一种有机发光二极管显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机发光二极管显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的有机发光二极管显示面板和显示装置中由于环境光的反射导致显示对比度降低的问题。本发明专利技术的有机发光二极管显示面板、显示装置，在像素界定区域设有相互匹配的光线聚集单元和光吸收层，能够将入射的环境光通过光线聚集单元聚集至光吸收层上并被吸收，减少显示面板反射出来的环境光，增加显示面板的对比度。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管显示面板和显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种有机发光二极管显示面板、显示装置。
技术介绍
在有机发光二极管显示装置中，环境光会在发光层和金属电极表面上产生强烈反射，在外界背景光较强的条件下，这部分反射光进入观察者的眼睛会使显示器件的对比度明显地降低，影响显示器的显示效果。图1为现有技术中顶发射型有机发光二极管显示装置的显示面板的结构示意图，包括相对设置的第一基板1和第二基板11；所述第一基板1包括多个像素区域12和位于所述像素区域12之间的像素界定区域13；像素区域12包括依次设置在第一基板1上的阳极2、有机发光功能层14、阴极8，有机发光功能层14发出的光从第二基板11射出(图1中箭头所示)；像素界定区域13包括设置在第一基板1上像素界定层6。阴极8覆盖有机发光功能层14和像素界定层6，在阴极8上设有缓冲层9，该缓冲层9与第二基板11接触。通常，有机发光功能层14包括与阳极2连接的第一功能层3(通常包括空穴注入层和电子传输层)，用于发光的发光层4，与阴极连接的第二功能层5(通常包括电子传输层和电子注入层)。外界环境光入射进入第二基板11后会在有机发光功能层14和阴极8的表面产生强烈反射，在外界环境光较强的条件下，这部分反射光进入观察者的眼睛会使显示器件的对比度明显地降低，影响显示器的显示效果。现有技术中采用在显示器件表面上贴上1/4波长偏光片降低有机发光二极管器件表面的反射，用这种方法可以提高对比度，但是1/4波长偏光片吸收或损耗约60％的发光，且偏光片的成本较高。其次，现有技术中还有在有机发光显示装置中增加消光干涉层的技术，这样也能提高对比度，但是要考虑消光干涉层与其他层的最高占有轨道(HighestOccupiedMolecularOrbital)和最低未占有轨道(LowestUnoccupiedMolecularOrbital)能级的匹配关系。再次，现有技术中还有在显示器件中增加一层光吸收层的技术，可以使环境光入射显示器件内部后反射减少，但同时也部分地吸收了有机发光二极管装置发出的光，因此对显示装置对比度的改善并不明显。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有技术的有机发光二极管显示面板显示面板和显示装置中由于环境光的反射导致显示对比度降低的问题，提供一种能提高对比度的显示面板和显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种有机发光二极管显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括多个像素区域和位于所述像素区域之间的像素界定区域；所述像素区域包括设置在所述第一基板上的阳极、有机发光功能层和阴极；所述像素界定区域设置有像素界定层；还包括：与所述像素界定层朝向第二基板的端面位置相匹配的光吸收层，所述光吸收层用于吸收照射光线；与所述光吸收层相匹配设置的光线聚集单元，用于将外界入射在光线聚集单元的光线聚集后照射在所述光吸收层上，以通过所述光吸收层吸收。优选的是，所述光吸收层设置于所述像素界定层朝向所述第二基板的表面。优选的是，所述的光线聚集单元为平面凸透镜；所述平面凸透镜包括接受外界入射光的平面部和聚集光线的凸起部；所述的平面凸透镜的凸起部朝向所述的光吸收层；所述的平面部与所述光吸收层所在的平面平行。优选的是，所述的平面凸透镜为多个且均匀分布于对应所述光吸收层所在的区域。优选的是，所述的阴极覆盖所述有机发光功能层和所述光吸收层。优选的是，在所述阴极上还设有缓冲层，所述平面凸透镜的平面部与所述第二基板接触，所述平面凸透镜的凸起部位于所述的缓冲层中。优选的是，所述的阴极覆盖所述有机发光功能层和所述像素界定层朝向所述第二基板的端面。优选的是，所述光吸收层设置于所述阴极上。优选的是，在所述阴极上和光吸收层上还设有缓冲层，所述平面凸透镜的平面部与所述第二基板接触，所述平面凸透镜的凸起部位于所述的缓冲层中。优选的是，所述的光线聚集单元的材料的折射率大于所述的缓冲层的材料的折射率。优选的是，所述的光线聚集单元的材料的折射率为1.6-2.0，所述的缓冲层的材料的折射率为1.4-1.6。优选的是，所述的平面凸透镜的平面部的直径范围为1-5μm，突起部的高度范围为5-7μm。优选的是，所述的光吸收层采用黑色光吸收材料制作而成。优选的是，所述黑色光吸收材料为黑色环氧树脂、氧化钼、炭黑、亚氧化钛中的任意一种。本专利技术的另一个目的是提供一种显示装置，所述的显示装置包括上述的显示面板。本专利技术的有机发光二极管显示面板和显示装置，在像素界定区域增加了相互匹配的光吸收层和光线聚集单元，通过光线聚集单元将入射至光线聚集单元的环境光聚集至光吸收层上并被吸收，减少有机发光二极管显示面板反射出来的环境光，增加有机发光二极管显示面板的对比度。附图说明图1为现有技术中有机发光二极管发光显示面板的结构示意图。图2为本专利技术实施例1中有机发光二极管发光显示面板的结构示意图。其中：1.第一基板；2.阳极层；3.第一功能层；4.发光层；5.第二功能层；6.像素界定层；7.光吸收层；8.阴极；9.缓冲层；10.平面凸透镜；11.第二基板；12.像素区域；13.像素界定区域；14.有机发光功能层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1如图2所示，本实施例提供一种有机发光二极管显示面板，包括相对设置的第一基板1和第二基板11；第一基板1包括多个像素区域12和位于像素区域12之间的像素界定区域13；像素区域12包括依次设置在第一基板1上的阳极2、有机发光功能层14、阴极8，有机发光功能层14发出的光从第二基板11射出(图2中箭头所示)；像素界定区域13包括设置在第一基板1上像素界定层6；第一基板1还包括：与所述像素界定层6朝向第二基板11的端面位置相匹配的光吸收层7，所述光吸收层7用于吸收照射光线；与所述光吸收层7相匹配设置的光线聚集单元10，用于将外界入射在光线聚集单元的光线聚集后照射在所述光吸收层7上，以通过所述光吸收层吸收。本专利技术的有机发光二极管显示面板在像素界定区域13增加了相互匹配的光吸收层7和光线聚集单元10，通过光线聚集单元10将入射至光线聚集单元10的环境光聚集至光吸收层7上并被吸收，减少有机发光二极管显示面板反射出来的环境光，增加有机发光二极管显示面板的对比度。具体地，光吸收层7采用黑色光吸收材料制作而成；优选的，黑色光吸收材料为黑色环氧树脂、氧化钼、炭黑、亚氧化钛中的任意一种。应当理解的是，上述的黑色光吸收材料用于吸收光线，可以为多种不限于本实施例所述，光吸收层7可通过涂覆或其他方法在像素界定层朝向第二基板的端面形成上述黑色光吸收材料，并通过构图工艺形成相应的图案。上述的光线聚集单元可以为多种结构，例如可以为凸透镜、透镜阵列或其他具有光线聚集功能的结构，在此不做限定。优选的，光吸收层7在第二基板11上的投影面积与像素界定层6朝向第二基板11的端面在第二基板11上的投影面积相等。这样，光吸收层7最大程度的利用像素界定层6的面积，同时，不影响像素区域12的显示。优选的，光线聚集单元10和光吸收层7在第二基板11上的投影面积相等。这样保证光线聚集单元10能够将聚集的光线投射在光吸收层7，而不是投射在有机发光功能层14本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括多个像素区域和位于所述像素区域之间的像素界定区域；所述像素区域包括设置在所述第一基板上的阳极、有机发光功能层和阴极；所述像素界定区域设置有像素界定层；其特征在于，还包括：与所述像素界定层朝向第二基板的端面位置相匹配的光吸收层，所述光吸收层用于吸收照射光线；与所述光吸收层相匹配设置的光线聚集单元，用于将外界入射在光线聚集单元的光线聚集后照射在所述光吸收层上，以通过所述光吸收层吸收。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示面板，包括相对设置的第一基板和第二基板；所述第一基板包括多个像素区域和位于所述像素区域之间的像素界定区域；所述像素区域包括设置在所述第一基板上的阳极、有机发光功能层和阴极；所述像素界定区域设置有像素界定层；其特征在于，还包括：与所述像素界定层朝向第二基板的端面位置相匹配的光吸收层，所述光吸收层用于吸收照射光线；与所述光吸收层相匹配设置的光线聚集单元，用于将外界入射在光线聚集单元的光线聚集后照射在所述光吸收层上，以通过所述光吸收层吸收；所述光线聚集单元和光吸收层在所述第二基板上的投影面积相等。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光吸收层设置于所述像素界定层朝向所述第二基板的表面。3.如权利要求1或2所述的显示面板，其特征在于，所述的光线聚集单元为平面凸透镜；所述平面凸透镜包括接受外界入射光的平面部和聚集光线的凸起部；所述的平面凸透镜的凸起部朝向所述的光吸收层；所述的平面部与所述光吸收层所在的平面平行。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述的平面凸透镜为多个且均匀分布于对应所述光吸收层所在区域。5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阴极覆盖所述有机发光功能层和所述光吸收层。6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述阴极上还设有缓冲层，所述平面凸透镜的平面部与所述第二基板接触，所述平面凸透镜的凸起部位于所述的缓冲层中。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋莹莹，崔颖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11