发光二极管结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管结构及其制作方法，该发光二极管包括一基板、一聚合物层以及一磊晶层。聚合物层配置于基板上，其中聚合物层的化学式如下：其中M代表钠、锌、镁或钾。磊晶层配置于聚合物层上。磊晶层通过聚合物层固定于基板上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，该发光二极管包括一基板、一聚合物层以及一磊晶层。聚合物层配置于基板上，其中聚合物层的化学式如下：其中M代表钠、锌、镁或钾。磊晶层配置于聚合物层上。磊晶层通过聚合物层固定于基板上。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制作方法，尤其涉及一种发光二极管结构及其制 作方法。
技术介绍
-般来说，发光二极管结构的制造方法是先在磊晶基板上生长磊晶层，但由于磊 晶基板会吸光，因此必须再通过晶圆接合法将磊晶层和透光的转移基板接合，接着将磊晶 基板移除，让磊晶层转移至转移基板上，以避免影响出光。目前，晶圆接合法所采用的粘着 层的材质包括二氧化娃或苯环丁烯（benzocyclobutene，BCB)。当采用二氧化娃层作为粘 着层时，二氧化娃必须先通过等离子体化学气相沉积（plasma enhanced chemical vapor dep〇siti〇n，PECVD)沉积于转移基板上。接着，对沉积后的二氧化硅层进行研磨程序及活化 程序，以形成良好的接合面。之后，对准磊晶层和转移基板，以长时间（如1小时）的高温 (如300°C )及高压（如3000牛顿/平方公分）的方式来接合磊晶层与转移基板。最后， 移除磊晶基板而完成发光二极管的制作。 当采用苯环丁烯层作为粘着层时，则需先通过旋转涂布的方式将苯环丁烯涂布于 磊晶层和转移基板上。接着，对涂布后的苯环丁烯进行烘烤程序。之后，对准磊晶层和转移 基板，以长时间（如3小时）的高温（如220°C )及低压（如1100牛顿/平方公分）的方 式来接合磊晶层与转移基板。最后，移除磊晶基板而完成发光二极管的制作。然而，上述两 种的制作方法所需的成本较高且制程步骤也较为繁杂。此外，由于上述两种材质皆需通过 长时间的高温来成接合磊晶层与转移基板，有可能使磊晶层因高温而产生缺陷并被破坏品 质，因此会影响所形成的发光二极管结构的发光效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种，其具有制程简单及制造成本低的 优势。 本专利技术的发光二极管结构，其包括一基板、一聚合物层以及一磊晶层。聚合物层配 置于基板上，其中聚合物层的化学式如下： 【权利要求】1. 一种发光二极管结构，其特征在于，包括： 一基板； 一聚合物层，配置于该基板上，其中该聚合物层的化学式如下：其中Μ代表钠、锌、镁或钾；以及 一磊晶层，配置于该聚合物层上，其中该磊晶层通过该聚合物层固定于该基板上。2. 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该聚合物层的分子量介于 10000公克/摩尔至120000公克/摩尔之间。3. 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，化学式中的a等于250至 2500,而b等于10至300。4. 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该a/b的值介于12至20之 间。5. 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该基板包括一蓝宝石基板。6. 根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该磊晶层包括一第一型半导 体层、一发光层以及一第二型半导体层，该第二型半导体层邻近于该聚合物层，该发光层配 置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间。7. -种发光二极管结构的制作方法，其特征在于，包括： 形成一嘉晶层于一嘉晶基板上； 提供一转移基板； 提供一聚合物层于该磊晶基板的该磊晶层与该转移基板之间，该聚合物层的化学式如 下：其中Μ代表钠、锌、镁或钾； 对该磊晶基板与该转移基板进行一接合制程，以使该磊晶基板通过该聚合物层而固定 于该转移基板上；以及 移除该嘉晶基板，而暴露出该嘉晶层。8. 根据权利要求7所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，该聚合物层的分 子量介于10000公克/摩尔至120000公克/摩尔之间。9. 根据权利要求7所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，化学式中的a等于 250至2500,而b等于10至300。10. 根据权利要求7所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，该接合制程的所 施加的压力介于400牛顿/平方公分至4500牛顿/平方公分之间。11. 根据权利要求7所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，该接合制程的温 度介于90°C至200°C之间。12. 根据权利要求7所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，该接合制程的时 间介于1分钟至360分钟之间。13. 根据权利要求7所述的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，形成该磊晶层的 步骤包括依序形成一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层于该磊晶基板上。【文档编号】H01L33/44GK104103731SQ201310113952【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年4月3日 优先权日:2013年4月3日 【专利技术者】黄冠杰, 庄东霖 申请人:新世纪光电股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一基板；一聚合物层，配置于该基板上，其中该聚合物层的化学式如下：其中M代表钠、锌、镁或钾；以及一磊晶层，配置于该聚合物层上，其中该磊晶层通过该聚合物层固定于该基板上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄冠杰，庄东霖，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71