【技术实现步骤摘要】
—种4-(4- 二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体的生长方法
: 本专利技术属于功能材料制备和晶体生长
,具体涉及一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐(C23H26N2O3S,简称DAST晶体)晶体的生长方法,特别是一种大尺寸、闻质量DAST单晶的制备技术。
技术介绍
: 在现有技术中,4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐(DAST)晶体是一种新型的有机非线性光学晶体,具有较大的二阶非线性系数和电光系数,并且具有较长的相干长度和较快的响应,其倍频效应为尿素的1000倍,不但有利于差频相位匹配以及太赫兹波的产生,而且还适合用作对太赫兹波辐射的快速调制和探测。目前,对DAST晶体应用的研究主要集中在通过DAST晶体实现THz辐射上,DAST是迄今为止产生THz效率最高的非线性光学晶体。DAST晶体属于单斜晶系,Ce空间群,传统的自发成核生长方法是晶体在过饱和的状态下自发成核,晶核落到容器底部自由生长,当晶核在生长时,会受到来自容器底应力的影响,从而产生晶格畸变,导致晶体内部有大量的位错和缺陷;而且当晶体自发成核时,很难控制成核数量,在容器底部会有较多的晶核形成,在晶核长大时容易相互粘连,抑制彼此的长大,从而形成多晶或杂晶。所以,自发成核很难生长出大尺寸、高质量的DAST晶体,急需设计一种新型的生长工艺。
技术实现思路
: 本专利技术的目的在于克服现有技术存在的缺点,针对DAST晶体在自发成核生长过程中出现缺陷和杂晶问题,寻求设计提供一种顶部籽晶法生长DAST晶体,将籽晶固定在籽 ...
【技术保护点】
一种4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体的生长方法,其特征在于在4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长装置中实现,其具体生长过程为:(1)、将4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐原料按照4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐:无水甲醇=3:80的重量比完全溶解于分析纯的无水甲醇中得到生长溶液,其生长溶液饱和点温度为42℃;(2)、将生长溶液装入生长瓶中,并将生长瓶采用密封硅胶塞密封后放于水浴玻璃缸中在46‑48℃温度下恒温放置5‑10小时;(3)、将生长溶液自然降温至饱和点温度,并将籽晶固定在籽晶杆的底端上,然后把带有籽晶的籽晶杆放入生长溶液中,同时密封生长瓶,在42℃条件恒温生长5‑10小时;(4)、将生长溶液自然降温至40℃,然后以0.1‑0.2℃/天的降温速率开始降温,经过25‑35天后,停止生长,取出晶体,即为生长得到的4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体。
【技术特征摘要】
1.一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体的生长方法,其特征在于在4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长装置中实现,其具体生长过程为: (1)、将4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐原料按照4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐:无水甲醇=3:80的重量比完全溶解于分析纯的无水甲醇中得到生长溶液,其生长溶液饱和点温度为42°C ; (2)、将生长溶液装入生长瓶中,并将生长瓶采用密封硅胶塞密封后放于水浴玻璃缸中在46-48°C温度下恒温放置5-10小时; (3)、将生长溶液自然降温至饱和点温度,并将籽晶固定在籽晶杆的底端上,然后把带有籽晶的籽晶杆放入生长溶液中,同时密封生长瓶,在42°C条件恒温生长5-10小时; (4)、将生长溶液自然...
【专利技术属性】
技术研发人员:滕冰,钟德高,曹丽凤,孔伟金,冯珂,郝伦,孙箐,
申请(专利权)人:青岛大学,
类型:发明
国别省市:山东;37
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