多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及其制备方法，其化学贮镁活性物质为少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯的复合纳米材料，复合纳米材料中WS2和石墨烯的物质的量之比为1:2，复合电极的组分及其质量百分比含量为：多边缘WS2纳米片/石墨复合纳米材料为80%，乙炔黑10％，羧甲基纤维素5%，聚偏氟乙烯5％。制备步骤：先制备得到少层数的多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料，将所制备的多复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成均匀的浆料，将该浆料均匀地涂到作为集流体的泡沫铜上，干燥后滚压获得。本发明专利技术制备的电化学贮镁复合电极具有高的电化学贮镁容量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极，其特征在于，复合电极的电化学贮镁活性物质为少层数的多边缘WS2纳米片/石墨烯的复合纳米材料，复合纳米材料中WS2和石墨烯的物质的量之比为1:2，复合电极的组分及其质量百分比含量为：多边缘WS2纳米片/石墨烯复合纳米材料80%，乙炔黑10％，羧甲基纤维素5%，聚偏氟乙烯5％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫祥，马琳，孙虎，叶剑波，陈倩男，王臻，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33