CZ) 法将成为晶种的单结晶硅片浸渍在熔解了的原料硅中，然后，缓慢地一面旋转一面向上提 起，使结晶生长。另外，作为原料硅，使用从其它的单结晶硅切断了规定片数的硅晶片后残 留部分的硅或由西门子法、甲硅烷法制造了的多晶硅。 原料硅的熔融，是通过将原料硅充填在石英制的坩埚中，将其进行加热来进行，但 为了效率良好地进行原料硅的熔融，必须将原料硅破碎成容易充填在坩埚中的大小。 原料硅的破碎，以往使用钨制的锤等由人力进行，但由人力对非常硬的原料硅进 行破碎是重体力劳动，所以考虑了由使用了具有碳化钨制的齿的颚式破碎机的机械进行的 破碎，以及如在专利文献1中记载的那样使用硅加热急冷装置，即使少也减轻对由人力进 行的破碎所需要的劳力，该硅加热急冷装置通过将原料硅加热至高温，然后急冷，使原料硅 产生裂纹。 在先技术文献 专利文献 专利文献1:国际公开第09/019749号小册子
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 然而，不论选择了哪一种的原料硅的破碎手段，都存在当破碎时钨(锤)、碳化钨 (颚式破碎机的齿）等附着在原料硅的表面上而使原料硅的纯度下降的问题。另外，在使用 了锤、颚式破碎机的情况下，原料娃的粉末(粒度是1mm以下的原料娃）发生率高达10? 20% (质量基)，也存在所谓的"微粉化损失"大的问题。 与此相对，如果是将适合的大小的原料硅块代替锤摔在用于破碎的原料硅上的方 法(共同打碎方法)，则尽管能够将破碎时的原料硅的纯度下降最小化，但因为此方法需要 与使用锤进行破碎的方法同等或其以上的劳力，所以存在作业者患上腱鞘炎的危险，进而， 当正在抓住该硅材料代替锤进行共同打碎作业时存在误伤手的危险。 另外，也可以考虑通过由高纯度的硅材料形成颚式破碎机的齿，避免原料硅的纯 度下降，但因为需要将该齿由以硅以外的金属形成了的固定构件固定，从该固定构件发生 金属污染，所以不能完全地避免硅材料的纯度下降，需要用化学腐蚀将金属污染部分除去。 本专利技术是鉴于这样的以往技术的问题点而开发的。而且，本专利技术的主要的课题在 于提供一种原料硅破碎装置，该原料硅破碎装置不会使原料硅的纯度下降，而且，能够一面 将微粉化损失抑制得低，一面机械性地将原料硅破碎。 为了解决课题的手段 记载于技术方案1的专利技术，是一种原料娃破碎装置10,具备具有相互相向的纵向 的破碎面16、18的一对第一、第二床身12、14,通过使将加热急冷处理完了的高纯度的原料 硅G夹着地进行加压破碎的前述一对破碎面16、18接近、离开，对该原料硅G进行加压破 碎，其特征在于， 前述第一床身12,具有有底箱状的第一壳体22、第一破碎用硅20和第一防污构件 24； 该有底箱状的第一壳体22在前述破碎面16、18侧开口； 该第一破碎用硅20具有与原料硅G相等或其以上的高的纯度，以其一部分从前述 第一壳体22的开口向外方突出的方式配设，其突出面成为前述破碎面16 ; 该第一防污构件24,被夹装在了前述第一破碎用硅20及前述第一壳体22之间； 前述第二床身14,具有有底箱状的第二壳体42、第二破碎用硅41、侧硅壳体45、一 对侧硅44、第二防污构件48和第三防污构件49 ; 该有底箱状的第二壳体42在前述破碎面18侧开口； 该第二破碎用硅41，具有与原料硅G相等或其以上的高的纯度，以其一部分从前 述第二壳体42的开口向外方突出的方式配设，其突出面成为前述破碎面18 ; 该侧硅壳体45,被配设在了前述第二壳体42的两侧面板42a上； 该一对侧硅44,具有与原料硅G相等或其以上的高的纯度，被嵌入前述侧硅壳体 45中，覆盖由前述一对破碎面16、18夹着的空间A的两侧面； 该第二防污构件48,被夹装在了前述第二破碎用硅41与前述第二壳体42之间； 该第三防污构件49,被夹装在了前述侧硅44与前述侧硅壳体45之间。 在本专利技术的原料硅破碎装置10中，原料硅G是在前述高纯度的第一、第二破碎用 硅20、41之间被进行加压破碎，但此时因为在第一、第二破碎用硅20、41及侧硅44与相对 于原料硅G是异物而成为杂质混入的原因的第一、第二及侧硅壳体22、42、45之间分别夹 装了第一?第三防污构件24、48、49,防止了两者的直接接触，防止了第一、第二及侧硅壳体 22、42、45的构成成分向第一、第二破碎用硅20、41及侧硅44的附着污染，所以即使经过破 碎工程当然也能够保持原料硅G的纯度，而且，即使在破碎工程中第一、第二破碎用硅20、 41及侧硅44的一部分破损而混入原料硅G中，在破损片上也没有杂质的附着，所以被破碎 了的原料硅G的纯度不会下降。 另外，在此原料硅破碎装置10中，由于不是由冲击力而是由加压力来咬碎原料硅 G，沿在原料硅G上产生了的大的龟裂进行破碎，所以被破碎物成为大的块状，被进行微粉 化的量急剧减少，能够将微粉化损失极小化到例如2?3% (重量基础）程度。 此外，当原料硅G被加压破碎时，该原料硅G由一对侧硅44包围，该一对侧硅44 对由一对破碎面16、18夹着的空间A的两侧面进行覆盖，能够避免被破碎了的原料硅G不 期望地从两侧面洒落。 记载于技术方案2的专利技术，涉及记载于技术方案1的原料娃破碎装置10的改良， 其特征在于，在前述第一壳体22及第二壳体42的至少一方，安装了使前述床身12、14振动 的加振器40。 如果由第一破碎用硅20及第二破碎用硅41的破碎面16、18对原料硅G进行加压 破碎，则被粉碎了的原料硅G的小碎块被推压附着在该破碎面16、18上，如果此附着量变多 起来，则给破碎后的原料硅G的排出带来障碍。这一点，通过在本专利技术的原料硅破碎装置10 上设置了加振器40,使该加振器40工作，能够使第一床身12及/或第二床身14振动，将附 着在了破碎面16、18上的原料硅G的小碎块拂落。 专利技术的效果 根据本专利技术，由于能够将与加热急冷处理完了的原料硅直接接触的物质仅限于原 料硅和前述高纯度的硅材料，所以在原料硅的破碎工程中，能够将本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种原料硅破碎装置，具备具有相互相向的纵向的破碎面的一对第一、第二床身，通过使将加热急冷处理完了的高纯度的原料硅夹着地进行加压破碎的前述一对破碎面接近、离开，对该原料硅进行加压破碎，其特征在于，前述第一床身，具有有底箱状的第一壳体、第一破碎用硅和第一防污构件；该有底箱状的第一壳体在前述破碎面侧开口；该第一破碎用硅具有与原料硅相等或其以上的高的纯度，以其一部分从前述第一壳体的开口向外方突出的方式配设，其突出面成为前述破碎面；该第一防污构件，被夹装在了前述第一破碎用硅及前述第一壳体之间；前述第二床身，具有有底箱状的第二壳体、第二破碎用硅、侧硅壳体、一对侧硅、第二防污构件和第三防污构件；该有底箱状的第二壳体在前述破碎面侧开口；该第二破碎用硅，具有与原料硅相等或其以上的高的纯度，以其一部分从前述第二壳体的开口向外方突出的方式配设，其突出面成为前述破碎面；该侧硅壳体，被配设在了前述第二壳体的两侧面板上；该一对侧硅，具有与原料硅相等或其以上的高的纯度，被嵌入前述侧硅壳体中，覆盖由前述一对破碎面夹着的空间的两侧面；该第二防污构件，被夹装在了前述第二破碎用硅与前述第二壳体之间；该第三防污构件，被夹装在了前述侧硅与前述侧硅壳体之间。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：村井刚，小中敏典，
申请(专利权)人：长州产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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