一种薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜的制备方法，先取含有氧化镓或氧化铟的金属混合液涂到基底表面，再通过水流或气体对基底表面进行吹扫，从而在基底表面形成纳米量级薄膜。本发明专利技术薄膜的制备方法简单，成本低廉，适宜推广使用，可在热管理、机械、电子、化学、半导体、医药卫生、生物等领域中发挥重要作用。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种薄膜的制备方法，属于金属材料加工领域。
技术介绍
镓是一种凝固点很低的金属，在空气中表现稳定。氧化镓是一种宽紧带半导体，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意，在光电子器件方面有广阔的应用。铟是一种银灰色质软的易熔金属，因其光渗透性和导电性强的特点，主要应用于生产ITO靶材。氧化铟是电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏，玻璃，陶瓷，化学试剂等，近年来，大量应用与光电行业等高新
目前现在技术中金属薄膜主要是以氧化铟，氧化镓为原料，其制备方法主要为薄膜沉积法，包括真空蒸镀、溅射法、离子镀以及化学气相沉积法（CVD）等，采用真空蒸镀、溅射法、离子镀等方法制备导电薄膜，存在如下问题：设备昂贵，成本过高；需要超高真空系统，对镀料要求过高等；而采用CVD制备导电薄膜，存在诸如制备温度高，不适宜高分子材料作为基底，需发生化学反应以析出金属等复杂程序。因此，提供一种适用各种基底、成本低廉、操作简单、快速的氧化镓或氧化铟的液态金属制膜方法具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种薄膜的制备方法。为了达到上述目的，本专利技术采用如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜的制备方法，其特征在于，将含有氧化镓和/或氧化铟的金属混合液喷涂到基底表面，再通过水流或气体对基底表面进行吹扫，得到纳米量级薄膜；所述氧化镓和/或氧化铟占金属混合液的质量百分比为0.01‑10%，优选0.05‑5%；所述金属混合液熔点小于200℃。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，将含有氧化镓和/或氧化铟的金属混合液喷涂到基底表面，再通过氮气或惰性气体对基底表面进行吹扫，得到纳米量级薄膜；所述氧化镓和/或氧化铟占金属混合液的质量百分比为0.05-5％；所述金属混合液熔点小于200℃；所述氮气或惰性气体的吹扫压力为2-20MPa，吹扫距离为2-100mm，吹扫移动速率为0.1-10cm/min。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷涂压力为10MPa。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮气或惰性气体吹扫时间为5min-1h。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮气或惰性气体吹扫时间为0.1-1h。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，吹扫距离为2cm。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮气或...

【专利技术属性】
技术研发人员：高云霞，刘静，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11