基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

技术编号:10478720 阅读:136 留言:0更新日期:2014-09-25 16:47
本发明专利技术提供在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥的基板处理装置和基板处理方法。在基板处理装置(10)中包括对基板(W)的表面进行干燥的加热干燥机构(103),上述加热干燥机构(103)从下侧对基板(W)的在铅垂方向上朝向下方配置的表面进行加热,使通过加热作用在基板(W)的表面生成的挥发性溶剂的液珠利用重力落下除去,对基板的表面进行干燥。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本专利技术涉及基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
基板处理装置是在半导体等的制造工序中,向晶片或液晶基板等基板的表面供给处理液,对该基板表面进行处理,之后向基板表面供给超纯水等清洗液对该基板表面进行清洗,进而将其干燥的装置。在该干燥工序中,由于近年来的伴随半导体的高集成化、高容量化的微细化,发生例如存储器单元、栅极周围的图案倒塌的问题。这是由图案彼此的间隔、构造、清洗液的表面张力等引起的。于是,以抑制上述图案倒塌为目的,提出了使用表面张力比超纯水还小的IPA(2-丙醇:异丙醇)的基板干燥方法(例如参照专利文献1),在量产工场等中使用将基板表面上的超纯水置换为IPA以进行基板干燥的方法。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-34779号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是,半导体的微细化不断发展,即使使用IPA这样的表面张力小的有机溶剂等液体进行干燥,晶片的微细图案也会由于该液体的表面张力等而倒塌。例如,在液体不断干燥的过程中,在基板W表面的各部的干燥速度产生不均匀,如图5(B)所示,当液体A1残留于一部分的图案P之间时,图案由于该部分的液体A1的表面张力而倒塌。特别是,残留有液体的部分的图案彼此由于液体的表面张力引起的靠近而发生弹性变形的倒塌,溶解在该液体中的微少的残渣凝聚,之后当液体完全干燥时,倒塌的图案彼此由于残渣的存在等而彼此固接。本专利技术的技术问题在于提供在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥的基板处理装置和基板处理方法。用于解决技术问题的技术方案本专利技术提供包括基板清洗室和基板干燥室的基板处理装置,其中,基板清洗室包括:向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部;和向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂,将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的溶剂供给部,基板干燥室包括加热干燥机构,该加热干燥机构对在基板清洗室中被供给有挥发性溶剂的基板的表面进行加热,将通过加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠除去,对基板的表面进行干燥,上述加热干燥机构从下侧对基板的在铅垂方向上朝向下方配置的表面进行加热,使通过加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠利用重力落下除去,对基板的表面进行干燥。本专利技术提供使用基板清洗室和基板干燥室的基板处理方法,其中,在基板清洗室中进行:向基板的表面供给清洗液的工序;和向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂,将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的工序,在基板干燥室中进行:对在基板清洗室中被供给有挥发性溶剂的基板的表面进行加热,将通过加热在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠除去,对基板的表面进行干燥的工序,上述对基板的表面进行加热、进行干燥的工序,由加热干燥机构从下侧对基板的在铅垂方向上朝向下方配置的表面进行加热,使通过加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠利用重力落下除去,对基板的表面进行干燥。专利技术效果根据本专利技术的基板处理装置和基板处理方法,在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥。附图说明图1是表示基板处理装置的示意图。图2是表示基板处理装置的基板清洗室的结构的示意图。图3是表示基板处理装置的基板干燥室的结构的示意图。图4是表示基板处理装置的输送机构的结构的示意图。图5是表示基板表面的挥发性溶剂的干燥状况的示意图。图6是表示基板处理装置中的溶基板干燥室的变形例的示意图。附图标记说明10基板处理装置12输送机械手(基板输送机构)50基板清洗室57清洗液供给部58溶剂供给部100基板干燥室101处理箱102工作台103加热干燥机构103A灯103C、103D反射器103E玻璃罩105吹飞气体供给部105A喷嘴W基板具体实施方式如图1所示,基板处理装置10设置有基板供排部20、基板保管用缓冲部30和多个基板处理室40,在基板供排部20与基板保管用缓冲部30之间设置有输送机械手11,在基板保管用缓冲部30与基板处理室40之间设置有输送机械手12。此处,如后所述,基板处理室40由基板清洗室50和基板干燥室70组成。另外,在以下的说明中,基板干燥室70(加热机构76、吸引干燥机构77)是相对于本专利技术的参考例,基板干燥室100(加热干燥机构103)是本专利技术的例子。基板供排部20能够输入、输出多个基板收纳盒21。基板收纳盒21收纳未处理的晶片、液晶基板等多个基板W,被输入基板供排部20。此外,基板收纳盒21收纳由基板处理室40处理后的基板W,被从基板供排部20输出。未处理的基板W由输送机械手11从在基板供排部20内的基板收纳盒21中形成为多层的各收纳架被依次取出,供给到基板保管用缓冲部30的后述的内部专用缓冲部31。供给到内部专用缓冲部31的未处理的基板W,进而由输送机械手12取出,供给到基板处理室40的基板清洗室50进行清洗处理。由基板清洗室50清洗处理后的基板W由输送机械手12从基板清洗室50取出,移载到基板干燥室70进行干燥处理。这样处理完成的基板W由输送机械手12从基板干燥室70取出,放入基板保管用缓冲部30的后述的外部专用缓冲部32暂时保管。在基板保管用缓冲部30的外部专用缓冲部32内暂时保管的基板W由输送机械手11取出,依次排出到基板供排部20内的基板收纳盒21的空的收纳架。装满处理完的基板W的基板收纳盒21被从基板供排部20输出。如图4所示,在基板保管用缓冲部30中,保管未处理的基板W的多个内部专用缓冲部31设置为形成有多层的架状,并且,保持由基板处理室40清洗和干燥处理后的基板W的多个外部专用缓冲部32设置为形成有多层的架状。在外部专用缓冲部32的内部也能够设置有冷却暂时保管中的基板W的冷却机构。另外,内部专用缓冲部31、外部专用缓冲部32也可以不形成为多层。基板处理室40在位于从基板保管用缓冲部30离开的靠基板处理室40的移动端的位置的输送机械手12的周围(或两侧),配置形成一组的基板清洗室50和基板干燥室70,将在同一组的基板清洗室50进行清洗处理后的基板W移载到该同一组的基板干燥室70进行干燥处理。在基板处理室40中,使基板清洗室50的清洗操作时间为N时,在基板干燥室70的干燥操作时间为1时,构成一组的基板清洗室50和基板干燥室70的各设置个数i、j设定为i:j=N:1。由此,在基板处理室40内使形成一组的全部的基板清洗室50和基板干燥室70在同一时间带并行运行时,使得将后续的基板W由它们的基板清洗室50清洗的生产量与将由基板清洗室50完成清洗的先行的基板W由它们的基板干燥室70干燥的生产量为大致同等。本实施例的基板处理室40在多层例如3层的各个中配置形成一组的基板清洗室50和基板干燥室70,在使基板清洗室50的清洗操作时间是N=3时,基板干燥室70的干燥操作时间为1,因此在各层中设置有i=3个基板清洗室50和j=1个基板干燥室70。以下,详细叙述构成基板处理室40的基板清洗室50和基板干燥室70。如图2所示,基板清洗室50包括:成为处理室的处理箱51;设置在该处理箱51内的杯状部52;在该杯状部52内将基板W以水平状态支承的工作台53;使该工作台53在水平面内旋转的旋转机构54;和在工作台53的周围升降的溶剂吸引排出部55。并且,基板清洗室50包括:向工作台53上的基板W的表面供给药液的药液供给部56;向本文档来自技高网...
基板处理装置和基板处理方法

【技术保护点】
一种基板处理装置,其包括基板清洗室和基板干燥室,其特征在于:基板清洗室包括:向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部;和向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂,将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的溶剂供给部,基板干燥室包括加热干燥机构,该加热干燥机构对在基板清洗室中被供给有挥发性溶剂的基板的表面进行加热,将通过加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠除去,对基板的表面进行干燥,所述加热干燥机构从下侧对基板的在铅垂方向上朝向下方配置的表面进行加热,使通过加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠利用重力落下除去,对基板的表面进行干燥。

【技术特征摘要】
2013.03.18 JP 2013-054574;2013.09.30 JP 2013-205081.一种基板处理装置,其包括基板清洗室和基板干燥室,其特征在于:基板清洗室包括:以使具有图案的被处理的表面朝向上的方式保持基板并使其旋转的第一工作台;向旋转的所述基板的所述表面供给清洗液的清洗液供给部;和溶剂供给部,其向被供给有所述清洗液的所述基板的所述表面供给挥发性溶剂,并将所述基板的所述表面上的所述清洗液置换为所述挥发性溶剂,基板干燥室包括:以使具有所述图案的被处理的所述表面朝向下的方式保持所述基板的第二工作台;加热干燥机构,其具有配置在该第二工作台的下方并且向上方照射在波长500nm~3000nm之间包括峰值强度的光的灯、和在该灯的上部覆盖保护所述灯的保护罩,对朝向下的且在所述基板清洗室中被供给有所述挥发性溶剂的、所述基板中的被处理的所述表面进行加热,从所述基板的朝向下的所述表面除去所述挥发性溶剂,对所述基板的所述表面进行干燥;第一喷嘴,其设置在所述基板与所述加热干燥机构之间且比所述加热干燥机构的外周靠外侧的位置,从所述保护罩的外侧向所述保护罩吹出不活泼气体。2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于:还具有第二喷嘴,其设置在所述基板与所述加热干燥机构之间且比所述基板的外周靠外侧的位置,从所述基板的外侧向所述基板的朝向下的被处理的所述表面吹出不活泼气体。3.一种基板处理装置,其包括基板清洗室和基板干燥室,所述基板处理装置的特征在于:基板清洗室包括:以使具有图案的被处理的表面朝向上的方式保持基板并使其旋转的第一工作台;向旋转的所述基板的所述表面供给清洗液的清洗液供给部;和溶剂供给部,其向被供给有所述清洗液的所述基板的所述表面供给挥发性溶剂,并将所述基板的所述表面上的所述清洗液置换为所述挥发性溶剂,基板干燥室包括:以使具有所述图案的被处理的所述表面朝向下的方式保持所述基板的第二工作台;加热干燥机构,其具有配置在该第二工作台的下方并且向上方照射在波长500nm~3000nm之间包括峰值强度的光的灯,对朝向下的且在所述基板清洗室中被供给有所述挥发性溶剂的、所述基板中的被处理的所述表面进行加热,从所述基板的朝向下的所述表面除去所述挥发性溶剂,对所述基板的所述表面进行干燥;第二喷嘴,其设置在所述基板与所述加热干燥机构之间且比所述加热干燥机构的外周靠外侧的位置,从所述基板的外侧向所述基板的朝向下的被处理的所述表面吹出不活泼气体。4.如权利要求1或者3所述的基板处理装置,其特征在于:所述加热干燥机构包括用于提高灯的照射效率的反射器。5.一种使用基...

【专利技术属性】
技术研发人员:林航之介古矢正明大田垣崇长嶋裕次木名瀬淳安部正泰
申请(专利权)人:芝浦机械电子装置股份有限公司
类型:发明
国别省市:日本;JP

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