一种移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板以及显示器制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板以及显示器
本专利技术涉及显示器驱动技术，尤其涉及一种移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板以及显示器。
技术介绍
阵列基板行驱动（GateDriveonArray，GOA）技术是一种将液晶显示器栅极驱动电路（GateDriverIC）集成在阵列（Array）基板上的技术。相比传统的覆晶薄膜（ChipOnFlex,or,ChipOnFilm,COF）技术和芯片被直接绑定在玻璃上（ChiponGlass，COG）技术，GOA技术有以下优点：（1）将栅极驱动电路集成在阵列基板上，能有效降低生产成本；（2）省去绑定（bonding）良率工艺，能使产品良率和产能得到提升；（3）省去栅极驱动电路绑定（gateICbonding）区域，使显示面板（panel）具有对称结构，能实现显示面板的窄边框化。GOA技术存在诸多优点，但GOA技术也存在栅极高电平驱动范围VghMargin不足、高温横线不良H-line及异常显示（AbnormalDisplay）等问题；而造成这些问题的主要原因是充电阶段中PU（PullUp）节点电压拉升不高、以及消除噪...
【技术保护点】
一种移位寄存器单元，包括：依次连接的信号输入端、缓冲模块、复位模块，所述复位模块连接复位端、电源端和下拉模块，所述下拉模块连接复位端、电源端和信号生成模块，所述信号生成模块连接时钟、信号输出端和缓冲模块；其中，所述缓冲模块包括第一薄膜晶体管，所述复位模块包括第二薄膜晶体管，所述信号生成模块包括第三薄膜晶体管、以及与第三薄膜晶体管连接的电容，所述电容的一端与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，电容的另一端分别与第三薄膜晶体管的源极、信号输出端连接，所述下拉单元包括第四薄膜晶体管；其特征在于，所述移位寄存器单元还包括保持模块，所述保持模块包括第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管；所述第五薄...
【技术特征摘要】
1.一种移位寄存器单元，包括：依次连接的信号输入端、缓冲模块、复位模块，所述复位模块连接复位端、电源端和下拉模块，所述下拉模块连接复位端、电源端和信号生成模块，所述信号生成模块连接时钟、信号输出端和缓冲模块；其中，所述缓冲模块包括第一薄膜晶体管，所述复位模块包括第二薄膜晶体管，所述信号生成模块包括第三薄膜晶体管、以及与第三薄膜晶体管连接的电容，所述电容的一端与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，电容的另一端分别与第三薄膜晶体管的源极、信号输出端连接，所述下拉模块包括第四薄膜晶体管；其特征在于，所述移位寄存器单元还包括保持模块，所述保持模块包括第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的源极连接；具体为：所述第五薄膜晶体管的栅极分别与第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第五薄膜晶体管的源极分别与第二薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第五薄膜晶体管的漏极与时钟连接；所述第六薄膜晶体管的栅极与第五薄膜晶体管的栅极连接，所述第六薄膜晶体管的源极分别与第五薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第六薄膜晶体管的漏极与时钟连接；其中，所述移位寄存器单元还包括第七薄膜晶体管；所述第七薄膜晶体管的栅极与信号输入端连接；所述第七薄膜晶体管的源极与电源端连接；所述第七薄膜晶体管的漏极与第六薄膜晶体管的漏极连接。2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第七薄膜晶体管的栅极还与第一薄膜晶体管的栅极；所述第七薄膜晶体管的源极分别与第二薄膜晶体管的源极、第五薄膜晶体管的源极、第六薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极连接。3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第六薄膜晶体管采用双栅结构的薄膜晶体管。4.根据权利要求1、2或3所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述保持模块还包括第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管；其中，所述第五薄膜晶体管的漏极与时钟连接为：所述第五薄膜晶体管的漏极分别与第八薄膜晶体管的源极、第九薄膜晶体管的栅极连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与时钟连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与时钟连接；所述第六薄膜晶体管的漏极与时钟连接为：所述第六薄膜晶体管的漏极与第九薄膜晶体管的源极连...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨明，陈希，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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