半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的非穿通(NPT)型IGBT(10)构成为：在n-半导体基板的背面设置有由p+集电极层(8)和集电极电极(9)形成的背面结构，在关断时从p基极区域(2)与n-漂移层(1)之间的pn结伸出的耗尽层不与p+集电极层(8)相接触。在该NPT型IGBT(10)中，关断过程中的从p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(第1pn结)(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如在0.3μm以下的区域的空穴电流的载流子浓度、与p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如为15μm的区域的累积载流子浓度之间的浓度差为30％～70％左右。由此，能够以低成本实现高速且低损耗的开关动作。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的非穿通(NPT)型IGBT(10)构成为：在n-半导体基板的背面设置有由p+集电极层(8)和集电极电极(9)形成的背面结构，在关断时从p基极区域(2)与n-漂移层(1)之间的pn结伸出的耗尽层不与p+集电极层(8)相接触。在该NPT型IGBT(10)中，关断过程中的从p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(第1pn结)(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如在0.3μm以下的区域的空穴电流的载流子浓度、与p+集电极层(8)和n-漂移层(1)之间的pn结(11)起朝n-漂移层(1)侧深度例如为15μm的区域的累积载流子浓度之间的浓度差为30％～70％左右。由此，能够以低成本实现高速且低损耗的开关动作。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
作为开关电源，对直流（DC)电压进行降压的DC-DC转换器是公知的。通过提高 DC-DC转换器的动作频率，能够使构成DC-DC转换器的变压器小型化，从而能够力图实现 DC-DC转换器本身的小型化。为了提高DC-DC转换器的动作频率，需要提高构成DC-DC转换 器的IGB本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：作为第1导电型漂移层的第1导电型半导体基板；设置于所述第1导电型半导体基板背面的表面层的第2导电型集电极层；以及与所述第2导电型集电极层相接的集电极电极，从所述第1导电型漂移层与所述第2导电型集电极层之间的第1pn结起朝所述第1导电型漂移层侧深度在0.3μm以下的区域的载流子浓度是从所述第1pn结起朝所述第1导电型漂移层侧深度大于0.3μm的区域的累积载流子浓度的30％～70％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林勇介，武井学，中川明夫，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP