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本发明提供一种半导体材料，其化学式为BaFxZnAs，其中0.5≤x≤1.5。本发明还提供一种制备上述材料的方法，利用固相反应法，烧结前躯体，其中所述前躯体包括BaF2、Ba、Zn和As，前躯体中的各种物质的含量为使得各种元素的原子百分比含...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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