电子装置及其制造方法制造方法及图纸

一种电子装置(1)，具备：基板；形成在基板上的第1导电层(13)；由有机材料构成，形成在第1导电层(13)上，且开有使第1导电层(13)的一部分露出的开口的有机绝缘层(21)；以覆盖有机绝缘层(21)的上表面、面对有机绝缘层(21)的开口的内周面(21a)、以及从有机绝缘层(21)露出的第1导电层(13)的方式形成的金属制的第2导电层(23)；和在面对有机绝缘层(21)的开口的内周面(21a)上，仅形成在有机绝缘层(21)和第2导电层(23)之间的含有氧化物的中间层(35)。在有机绝缘层(21)的开口的底面(21b)上，第1导电层(13)和第2导电层(23)接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置及其制造方法
本专利技术涉及有机EL(ElectroLuminescence)显示面板等的电子装置的结构及其制造方法。
技术介绍
近年来在开发一种若正向供给电流就会发光的发光元件。其中，例如，作为利用有机荧光性物质的电致发光现象的发光元件的有机电致发光元件(以下记载为“有机EL元件”。)被广泛活用。例如，在专利文献1中，作为具有有机EL元件的电子装置的一例，公开了图17所示的有机EL显示面板901。有机EL显示面板901具有：玻璃基板911、TFT(薄膜晶体管)912、第1导电层913、有机绝缘层921、第2导电层923、中间层935、隔壁941、发光层942、第3导电层943、保护层948、粘接层949、滤色器层950、和封止层951。第1导电层913作为配线发挥功能。有机绝缘层921形成于第1导电层913上，开有使第1导电层913的表面的一部分露出的开口。第2导电层923形成为覆盖从有机绝缘层921上到第1导电层913，作为阳极发挥功能。构成第1导电层923的材料为金属。中间层935，在有机绝缘层921的上表面、面对开口的内周面921a以及底面921b上在有机绝缘层921和第2导电层923之间扩展。构成中间层935的材料为作为金属氧化物的一种的ITO(IndiumTinOxide)。发光层942形成于第2导电层923上，由有机发光材料形成。第3导电层943作为阴极发挥功能，并由透明材料形成。由此，能够实现在有机绝缘层921的开口的底面921b上，电流经由中间层935从第1导电层913向第2导电层923流动的结构。另一方面，已知金属氧化物无论是相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层921和中间层935的密着性高，且中间层935和第2导电层923的密着性也高。因此，在有机EL显示面板901中，能够抑制有机绝缘层921从第2导电层923被剥离。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004-355918号公报专利文献2:日本特开2005-011792号公报专利文献3:日本特开平5-315459号公报专利文献4:日本特开平5-315458号公报
技术实现思路
因此，在上述现有的有机EL显示面板那样的电子装置中，例如，将铝或铝合金作为第2导电层的材料使用的话，在成本方面有利。但是，该情况下，第2导电层的与中间层接触的部分可能会变质成为氧化铝。这是由于铝原子对氧原子的结合力大，例如，第2导电层中所含有的铝原子容易与构成中间层的ITO中所含有的氧原子反应的缘故。而且，在上述现有的有机EL显示面板中，遍及第1导电层和第2导电层之间的总体范围形成有中间层，所以即使在有机绝缘层的开口的底面上也存在中间层。而且，在有机绝缘层的开口的底面上，第2导电层的与中间层接触的部分变质成为氧化铝的话，有第1导电层和第2导电层之间的接触电阻上升之虞。这是由于氧化铝的导电性比铝以及铝合金小的缘故。这样的问题，不限于第2导电层采用铝或氧化铝、且中间层采用ITO的情况，在中间层含有氧原子或氮原子的情况下也可能发生。因此，本专利技术的目的是提供一种有机绝缘层和第2导电层难以剥离、且能够抑制第1导电层和第2导电层之间的接触电阻的电子装置。本专利技术的一个方式涉及的电子装置，其特征在于，具有：基板；形成于所述基板上的第1导电层；形成于所述第1导电层上，且开有使所述第1导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层；形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第1导电层的金属制的第2导电层；和仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间的含有氧化物或氮化物的中间层，在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第1导电层和所述第2导电层接触。在本专利技术的电子装置中，仅在面对有机绝缘层的开口的内周面和第2导电层之间形成有含有氧化物或氮化物的中间层。在这里，已知氧化物以及氮化物无论相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层和中间层的密着性高，且中间层和第2导电层的密着性也高。因此，通过形成中间层，有机绝缘层和第1导电层变得难以剥离。另一方面，在有机绝缘层的开口的底面上，没有形成中间层，第1导电层和第2导电层接触。因此，在有机绝缘层的开口的底面上，能够维持第1导电层和第2导电层的直接接触，所以能够使接触电阻小。因此，在本专利技术的电子装置中，有机绝缘层和第2导电层难以剥离，且能够抑制第1导电层和第2导电层之间的接触电阻。附图说明图1是表示实施方式1涉及的有机EL显示面板的构成的剖视图。图2(a)是图1所示的有机EL显示面板的第1导电层和第2导电层的接触部周边的放大图，(b)是(a)中所示的有机EL显示面板的中间层和有机绝缘层的界面周边部β的放大图。图3是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的剖视图。图4是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的剖视图。图5(a)是图1所示的有机EL元件的接触部分的采用TEM得到的摄影图，(b)是(a)的摄影图的痕迹图。图6是图1所示的面对有机EL元件的有机绝缘层的开口的内周面的采用XPS得到的钨4f轨道的测定图。图7(a)是比较例涉及的中间层形成工序的示意图，(b)是本实施方式涉及的中间层形成工序的示意图。图8(a)是实施方式1涉及的有机EL显示面板的剖视图，(b)是(a)的放大图以及采用EDX得到的测定图。图9是表示没有进行反溅射的样品和本实施方式的进行了反溅射的样品的接触电阻值的图。图10是表示实施方式2涉及的有机EL显示面板的构成的剖视图。图11是表示图10所示的有机EL显示面板的制造工序的剖视图。图12是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。图13是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。图14是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。图15是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。图16是表示图1所示的有机EL显示面板的制造工序的变形例的剖视图。图17是现有例涉及的有机EL显示面板的剖视图。具体实施方式[本专利技术的一个方式的概要]本专利技术的一个方式涉及的电子装置，其特征在于，具有：基板；形成于所述基板上的第1导电层；形成于所述第1导电层上，且开有使所述第1导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层；形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第1导电层的金属制的第2导电层；和仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间的含有氧化物或氮化物的中间层，在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第1导电层和所述第2导电层接触。在该电子装置中，仅在面对有机绝缘层的开口的内周面和第2导电层之间形成有含有氧化物或氮化物的中间层。在这里，已知氧化物以及氮化物无论相对于有机材料还是相对于金属材料，密着性都高。因此，有机绝缘层和中间层的密着性高，且中间层和第2导电层的密着性也高。因此，通过形成有中间层，有机绝缘层和第1导电层变得难以剥离。另一方面，在有机绝缘层的开口的底面上，没有形成中间层，第1导电层和第2导电层接触。因此，在有机绝缘层的开口的底面上，能够抑制第2导电层变质为氧化物或氮化物。因此，在本专利技术的电子装置中，有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，具备：基板；形成于所述基板上的第1导电层；形成于所述第1导电层上，且开有使所述第1导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层；形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第1导电层的金属制的第2导电层；和仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间的含有氧化物或氮化物的中间层，在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第1导电层和所述第2导电层接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.18 JP 2012-0077971.一种电子装置，具备：基板；形成于所述基板上的第1导电层；形成于所述第1导电层上，且开有使所述第1导电层的一部分露出的开口的有机绝缘层；形成为覆盖所述有机绝缘层的上表面、面对所述有机绝缘层的开口的内周面、以及从所述开口露出的第1导电层的金属制的第2导电层；和仅形成于面对所述有机绝缘层的开口的内周面和所述第2导电层之间且不形成于所述有机绝缘层的内周面的上侧而形成于该内周面的下侧的含有氧化物或氮化物的中间层，在所述有机绝缘层的开口的底面上，所述第1导电层和所述第2导电层接触。2.根据权利要求1所述的电子装置，所述第1导电层由金属构成，所述中间层由构成所述第1导电层的所述金属的氧化物构成。3.根据权利要求1所述的电子装置，所述中间层由导电性氧化物构成。4.根据权利要求1所述的电子装置，进一步具备：绝缘层，所述绝缘层由氧化物或氮化物构成，形成于所述第1导电层和所述有机绝缘层之间，且与所述有机绝缘层的开口对应地开有使所述第1导电层的一部分露出的开口，所述中间层由与所述绝缘层相同的材料构成。5.根据权利要求1所述的电子装置，所述第1导电层由金属构成，在所述中间层和所述第2导电层之间进一步形成有由构成所述第1导电层的金属构成的金属层。6.根据权利要求1所述的电子装置，所述第1导电层由金属构成，在所述第1导电层和所述有机绝缘层之间形成有由构成所述第1导电层的所述金属的氧化物构成的金属氧化物层，被所述有机绝缘层直接覆盖的第1导电层的区域的表面的粗糙度，比从所述有机绝缘层露出的第1导电层的区域的表面的粗糙度大。7.根据权利要求1所述的电子装置，所述第1导电层由金属构成，在被所述有机绝缘层覆盖的第1导电层的区域中，在所述第1导电层和所述有机绝缘层之间形成有氧化物层，所述氧化物层由构成所述第1导电层的所述金属的氧化物构成。8.根据权利要求1所述的电子装置，所述第1导电层由含有W、Mo、Ti、Cr、Cu中的至少任一种的金属构成。9.根据权利要求1所述的电子装置，所述第2导...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部裕树，年代健一，矢田修平，菅野恒，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP