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本发明的非穿通(NPT)型IGBT(10)构成为：在n-半导体基板的背面设置有由p+集电极层(8)和集电极电极(9)形成的背面结构，在关断时从p基极区域(2)与n-漂移层(1)之间的pn结伸出的耗尽层不与p+集电极层(8)相接触。在该NPT...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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