本发明专利技术的目的在于提供半导体装置，其抑制了在电感器中产生的辐射噪声的增加。该半导体装置（10）具有引线框架（RM）；搭载于引线框架（RM）的主面侧（MF）的MIC（18）；以紧贴的方式搭载于引线框架（RM）的背面侧（BF）的电感器（12）；以及对引线框架（RM）、MIC（18）以及电感器（12）进行树脂密封的树脂体（14）。电感器（12）是强磁性体的八棱柱状芯，在与电感器（12）的轴（P）对应的位置配置MIC（18），在电感器（12）的端子（B、C）之间配置流过MIC（18）的主电流的配线。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的目的在于提供半导体装置，其抑制了在电感器中产生的辐射噪声的增加。该半导体装置（10）具有引线框架（RM）；搭载于引线框架（RM）的主面侧（MF）的MIC（18）；以紧贴的方式搭载于引线框架（RM）的背面侧（BF）的电感器（12）；以及对引线框架（RM）、MIC（18）以及电感器（12）进行树脂密封的树脂体（14）。电感器（12）是强磁性体的八棱柱状芯，在与电感器（12）的轴（P）对应的位置配置MIC（18），在电感器（12）的端子（B、C）之间配置流过MIC（18）的主电流的配线。【专利说明】半导体装置
本专利技术涉及具有电感器的半导体装置。
技术介绍
公知有如下半导体装置：作为将电源电压转换为规定的动作电压的电力转换装置 具有DC-DC转换器。关于这种半导体装置，一般公知有在框架的主面侧搭载有电感器(线 圈）、1C芯片以及电容器的小型薄型的SON型半导体装置(例如参照专利文献1)。 专利文献1 :日本特开2007-318954号公报 但是，在这种以往的半导体装置中，由于电感器和1C芯片（以下，简称为1C)为大 致相同的大小并进行了层压，因此电感器被设置成相比于框架安装在半空，因此存在电感 器中产生的电磁场到达框架的距离，有可能导致漏磁通增加，甚至是辐射噪声增加。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供通过在电感器中产生的电磁 场来抑制了辐射噪声的增加的半导体装置。 为了解决上述问题，本专利技术的半导体装置的特征在于，该半导体装置具有：引线框 架；1C元件，其搭载于所述引线框架的主面侧；电感器，其以紧贴的方式搭载于所述引线框 架的背面侧；以及树脂体，其对所述引线框架、所述1C元件以及所述电感器进行树脂密封， 所述电感器与所述引线框架紧贴，所述电感器是强磁性体的八棱柱状芯或圆柱状芯，在与 所述电感器的轴对应的位置配置所述1C元件，所述电感器与所述1C元件电连接，在所述电 感器的端子之间配置有流过所述1C元件的主电流的配线。 根据本专利技术，能够提供电感器与框架之间没有距离并抑制了在电感器中产生的辐 射噪声的增加的半导体装置。 【专利附图】【附图说明】 图1的（a)?（c)是分别说明本专利技术一个实施方式的半导体装置的内部结构的主 视图、侧视图和后视图。 图2的（a)和（b)是说明本专利技术的本实施方式的外观结构的半导体装置的主视图 和侧视图。 图3是示出本实施方式的半导体装置的一个实施方式中、在MIC中设置了开关元 件的例子的电路图。 图4是说明本实施方式的半导体装置的内部配线的配置的图。 图5是详细说明流过本实施方式的半导体装置的内部的电流路径的图。 图6是对本实施方式的半导体装置与有关现有技术方式的半导体装置的辐射噪 声数据进行了比较的测定数据。 标号说明 10 :半导体装置；12 :电感器；12i :内周侧；12m :主体；14 :树脂体；18 :MIC (1C元 件）；20 :基板；22a?22c :电容器；P :轴（中心轴）；RM :引线框架。 【具体实施方式】 下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1的（a)?（c)是分别说明本发 明一个实施方式（以下，称为本实施方式）的半导体装置的内部结构的主视图、侧视图和后 视图。图2的（a)和（b)是说明本实施方式的外观结构的半导体装置的主视图和侧视图。 本实施方式的半导体装置10是SIP型树脂密封半导体装置，是电感器内置型模块 (电感器内置型调节器)。 半导体装置10由引线框架RM、作为电子部件而搭载于引线框架RM的主面侧MF (表面侧）的电路元件D、搭载于引线框架RM的背面侧BF的电感器(线圈）12以及对电路元 件D和电感器12进行树脂密封的树脂体14构成。另外，还可以具有散热板15,该散热板 15螺钉紧固在背面侧BF的树脂体14的外壁上，使在装置内部产生的热向装置外方散热。 引线框架RM为铜或铜合金等金属制。在本实施方式中，引线框架RM主要由被分 割而彼此不连续的三个分割框架16p?161构成。即，分割框架彼此电绝缘。 如图1的（a)所示，从正面侧观察半导体装置10时，分割框架16p、16q配置在左 右位置，分割框架161配置在中央位置。 另外，在本实施方式中，作为电路元件D，搭载有MIC (单片集成电路）18、基板(有 机基板）20p、芯片电容器22a?22c。在本实施方式中，引线框架RM的电导率比MIC18的 电导率大。 MIC18搭载于分割框架16ι上。芯片电容器22a横跨安装在分割框架16p、16r上， 芯片电容器22b横跨安装在分割框架16q、16ι上。 基板20p配置在分割框架16p上。并且，芯片电容器22c安装在基板20p上。 在本实施方式中，电感器12是强磁性体的壶形芯。并且，在与电感器12的轴（中心 轴）P对应的位置配置有MIC18。与电感器12的轴P对应的位置是指，电感器12的轴P的 附近且很难受到在电感器12中产生的电磁场的影响的位置。在本实施方式中，作为对应的 位置，设为从电感器12的中心轴方向观察时电感器12的主体12m (线圈状的电流通过部） 的内周侧12i的位置。 基板20p配置在分割框架16p上。并且，芯片电容器22c安装在基板20p上。 并且，如图1的（b)和（c)所示，在电感器12的安装面侧的两边侧形成有电连接面 12p、12q，以该电连接面12p、12q分别与分割框架16p、16q面接触的方式，将电感器12安装 在引线框架RM的背面侧BF。而且，配置成主面侧MF的MIC18与背面侧BF的电感器12夹 持引线框架RM。在本实施方式中，电感器12为多棱柱状(例如图1 (c)所示的八棱柱状)， 但是也可以是圆柱状。 当在分割框架16上配置电路元件D和基板20时，关于基板20,利用粘接剂使其粘 接在分割框架16上而固定在分割框架16上，而关于电路元件D和电感器12,在安装时，通 过涂布银浆并使其热硬化或者进行回流焊等焊接，以紧贴的方式将它们固定在分割框架16 上。 另外，半导体装置10具有从树脂体14延伸出的多条外接引线ER。并且，树脂体 14由模具树脂等形成，以对MIC18、基板20、芯片电容器22a?22c以及分割框架16的外接 引线以外的部分进行树脂密封。在树脂体14中的半导体装置上部(与外接引线ER的延伸 侧相反侧的部分)形成有可供螺钉贯穿插入的贯通孔14h。另外，分割框架16p、16q的半导 体装置上部配置成不露出到该贯通孔14h的形状。 另外，散热板15具有形成有螺钉卡合孔15h (内螺纹，参照图2 (b))且与树脂体 14的外壁抵接的平板状的散热基板15b、和以坚立设置在散热基板15b上的方式排列的多 个散热片15f，该散热板15是在制造半导体装置10之前预先制造的。散热板15的材质例 如为铜或错。 这里，在树脂体14中的形成引线框架RM的主面侧的树脂体部分14p中，从电子部 件到树脂体表面14f的距离(树脂体的厚度）最小的是从配置在基板20p上的芯片电容器 22c到树脂体表面14f的距离（厚度）LF (例如0.4本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：引线框架；IC元件，其搭载于所述引线框架的主面侧；电感器，其搭载于所述引线框架的背面侧；以及树脂体，其对所述引线框架、所述IC元件以及所述电感器进行树脂密封，所述电感器与所述引线框架紧贴，所述电感器是强磁性体的八棱柱状芯或圆柱状芯，在与所述电感器的轴对应的位置配置所述IC元件，所述电感器与所述IC元件电连接，在所述电感器的端子之间配置有流过所述IC元件的主电流的配线。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈部康宽，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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