一种聚合物电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本发明专利技术所制备的聚合物电极，结构完整、稳定性好、重复率高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。利用本专利技术所制备的聚合物电极，结构完整、稳定性好、重复率高。【专利说明】
本专利技术涉及，特别是一种不能直接制备于介质层或绝 缘层表面的聚合物电极的制备方法。
技术介绍
随着科学技术日新月异的发展，电子产品已经深入到我们生活工作中的方方面 面。人们对低成本、低重量、柔性、便携的电子产品的关注度越来越高。传统的基于无机半 导体材料的器件和电路很难满足这些要求，因此可以实现这些特性的基于聚合物半导体材 料的聚合物集成电路技术在这一趋势下得到了快速发展。提高聚合物半导体器件的性能、 稳定性和成品率，降低聚合物半导体器件的成本一直是该领域追求的目标。传统的无机金 属电极在聚合物集成电路技术中应用时存在着成本高、金属功函数与聚合物材料能级不匹 配等问题。聚合物电极的出现很好的解决了这一问题。然而，很多聚合物电极的制备过程 会产生酸性或碱性溶液，这些溶液会破坏某些材料介质层或绝缘层，使得聚合物电极不能 制备在这些介质层或绝缘层表面。 有鉴于此，探索新的聚合物电极制备方案，解决聚合物电极不能直接制备在介质 层或绝缘层表面的问题，是本专利技术的创研动机所在。
技术实现思路
(一）要解决的技术问题 本专利技术的目的是提供，以解决解决聚合物电极不能直 接制备在介质层或绝缘层表面的问题。 (二）技术方案 为达到上述目的，本专利技术提供了，其中该聚合物电极 不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化； 在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。 上述方案中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料，所述无机材料是A120 3。 上述方案中，所述对介质层或绝缘层表面进行图形化是采用光刻技术或镂版 (shadow mask)技术。 上述方案中，所述保护层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或 聚合物物材料。所述保护层采用的材料，其端基为-0H。所述保护层采用的材料选自氧化硅 Si02、氧化铪Hf02、氧化钛Ti02或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。 上述方案中，所述在该保护层表面制备聚合物电极的过程中产生酸性溶液。 上述方案中，所述聚合物电极是聚批咯polypyrrole。 (三）有益效果 本专利技术提供的这种聚合物电极的制备方法，通过在介质层或绝缘层表面生长保护 层，然后在该保护层表面制备聚合物电极，制得的电极具有结构完整、稳定性好、重复率高 的优点。 【专利附图】【附图说明】 图1是依照本专利技术实施例的制备聚合物电极的方法流程图； 图2至图5是依照本专利技术实施例的制备聚合物电极的工艺流程图，其中： 图2是在介质层表面图形化示意图； 图3是在图形化了的介质层表面沉积保护层示意图； 图4是制备聚合物电极示意图； 图5是剥离后聚合物电极示意图； 其中：1-衬底，2-介质层，3-光刻胶或镂版，4-保护层，5-聚合物电极 【具体实施方式】 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照 附图，对本专利技术进一步详细说明。 如图1所示，图1是依照本专利技术实施例的制备聚合物电极的方法流程图，该聚合物 电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括： 步骤1 :对介质层或绝缘层表面进行图形化； 步骤2 :在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层； 步骤3 :在该保护层表面制备聚合物电极。 其中，所述介质层或绝缘层采用的材料是无机材料，所述无机材料是A120 3。所述 对介质层或绝缘层表面进行图形化是采用光刻技术或镂版（shadow mask)技术。所述保护 层采用的材料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或聚合物物材料。所述保护层采用 的材料，其端基为-0H。所述保护层采用的材料选自氧化硅Si0 2、氧化铪Hf02、氧化钛Ti02 或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。所述在该保护层表面制备聚合物电极的过程中产生酸性溶液。 所述聚合物电极是聚批咯（英文名称：polypyrrole)。 实施例1 :基于Si02保护层的聚合物电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层表面进行光刻； 步骤2、在光刻后的A1203介质层表面生长一层Si0 2保护层； 步骤3、在Si02保护层上进行聚吡咯电极制备； 步骤4、剥离后，制得聚吡咯电极。 实施例2 :基于Hf02保护层的聚合物电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层表面铺上镂版； 步骤2、在铺有镂版的A1203介质层表面生长一层Hf0 2保护层； 步骤3、在Hf02保护层上进行聚吡咯电极制备； 步骤4、去除镂版，制得聚吡咯电极。 实施例3 :基于Ti02保护层的聚合物电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层表面进行光刻； 步骤2、在光刻后的A1203介质层表面生长一层金属钛（Ti); 步骤3、将金属钛表面氧化成保护层Ti02 ; 步骤4、在Ti02保护层上进行聚吡咯电极制备； 步骤5、剥离后，制得聚吡咯电极。 实施例4 :基于PMMA保护层的聚合物电极制备，具体步骤如下所述： 步骤1、在A1203介质层表面铺上镂版； 步骤2、在铺有镂版的A1203介质层表面旋涂一层PMMA保护层； 步骤3、在PMMA保护层上进行聚吡咯电极制备； 步骤4、去除镂版，制得聚吡咯电极。 以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详 细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡 在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保 护范围之内。【权利要求】1. ，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的 表面，该方法包括： 对介质层或绝缘层表面进行图形化； 在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层； 在该保护层表面制备聚合物电极。2. 根据权利要求1所述的聚合物电极的制备方法，其特征在于，所述介质层或绝缘层 采用的材料是无机材料。3. 根据权利要求2所述的聚合物电极的制备方法，其特征在于，所述无机材料是A1203。4. 根据权利要求1所述的聚合物电极的制备方法，其特征在于，所述对介质层或绝缘 层表面进行图形化是采用光刻技术或镂版（shadow mask)技术。5. 根据权利要求1所述的聚合物电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材 料是不与酸性溶液发生化学反应的无机材料或聚合物物材料。6. 根据权利要求5所述的聚合物电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材 料，其端基为-0H。7. 根据权利要求5所述的聚合物电极的制备方法，其特征在于，所述保护层采用的材 料选自氧化硅Si02、氧化铪Hf0 2、氧化钛Ti02或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。8. 根据权利要求1所述的聚合物电极的制备方法，其特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物电极的制备方法，其中该聚合物电极不能直接制备于介质层或绝缘层的表面，该方法包括：对介质层或绝缘层表面进行图形化；在图形化了的介质层或绝缘层表面生长保护层；在该保护层表面制备聚合物电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姬濯宇，郭经纬，刘明，王龙，陆丛研，王伟，李泠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11