用于在多芯片模块中提供电容的设备及方法技术

本发明专利技术揭示在多芯片模块中为电力供应电压提供电容的设备、多芯片模块、电容芯片及方法。在实例性多芯片模块中，信号分布组件可经配置以提供电力供应电压。电容芯片可耦合到所述信号分布组件且包含多个电容单元。所述电容芯片可经配置以为所述电力供应电压提供电容。所述多个电容单元可由存储器单元电容器形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请案交叉参考本申请案主张于2012年I月27日提出申请的第13/359，769号美国非临时申请案的优先权，所述申请案的全文出于任何目的以引用方式并入本文中。
本专利技术涉及多芯片存储器，且更具体来说，在一或多个实施例中涉及多芯片模块的电容芯片。
技术介绍
半导体装置的设计的改进一贯地涉及此些装置的操作频率及容量两者的增加。在许多情况中，这些改进是在这些装置的大小具有很少增加(如果不是减小)的情况下进行的。因此，这些装置中的每一者上的组件(例如晶体管)的密度已极大地增加。然而，在此方面的进步已然具有其本身的众多缺点。举例来说，随着半导体装置的操作频率及容量已增加，从晶体管切换的增加产生的噪声量也已增加，由于与较高频率及较低电力供应电压相关联的信号边际的减小，此是更加难以解决的缺点。 已被用以减少不需要的噪声的一种典型方法是解耦电容器的使用。因此，可从提供到半导体装置及在半导体装置中得到的电力供应电压过滤高频率信号。特定来说，在多芯片模块的情况下，电容器已被放置于相应裸片上，但遭受裸片表面积的物理限制。部分地由于这些电容器通常为金属-绝缘体-金属(MIM)或金属-氧化物-半导体电容器(MOSCAP)，因此为提供充足电容，这些电容器的所要大小有时太大以至于所述电容器并不能定位于任何地方，只能定位于裸片堆叠的最上部位置。此外，在一些情况中，与多芯片模块物理兼容的最大电容器可仍不能提供所要量的电容。 因此，需要一种为多芯片模块提供充足电容的电容装置。
技术实现思路
提供一种实例性多芯片模块。一种实例性多芯片模块可包含:信号分布组件，其经配置以提供电力供应电压；及电容芯片，其耦合到所述信号分布组件且具有多个电容单元，所述电容芯片经配置以为所述电力供应电压提供电容，其中所述多个电容单元由存储器单兀电容器形成。 实例性多芯片模块可包含耦合到所述信号分布组件或所述电容芯片中的至少一者的集成电路芯片，所述集成电路芯片经配置以接收所述电力供应电压。 在一些实例性多芯片模块中，所述集成电路芯片可包括经配置以提供存储器命令的控制器。 在一些实例性多芯片模块中，所述集成电路芯片可包括经配置以调整所述电容的量值的控制器。 在一些实例性多芯片模块中，所述控制器进一步经配置以启用及停用所述多个电容单元中的一电容单元。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片可包括专用电容芯片。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片可经配置以电容性地隔离所述集成电路芯片与所述信号分布组件。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片可包括多个穿硅通孔。 提供一种实例性设备。一种实例性设备可包含:第一电容芯片，其具有第一多个电容单元，其中所述第一多个电容单元经配置以提供第一电容；及第二电容芯片，其耦合到所述第一电容芯片且具有第二多个电容单元，其中所述第二多个电容单元经配置以提供第二电容，其中所述第二电容芯片包含多个通孔，所述多个通孔经配置以通过所述第二电容芯片耦合电力供应电压。 在一些实例性设备中，所述第一电容芯片可包括可编程电路。 在一些实例性设备中，所述第一电容芯片可包括经配置以控制所述可编程电路以调整所述第一电容的控制器。 在一些实例性设备中，所述第一与第二电容芯片可通过多个裸片互连件耦合。 一些实例性设备可包含经配置以与外部控制器介接的集成电路芯片。 在一些实例性设备中，所述第一电容芯片可经配置以存储电荷且将电荷提供到所述集成电路芯片。 在一些实例性设备中，所述集成电路芯片可耦合到所述第一及第二电容芯片，所述集成电路芯片进一步经配置以在所述第一与第二电容芯片之间耦合所述电力供应电压。 在一些实例性设备中，所述第一及第二电容可至少部分地基于相应电力供应电压的信号特性。 提供实例性多芯片模块。一种实例性多芯片模块可包含:集成电路芯片，其包含经配置以提供存储器命令的控制器；及电容芯片，其包含耦合到所述集成电路芯片的电容单元群组，其中所述电容单元群组包括经配置以耦合到电力供应电压的多个电容单元。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片可包含经配置以将所述多个电容单元中的一电容单元与所述电力供应电压耦合及解耦的控制器。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片可为专用电容芯片。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片包括多个通孔。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容芯片可具有小于所述集成电路芯片的表面。 在一些实例性多芯片模块中，所述电容单元群组的电容可至少部分地基于所述电力供应电压的信号特性。 提供一种实例性电容芯片。一种实例性电容芯片可包含:多个通孔，其经配置以将来自第一组裸片互连件的多个信号耦合到第二组裸片互连件；及多个电容单元，其经配置以提供多个电容，其中所述多个通孔及所述多个电容单元以均匀分布布置。 在一些实例性电容芯片中，所述通孔可包括穿硅通孔。 [0031 ] 在一些实例性电容芯片中，所述多个电容单元可进一步经配置以存储电荷且将电荷提供到以堆叠配置耦合到所述电容芯片的集成电路芯片。 在一些实例性电容芯片中，所述多个电容单元可包括第一电容单元群组及第二电容单元群组，所述第一电容单元群组通过熔丝、反熔丝、开关或其组合耦合到所述第二电容单元群组。 提供在多芯片模块中用于为电力供应电压提供电容的方法。一种实例性方法可包含:在所述多芯片模块中的电容芯片处接收电力供应电压；使用所述电容芯片的电容单元为所述电力供应电压提供电容；及将所述电力供应电压提供到集成电路芯片。 在实例性方法中，所述集成电路芯片可包括经配置以通过所述集成电路芯片耦合所述电力供应电压的多个通孔。 实例性方法可包含在所述接收电力供应电压之前编程所述电容芯片。 实例性方法可包含至少部分地基于所述电力供应电压而调整所述电容。 实例性方法可包含调整所述电容芯片与所述集成电路芯片之间的电阻。 【附图说明】 图1图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块的分解透视图。 图2图解说明根据本专利技术的实施例的电容芯片的透视图。 图3图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块的分解透视图。 图4图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块的分解透视图。 图5图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块的分解透视图。 图6A到6D图解说明根据本专利技术的实施例的电容芯片的平面图。 图7图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块的分解透视图。 图8图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块的分解透视图。 【具体实施方式】 下文阐明特定细节以提供对本专利技术的实施例的充分理解。然而，所属领域的技术人员将明了，可在没有这些特定细节的情况下实践本专利技术的实施例。此外，本文中所描述的本专利技术的特定实施例以实例方式提供且不应用以将本专利技术的范围限制于这些特定实施例。在其它例子中，未详细地展示众所周知的电路、控制信号、时序协议及软件操作以避免不必要地使本专利技术模糊。 图1图解说明根据本专利技术的实施例的多芯片模块100的分解透视图。多芯片模块100可包含可以堆叠配置布置的信号分布组件106、集成电路(IC)芯片104及电容芯片102。在一个实施例中，可将信号分布组件106耦合到在半导体衬底上的迹线(例如，经由导电球、焊料凸块(两者均未展示)，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片模块，其包括信号分布组件，其经配置以提供电力供应电压；及电容芯片，其耦合到所述信号分布组件且具有多个电容单元，所述电容芯片经配置以为所述电力供应电压提供电容，其中所述多个电容单元由存储器单元电容器形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.27 US 13/359,7691.一种多芯片模块，其包括 信号分布组件，其经配置以提供电力供应电压；及 电容芯片，其耦合到所述信号分布组件且具有多个电容单元，所述电容芯片经配置以为所述电力供应电压提供电容，其中所述多个电容单元由存储器单元电容器形成。2.根据权利要求1所述的多芯片模块，其进一步包括: 集成电路芯片，其耦合到所述信号分布组件或所述电容芯片中的至少一者，所述集成电路芯片经配置以接收所述电力供应电压。3.根据权利要求2所述的多芯片模块，其中所述集成电路芯片包括经配置以提供存储器命令的控制器。4.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中所述电容芯片进一步包括经配置以调整所述电容的量值的控制器。5.根据权利要求3所述的多芯片模块，其中所述控制器进一步经配置以启用及停用所述多个电容单元中的一电容单元。6.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中所述电容芯片为专用电容芯片。7.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中所述电容芯片经配置以电容性地隔离所述集成电路芯片与所述信号分布组件。8.根据权利要求1所述的多芯片模块，其中所述电容芯片包括多个穿硅通孔。9.一种设备，其包括: 第一电容芯片，其具有第一多个电容单元，其中所述第一多个电容单元经配置以提供第一电容；及 第二电容芯片，其耦合到所述第一电容芯片且具有第二多个电容单元，其中所述第二多个电容单元经配置以提供第二电容，其中所述第二电容芯片包含多个通孔，所述多个通孔经配置以通过所述第二电容芯片耦合电力供应电压。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一电容芯片包括可编程电路。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一电容芯片进一步包括经配置以控制所述可编程电路以调整所述第一电容的控制器。12.根据权利要求9所述的设备，其中所述第一与第二电容芯片通过多个裸片互连件耦合。13.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括: 集成电路芯片，其经配置以与外部控制器介接。14.根据权利要求13所述的设备，其中所述第一电容芯片经配置以存储电荷且将电荷提供到所述集成电路芯片。15.根据权利要求13所述的设备，其中所述集成电路芯片耦合到所述第一及第二电容芯片，所述集成电路芯片进一步经配置以在所述第一与第二电容芯片之间耦合所述电力供应电压。16.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西·M·霍利斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US