直流低压电源注锁发光二极管LED阵列灯制造技术

本发明专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种直流低压电源注锁发光二极管LED阵列灯。包括发光二极管LED阵列灯、直流低压电源、基准晶振、振荡驱动芯片、推挽放大器、推挽振荡器、相加耦合器、全波整流电路、灯管异常电流检测器，振荡驱动芯片输出接推挽放大器，经变压器T1与推挽振荡器变压器T3反相馈入相加耦合器，功率合成经全波整流电路接灯管，基准晶振信号经分频器注入振荡驱动芯片RC振荡器锁定相位，推挽放大器变压器T1与推挽振荡器变压器T3功率合成互耦注锁频率牵引相干同步锁定相位获取大功率照射，避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本发明专利技术适用于直流低电压、大电流供电的大功率发光二极管LED阵列灯商业装饰广告照明。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种直流低压电源注锁发光二极管LED阵列灯，包括直流低压电源、发光二极管LED阵列灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、振荡驱动芯片、推挽放大器、推挽振荡器、相加耦合器、全波整流电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，振荡驱动芯片内含RC振荡器、推挽放大驱动电路、电流检测CS、灯故障控制SD，RC振荡器外接电阻R2、电容C4产生振荡，输出经推挽放大驱动电路接推挽放大器两个大功率MOS场效应管Q1、Q2栅...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，阮小青，
申请(专利权)人：阮小青，
类型：发明
国别省市：浙江;33