一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体材料，其化学式为BaFxZnAs，其中0.5≤x≤1.5。本发明专利技术还提供一种制备上述材料的方法，利用固相反应法，烧结前躯体，其中所述前躯体包括BaF2、Ba、Zn和As，前躯体中的各种物质的含量为使得各种元素的原子百分比含量满足Ba:F:Zn:As=1:x:1:1，其中烧结温度为600-1000℃。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体材料，其化学式为BaFxZnAs，其中0.5≤x≤1.5。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈碧娟，邓正，靳常青，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11