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本发明公开了一种多边缘WS2/石墨烯电化学贮镁复合电极及其制备方法，其化学贮镁活性物质为少层数的多边缘WS2纳米片与石墨烯的复合纳米材料，复合纳米材料中WS2和石墨烯的物质的量之比为1:2，复合电极的组分及其质量百分比含量为：多边缘WS2纳...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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