有机发光二极管显示装置及其制造方法制造方法及图纸

一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。所公开的有机发光二级管显示装置其包括：扫描线、数据线和电源线，彼此交叉并且被布置为限定像素区域；开关薄膜晶体管，布置在扫描线和数据线的交叉处；有机发光二极管，布置在像素区域中；驱动薄膜晶体管，布置在电源线和有机发光二极管之间；以及存储电容器，布置为临近有机发光二极管并被配置为充入由数据线施加的数据信号。所述存储电容器包括多个子存储电容器，在所述多个子存储电容器中多个存储电极被彼此交替地堆叠。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置及其制造方法
本申请涉及一种有机发光二极管显示装置及其制造方法。
技术介绍
近来，相对于阴极射线管(CRT)的缺点，具有减少的重量和体积的平板显示装置得到了发展。该平板显示装置包括液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、等离子体显示板(PDP)、有机发光二极管显示(OLED)装置等。OLED装置是使用介于电极之间的薄发光层的自发光装置。因而，OLED装置可以变得比纸更薄。这样的OLED装置穿过基板发射光并显示图像。为此目的，OLED装置包括配置有多个像素区域、单元驱动阵列以及有机发光阵列的封装的基板。多个像素区域各自包括三种颜色的(即，红色、绿色和蓝色)子像素。此外，多个像素区域排列为矩阵形状。为了实现各种颜色，OLED装置采用发射红色、绿色和蓝色光的有机发光层。每个有机发光层插入在两个电极之间并且形成有机发光二极管(OLED)。而且，OLED装置包括用于传输视频信号的多条数据线、用于传输驱动信号的多条选通线以及用于将电源电压传输给有机发光二极管的多条电源线。多条数据线、选通线以及电源线互相交叉并限定多个像素区域。而且，OLED装置包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容器以及布置在各个像素区域中的有机发光二极管OLED。由于最近对于高清晰度和高速响应特性的需求，OLED装置中的像素区域必须是狭窄的。因而，该像素区域难以确保足够的开口率。而且，高速响应要求在OLED装置中使用薄膜晶体管。而且，为了增强图片(或图像)质量，必须在该像素区域中布置能够充分地存储数据信号(或视频信号)的高容量存储电容器。然而，为了给像素区域提供高电容，存储电容器的电极面积必须扩大。因而，像素区域的开口率与此相反地减小。因此，需要开发实现确保像素区域的足够开口率的大容量存储电容器的技术。
技术实现思路
因此，本申请的致力于在OLED装置及其制造方法上，其基本上消除了归因于相关技术的限制和缺点的一个或多个问题。实施方式提供了一种OLED装置及其制造方法，其通过在像素区域中形成具有双栅极结构的薄膜晶体管适合于实现具有高速响应特性的开关元件。而且，实施方式提供OLED装置及其制造方法，通过在像素区域中的存储电容器区域中堆叠多个存储电极，其适合于实现相对于占用面积来说更大的存储电容。实施方式的附加特征和优点将在随后的说明书中阐明，并且部分将从说明书中展现，或可通过实施方式的实践了解。实施方式的优点将通过在撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和完成。根据本实施方式的总的方面，OLED装置包括：扫描线、数据线和电源线，所述扫描线、数据线和电源线彼此交叉并且被布置为限定像素区域；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管被布置在所述扫描线和所述数据线的交叉处；有机发光二极管，所述有机发光二极管被布置在所述像素区域中；驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管被布置在所述电源线和所述有机发光二极管之间；以及存储电容器，所述存储电容器被布置为临近所述有机发光二极管并被配置为充入由所述数据线施加的数据信号。所述存储电容器包括多个子存储电容器，在所述多个子存储电容器中多个存储电极被彼此交替地堆叠。根据本实施方式的另一个总的方面，一种OLED装置的制造方法包括：制备基板，在所述基板中限定了有机发光二极管区域和存储电容器区域；在所述基板上形成第一栅极和第一存储电极；在设置有所述第一栅极的所述基板上顺序地形成第一栅极绝缘膜和氧化物半导体层；在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一栅极相对的沟道层，并且在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一存储电极相对的第二存储电极；在设置有所述沟道层的所述基板上顺序地形成第二栅极绝缘膜和金属膜；在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述沟道层相对的第二栅极，并且在所述存储电容器区域中在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述第二存储电极相对的第三存储电极；在设置有所述第二栅极的所述基板上形成层间绝缘膜；针对所述层间绝缘膜执行接触孔形成处理；形成与所述沟道层电连接的源极和漏极，并且在所述层间绝缘膜上形成与所述第三存储电极相对的第四存储电极；在设置有所述源极和漏极的所述基板上形成钝化膜；以及在所述钝化膜上形成与所述第四存储电极相对的第五存储电极。根据本实施方式的又一个总的方面，一种OLED装置的制造方法包括：制备基板，在所述基板中定义了有机发光二极管区域和存储电容器区域；在所述基板上形成第一栅极和第一存储电极；在设置有所述第一栅极的所述基板上顺序地形成第一栅极绝缘膜和氧化物半导体层；在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一栅极相对的有源层，并且在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一存储电极相对的有源图案；在设置有所述有源层的所述基板上形成第二栅极绝缘膜；在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述有源层相对的遮蔽图案；通过针对所述有源图案执行光照射处理和等离子处理中的一种来形成第二存储电极并提高所述有源图案的导电性；在设置有所述第二栅极绝缘膜的所述基板上形成金属膜；在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述有源层相对的第二栅极，并且在所述存储电容器区域中在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述第二存储电极相对的第三存储电极；在设置有所述第二栅极的所述基板上形成层间绝缘膜；针对所述层间绝缘膜执行接触孔形成处理；形成与所述有源层电连接的源极和漏极，并且在所述层间绝缘膜上形成与所述第三存储电极相对的第四存储电极；在设置有所述源极和漏极的所述基板上形成钝化膜；以及在所述钝化膜上形成与所述第四存储电极相对的第五存储电极。其它的系统、方法、特征以及优点对于本领域技术人员来说在研究随后的图形和详细说明书的基础上将是或将变得明白。意欲将所有这样的附加系统、方法、特征以及优点包括在这个说明书中，包括在本公开的范围内，并且由随后的权利要求保护。在这个部分没有把其理解为对那些权利要求的限制。进一步的方案和优点下面结合实施方式讨论。应当理解本文的前述的通用说明书和随后的详细说明书是示例性的和解释性的并意欲提供如本文所要求的进一步的解释。附图说明包括附图以提供对实施方式的进一步的理解，附图被并入于此并且构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并与说明书一起用于解释本公开。在图中：图1是示出根据本公开的一种实施方式的OLED装置的像素结构的平面图；图2是示出图1的像素结构的等效电路图；图3A到图3E是例示了OLED装置的制造方法并且沿着图1中的线I-I’和II-II’所得到的剖面图；图4A是例示了用于根据本公开的一种实施方式的OLED装置的在双栅极结构的薄膜晶体管中的电容器的连接结构的剖面图；图4B是例示了双栅极、顶栅极和底部薄膜晶体管的电容特性相对于电场的数据对照图表；图5是示出了根据本公开的一种实施方式的OLED装置中的存储电容器区域的并联结构的剖面图；图6A到图6F是例示了根据本公开的另一种实施方式的OLED装置的制造方法的剖面图；图7是例示了使用氧化物半导体层作为电容器电极的普通薄膜晶体管的电容特性的数据图表；图8A和图8B是例示了根据本公开的另一种实施方式的由对氧化物半导体层进行等离子体处理所实现的导电性增强原理的图；图9是例示了具有根据本公开的另一种实施方式的经等离子体处理的氧化物半导体层的薄膜晶体管和具有普通氧化物半导体层的薄膜晶体管的数据对照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二级管显示装置，所述有机发光二级管显示装置包括：扫描线、数据线和电源线，所述扫描线、数据线和电源线彼此交叉并且被布置为限定像素区域；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管被布置在所述扫描线和所述数据线的交叉处；有机发光二极管，所述有机发光二极管被布置在所述像素区域中；驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管被布置在所述电源线和所述有机发光二极管之间；以及存储电容器，所述存储电容器被布置为临近所述有机发光二极管并被配置为充入由所述数据线施加的数据信号，其中，所述存储电容器包括多个子存储电容器，在所述多个子存储电容器中多个存储电极被彼此交替地堆叠。

【技术特征摘要】
2013.03.26 KR 10-2013-0031852;2013.07.31 KR 10-2011.一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：扫描线、数据线和电源线，所述扫描线、所述数据线和所述电源线彼此交叉并且被布置为限定像素区域；开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管被布置在所述扫描线和所述数据线的交叉处；有机发光二极管，所述有机发光二极管被布置在所述像素区域中；驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管被布置在所述电源线和所述有机发光二极管之间；以及存储电容器，所述存储电容器被布置为临近所述有机发光二极管并被配置为充入由所述数据线施加的数据信号，其中，所述存储电容器包括多个子存储电容器，在所述多个子存储电容器中多个存储电极被彼此交替地堆叠，其中：所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极、第三存储电极、第四存储电极和第五存储电极；并且所述子存储电容器包括形成在所述第一存储电极到所述第五存储电极之间的第一子存储电容器、第二子存储电容器、第三子存储电容器和第四子存储电容器。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括感测薄膜晶体管，所述感测薄膜晶体管连接在所述驱动薄膜晶体管和所述有机发光二极管之间，所述感测薄膜晶体管被配置为控制所述驱动薄膜晶体管的接地状态。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管各自包括由氧化物半导体层形成的沟道层。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中所述第一存储电极、所述第三存储电极和所述第五存储电极彼此电连接；所述第二存储电极和所述第四存储电极彼此电连接；并且所述第一子存储电容器到所述第四子存储电容器彼此并联连接。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管形成为双栅极结构，所述双栅极结构包括第一栅极和第二栅极，在所述第一栅极和所述第二栅极之间具有沟道层。6.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，该方法包括：制备基板，在所述基板中限定了有机发光二极管区域和存储电容器区域；在所述基板上形成第一栅极和第一存储电极；在设置有所述第一栅极的所述基板上顺序地形成第一栅极绝缘膜和氧化物半导体层；在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一栅极相对的沟道层，并且在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一存储电极相对的第二存储电极；在设置有所述沟道层的所述基板上顺序地形成第二栅极绝缘膜和金属膜；在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述沟道层相对的第二栅极，并且在所述存储电容器区域中在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述第二存储电极相对的第三存储电极；在设置有所述第二栅极的所述基板上形成层间绝缘膜；针对所述层间绝缘膜执行接触孔形成处理；形成与所述沟道层电连接的源极和漏极，并且在所述层间绝缘膜上形成与所述第三存储电极相对的第四存储电极；在设置有所述源极和漏极的所述基板上形成钝化膜；以及在所述钝化膜上形成与所述第四存储电极相对的第五存储电极。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述沟道层由所述氧化物半导体层形成。8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第二栅极和所述第三存储电极的步骤包括：湿法刻蚀处理，所述湿法刻蚀处理用于刻蚀所述金属膜以形成所述第二栅极和所述第三存储电极；以及干法刻蚀处理，所述干法刻蚀处理用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：金永俊，赵宝敬，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR