一种故障检测电路及内置该故障检测电路的复合开关制造技术

本实用新型专利技术提供了一种故障检测电路及内置该故障检测电路的复合开关，所述故障检测电路通过将故障检测电路接入火线和出线，并在火线和出线与故障检测电路中的光电耦合器U1中的发光器形成回路后，通过光电耦合器U1过滤可控硅和磁保持继电器的工作状态信号，再通过NPN型三极管将所述信号放大并经芯片HEF4010B反相处理后通过示波器显示可控硅和磁保持继电器的工作状态信号，能够使用户通过波形图实时直观的获取可控硅和磁保持继电器的工作状态，便于用户及时发现问题并采取相应的保护措施，将损失降至最低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种故障检测电路，用于检测复合开关中每组并联运行的可控硅和磁保持继电器的工作状态，其特征在于，其包括电阻R4、R6、R10、R13、R18、R20、光电耦合器U1、NPN型三极管Q1、二极管D4、电容C11以及芯片HEF40106B；所述芯片HEF40106B有14个引脚；所述电阻R10的一端与所述可控硅和所述磁保持继电器与火线相接的公共端相连，所述电阻R10的另一端与所述电阻R13的一端相连，所述电阻R13的另一端与所述光电耦合器U1的发光源的一端相连，所述光电耦合器U1的发光源的另一端与出线相接，所述光电耦合器U1的受光器的一端接地，另一端同时与所述电阻R4的一端和所述电阻R18的一端相连，所述电阻R18的另一端同时与电源VDD和所述电阻R20的一端相连，所述电阻R4的另一端与所述NPN型三极管Q1的基极相连，所述电阻R20的另一端同时与所述电阻R6的一端，所述二极管D4的阴极以及所述NPN型三极管Q1的集电极相连，所述NPN型三极管Q1的发射极接地，所述电阻R6的另一端、所述二极管D4的阳极以及所述电容C11的一端相交后与所述芯片HEF40106B的引脚1相连，所述电容C11的另一端接地，所述芯片HEF40106B的引脚2与示波器的第一输入端相连。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高旭祥，李柏，李铭超，黄子超，
申请(专利权)人：浙江人民电器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33