一种阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板和显示装置，用于解决现有技术中因检测区薄膜晶体管与显示区域薄膜晶体管的特性差异较大所导致的检测精确度较低的问题。其中所述阵列基板包括：显示区域和位于所述显示区域外围的伪像素区域，所述伪像素区域中设置有第二像素单元，所述伪像素区域包括至少一个检测单元，每一所述检测单元包含一所述第二像素单元，每一所述第二像素单元对应设置有一薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管的各电极分别通过测试线与外部测试设备连接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示器件
，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
阵列工艺是薄膜晶体管液晶显示（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-IXD)装置制造过程中的一个阶段。在阵列工艺中，需要在玻璃基板上形成薄 膜晶体管阵列电路。阵列电路的优劣直接决定了薄膜晶体管液晶显示屏的品质，对于阵列 电路的检测也就成为制造流程中的重要工序。 如图1所示，阵列基板100在制作的前期，包括：显示区域101、走线区域102和周 边区域103。显示区域101包括多个由交错设置的栅线和数据线形成的用于显示的第一像 素单元，每一所述第一像素单元对应一个薄膜晶体管。走线区域102为保证显示区域101 的必需信号元件（例如显示区域101数据线信号的输入走线）电连接。由于显示区域101 的各像素单元的薄膜晶体管受其他图层的干扰，很难对其的性能进行检测，因此，在所述基 板的周边区域103还设置有检测区104,所述检测区104如图2所示，包括由交错设置的栅 线和数据线形成的像素单元，且每一像素单元对应一个薄膜晶体管，用于检测基板上薄膜 晶体管的特性；其中，所述用于测试的薄膜晶体管的各电极通过引线与检测设备连接，参见 图3。当阵列基板与彩膜基板贴合，形成显示面板后，周边区域103 -般会被切掉。 但是在实际生产工艺过程中，检测区中薄膜晶体管的制作与显示区域中薄膜晶体 管的制作有所差异，在显示区域中薄膜晶体管及其信号线的密度大于所述检测区中薄膜晶 体管及其信号线的密度，两个区域中形成薄膜晶体管的工艺环境相差较大，导致两个区域 中的薄膜晶体管由工艺所引起的电性差异非常大，因此制作出来的显示区域的薄膜晶体管 与检测区的薄膜晶体管的相关特性也有较大差异。并且，所述检测区104中的薄膜晶体管 的特性不均匀，检测结果相差较大。 因此，通过检测检测区中的薄膜晶体管的相关特性，并不能真实的反应显示区域 中薄膜晶体管的相关特性，降低了检测的精确度。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板和显示装置，用于解决现有技术中因检测区薄 膜晶体管与显示区域薄膜晶体管的特性差异较大所导致的检测精确度较低的问题。 本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的伪 像素区域，所述伪像素区域中设置有第二像素单元，所述伪像素区域包括至少一个检测单 元，每一所述检测单元包含一所述第二像素单元，每一所述第二像素单元对应设置有一薄 膜晶体管，每一所述薄膜晶体管的各电极分别通过测试线与外部测试设备连接。 本专利技术实施例提供的阵列基板中，包括位于所述显示区域外围的伪像素区域，所 述伪像素区域中设置有用于检测的第二像素单元，每一所述第二像素单元对应设置有一薄 膜晶体管；并且，所述伪像素区域包括至少一个检测单元，每一所述检测单元包含一所述第 二像素单元，所述检测单元中薄膜晶体管的各电极分别通过测试线与外部测试设备连接； 由于所述伪像素区域与所述显示区中薄膜晶体管的位置非常近，且形成所述第二像素单元 的工艺与形成所述第一像素单元的工艺环境非常一致，因此第二像素单元的薄膜晶体管与 第一像素单元的薄膜晶体管之间由工艺所引起的电学特性差异非常小，可近似认为二者具 有相同的电学特性，因此通过检测所述检测单元中的薄膜晶体管的相关特性，能够更加真 实的反应显示区域中的第一像素单元的薄膜晶体管的相关特性，提高检测的精确度。 较佳的，所述每一测试线远离薄膜晶体管的一端均设置有用于与检测探针接触的 探头。 通过在所述每一测试线远离薄膜晶体管的一端均设置有用于与检测探针接触的 探头，使得检测设备的探针可以检测到每一测试线上的信号，进而获取加载到薄膜晶体管 的每一电极上的驱动信号。 较佳的，为所述薄膜晶体管的源极与第一测试线连接，所述薄膜晶体管的漏极与 第二测试线直接连接，为所述薄膜晶体管的栅极提供电信号的栅线与第三测试线连接，通 过所述第一测试线、第二测试线和第三测试线分别检测施加到薄膜晶体管源极、漏极和栅 极上的电信号，并且有利于简化制作工艺。 较佳的，所述每一测试线和与其连接的薄膜晶体管的电极同层设置。 当每一测试线和与其连接的薄膜晶体管的电极同层设置时，有利于简化工艺流 程，节省制作材料，提高生产效率。 较佳的，所述每一检测单元的测试线位于所述伪像素区域的远离所述显示区域的 一侧。 通过将每一检测单元的测试线位于所述伪像素区域的远离所述显示区域的一侧， 可以降低所述测试线对薄膜晶体管的特性造成的影响，提高检测的精确度。 较佳的，所述第二像素单元的密度小于或等于所述第一像素单元的密度。 当所述第二像素单元的密度小于或等于所述第一像素单元的密度，形成所述第二 像素单元的工艺环境与形成第一像素单元的工艺环境相似，有利于降低因工艺环境不同所 造成的薄膜晶体管的特性差异，使检测单元中的薄膜晶体管的检测值能够更加真实的反应 显示区域中的第一像素单元的薄膜晶体管的特性。 较佳的，所述伪像素区域内的第二像素单元以矩阵形式排布。 当所述伪像素区域内的第二像素单元以矩阵形式排布时，其排列方式与显示区域 中的第一像素单元的排布方式相同，使得所述第二像素单元的薄膜晶体管的工艺环境与所 述第一像素单元的薄膜晶体管的工艺更加相似，以减小检测单元中的薄膜晶体管与显示区 域中的薄膜晶体管的特性差异。 本专利技术实施例提供了 一种显示装置，所述显示装置包括上述的阵列基板。 【附图说明】 图1为现有技术中阵列基板的平面结构示意图； 图2为图1所示的阵列基板中检测区的平面结构示意图； 图3为用于检测的薄膜晶体管的各电极的引线的分布示意图； 图4为本专利技术实施例一提供的阵列基板的平面结构示意图； 图5为本专利技术实施例一中检测单元的结构示意图。 【具体实施方式】 本专利技术实施例提供了一种探针器件和检测装置，用于解决现有技术中因受探针主 体的位置限制而导致的不能将测试信号加载到阵列基板中的问题。 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 本专利技术实施例一提供了一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的 伪像素区域，所述伪像素区域中设置有第二像素单元， 所述伪像素区域包括至少一个检测单元，每一所述检测单元包含一所述第二像素 单元，每一所述第二像素单元对应设置有一薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管的各电极分 别通过测试线与外部测试设备连接。 参见图4 ;图4为本专利技术实施例一提供的阵列基板的平面结构示意图，从图4中可 以看出，所述阵列基板包括：显示区域101，位于所述显示区域外围的伪像素区域401，位于 伪像素区域401外围的走线区域102,以及位于所述走线区域外围的周边区域103。 具体的： 所述显示区域101内设置有用于显示的第一像素单元，每一所述第一像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的伪像素区域，所述伪像素区域中设置有第二像素单元，其特征在于，所述伪像素区域包括至少一个检测单元，每一所述检测单元包含一所述第二像素单元，每一所述第二像素单元对应设置有一薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管的各电极分别通过测试线与外部测试设备连接。

【技术特征摘要】
1. 一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的伪像素区域，所述伪像素 区域中设置有第二像素单元，其特征在于， 所述伪像素区域包括至少一个检测单元，每一所述检测单元包含一所述第二像素单 元，每一所述第二像素单元对应设置有一薄膜晶体管，每一所述薄膜晶体管的各电极分别 通过测试线与外部测试设备连接。2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述每一测试线远离薄膜晶体管的一 端均设置有用于与检测探针接触的探头。3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，为所述薄膜晶体管的源极提供电信号 的数据线与第一测试线连接，所述薄膜晶体管的漏极与第二测试线直...

【专利技术属性】
技术研发人员：高玉杰，朴相镇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11