彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置，包括：衬底基板以及形成在所述衬底基板一侧的位于彩色子像素区域中的单层彩色膜层，和位于一部分所述彩色子像素区域之间的由多个单层彩色膜层层叠而成的彩色叠膜层；所述彩膜基板还包括位于另一部分所述彩色子像素区域之间的隔垫物，以及覆盖在所述彩色叠膜层表面的辅助电极层；所述隔垫物的顶面高于彩色叠膜层的顶面，所述隔垫物在高度方向可被弹性压缩。本发明专利技术避免了屏幕过大时内部压力不匀而无法正常使用的问题，应用于OLED的显示，可以有效减少辅助电极层ITO材料和阴极材料的破损，并且能够保证良好的导电作用。

【技术实现步骤摘要】
彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
目前，白光有机发光二极管(white organic light-emitting d1des,WOLED) +彩膜基板(Color Filter, CF)技术采用顶发射电致发光(electroluminescent, EL),具有开口率闻等优点，已经被业界关注。 现有技术中的WOLED阵列基板基本结构如图1所示，其中I为阵列衬底基板；2为栅极；3为栅极绝缘层；4为有源层；5为刻蚀阻挡层；6为源漏层；7为钝化层；8为树脂绝缘层；9为像素电极(ITO)层，此处像素电极层用作阳极；10为发光材料；11为阴极材料；12为像素界定层。彩膜基板的基本结构如图2所示:13为衬底基板；14为黑矩阵；15为彩色滤光片；16为绝缘材料层；17为金属线；18为隔垫物(Photo spacer, PS) ；19为ITO辅助电极层。 由于W0LED+CF要求阵列基板和彩膜基板之间的间隙必须足够大，需要形成高度较高的PS并在PS上形成ITO薄膜。但是这样会使得压盒时PS上披覆的ITO易断裂，辅助电极的作用不明显，同时还会造成阴极的破损，不利于EL材料的发光。图3为压盒时PS材料在阴极表面造成破损的形貌示意图，图中a处即为阴极材料处微观可观测到的裂纹。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题 本专利技术提供一种彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置，以解决现有技术中压盒工艺后阴极材料和ITO易破损的技术问题。 ( 二 )技术方案 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种彩膜基板，包括:衬底基板以及形成在所述衬底基板一侧的位于彩色子像素区域中的单层彩色膜层，和位于一部分所述彩色子像素区域之间的由多个单层彩色膜层层叠而成的彩色叠膜层； 所述彩膜基板还包括位于另一部分所述彩色子像素区域之间的隔垫物，以及覆盖在所述彩色叠膜层表面的辅助电极层；所述隔垫物的顶面高于所述彩色叠膜层的顶面，所述隔垫物在高度方向可被弹性压缩。 进一步地， 所述单层彩色膜层包括红色膜层、蓝色膜层、绿色膜层。 进一步地， 所述彩色叠膜层为红色膜层、蓝色膜层和绿色膜层中的两种或两种以上的叠层。 进一步地， 所述隔垫物的分布密度小于所述彩色叠膜层的分布密度。 进一步地， 所述隔垫物的坡度大于所述彩色叠膜层的坡度。 进一步地， 所述隔垫物和所述单层彩色膜层之间包括辅助电极层； 和/或，所述隔垫物表面包括辅助电极层。 另一方面，本专利技术还提供一种显示面板，包括:对盒的阵列基板和如上任一项所述的彩膜基板，所述隔垫物处于在高度方向被压缩的状态使所述彩色叠膜层表面的辅助电极层与所述阵列基板的阴极接触。 再一方面，本专利技术还提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。 再一方面，本专利技术还提供一种彩膜基板制作方法，包括: 在衬底基板的一侧依次形成各单层彩色膜层，其中在每个彩色子像素区域中形成一个单层彩色膜层，在一部分所述彩色子像素区域之间通过使多个单层彩色膜层层叠形成彩色叠膜层； 在另一部分所述彩色子像素区域之间形成隔垫物； 在所述彩色叠膜层表面形成辅助电极层，其中，所述隔垫物的顶面高于所述彩色叠膜层的顶面，所述隔垫物在高度方向可被弹性压缩。 进一步地， 所述单层彩色膜层包括红色膜层、蓝色膜层、绿色膜层。 进一步地， 所述彩色叠膜层由红色膜层、蓝色膜层和绿色膜层中的两种或两种以上层叠而成。 进一步地，所述在另一部分所述彩色子像素区域之间形成隔垫物；在所述彩色叠膜层表面形成辅助电极层还包括: 在单层彩色膜层上形成隔垫物；在所述单层彩色膜层、彩色叠膜层和隔垫物的表面形成辅助电极层； 或，在所述单层彩色膜层和彩色叠膜层表面形成辅助电极层；在所述辅助电极层上形成隔垫物。 进一步地， 所述隔垫物的分布密度小于所述彩色叠膜层的分布密度。 进一步地， 所述隔垫物的坡度大于所述彩色叠膜层的坡度。 (三)有益效果 可见，在本专利技术提供的彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置中，利用了高度较高的隔垫物和高度较低的彩色叠膜层共同起到支撑作用，避免了屏幕过大时内部压力不匀，导致屏幕形变过大而无法正常使用的问题。本专利技术实施例应用于OLED的显示，可以有效减少辅助电极层ITO材料和阴极材料的破损，并且能够保证良好的导电作用。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1是现有技术中WOLED阵列基板基本结构示意图； 图2是现有技术中WOLED彩I吴基板基本结构不意图； 图3是现有技术中WOLED压盒后阴极表面破损不意图； 图4是本专利技术实施例彩膜基板的基本结构示意图； 图5是本专利技术实施例彩膜基板的俯视图； 图6是本专利技术实施例显示面板的结构示意图； 图7是本专利技术实施例彩膜基板的制作方法基本流程示意图； 图8是本专利技术实施例彩膜基板的制作方法一种优选流程的结构示意图； 图9是本专利技术实施例彩膜基板的制作方法一种优选流程的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另夕卜，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。 可以理解，执行本专利技术实施例所披露的每个制造方法的操作步骤的顺序不限于这里阐述的，除非具体地另外提及。因此，执行本专利技术实施例所披露的每个制造方法的操作步骤的顺序可以在本专利技术实施例的范围内变化，且对于本专利技术实施例相关领域的普通技术人员显而易见的结果也将被认为在本专利技术实施例的范围内。 本专利技术实施例首先提供一种彩膜基板，参见图4，包括:衬底基板13以及形成在衬底基板13 —侧的位于彩色子像素区域中的单层彩色膜层20，和位于一部分彩色子像素区域之间的由多个单层彩色膜层层叠而成的彩色叠膜层21 ； 彩膜基板还包括位于另一部分彩色子像素区域之间的隔垫物18，以及覆盖在彩色叠膜层21表面的辅助电极层19 ;隔垫物18的顶面高于彩色叠膜层21的顶面，隔垫物18在高度方向可被弹性压缩。 本专利技术实施例中，采用隔垫物18和彩色叠膜层21间隔分布的方式，其中，隔垫物18高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩膜基板，其特征在于，包括：衬底基板以及形成在所述衬底基板一侧的位于彩色子像素区域中的单层彩色膜层，和位于一部分所述彩色子像素区域之间的由多个单层彩色膜层层叠而成的彩色叠膜层；所述彩膜基板还包括位于另一部分所述彩色子像素区域之间的隔垫物，以及覆盖在所述彩色叠膜层表面的辅助电极层；所述隔垫物的顶面高于所述彩色叠膜层的顶面，所述隔垫物在高度方向可被弹性压缩。

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板，其特征在于，包括:衬底基板以及形成在所述衬底基板一侧的位于彩色子像素区域中的单层彩色膜层，和位于一部分所述彩色子像素区域之间的由多个单层彩色膜层层叠而成的彩色叠膜层； 所述彩膜基板还包括位于另一部分所述彩色子像素区域之间的隔垫物，以及覆盖在所述彩色叠膜层表面的辅助电极层；所述隔垫物的顶面高于所述彩色叠膜层的顶面，所述隔垫物在高度方向可被弹性压缩。2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于: 所述单层彩色膜层包括红色膜层、蓝色膜层、绿色膜层。3.根据权利要求2所述的彩膜基板，其特征在于: 所述彩色叠膜层为红色膜层、蓝色膜层和绿色膜层中的两种或两种以上的叠层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的彩膜基板，其特征在于: 所述隔垫物的分布密度小于所述彩色叠膜层的分布密度。5.根据权利要求1至3中任一项所述的彩膜基板，其特征在于: 所述隔垫物的坡度大于所述彩色叠膜层的坡度。6.根据权利要求 1至3中任一项所述的彩膜基板，其特征在于: 所述隔垫物和所述单层彩色膜层之间包括辅助电极层； 和/或，所述隔垫物表面包括辅助电极层。7.—种显示面板，其特征在于，包括:对盒的阵列基板和如权利要求1至6中任一项所述的彩膜基板，所述隔垫物处于在高度方向被压缩的状态使所述彩色叠膜层表面的辅助电极层与所述阵列基板的阴极接触。8.—种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏达，王东方，林俊仪，方金钢，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11