【技术实现步骤摘要】
采用硅焊接片的表贴半导体器件
本技术涉及半导体设备领域，具体的说，是一种采用硅焊接片的表贴半导体 器件。
技术介绍
现有技术中，表贴半导体器件硅铝丝键合专用过渡焊接片一般为铝金属化层，这 只能键合硅铝丝作为内引线。但是SMD系列管壳的电极为柯伐镀金，国内常用的硅铝丝与 金层键合传统工艺中可能存在着的键合点虚焊的隐患，也即铝与金层的键合点客观存在着 脱焊/虚焊的隐患，作为高可靠器件是不允许的。为实现高可靠连接，就必须使用一种过 渡片来保证其上表面与硅铝丝实施单一的金属键合，而下表面与镀金的柯伐焊接成欧姆接 触。这种可具有不同金属结构的过渡片只能选择其电阻可忽略不计的硅片而不能是金属 片。硅焊接片在室温下即可实现单金属高可靠的AL-AL键合，可保证高可靠器件的需求，这 也是设计专用硅过渡焊接片的缘由。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种适用范围广，可避免键合点因金 层脱落而造成的虚焊接或浮接等致命缺陷的隐患新型表贴半导体器件。 本技术的目的是这样实现的：包括壳体，芯片，内引线，陶瓷体，硅焊接片， 镀金外电极，所述硅焊接片为重掺杂单晶硅，上表面溅射/蒸发铝层，下表面溅射/蒸发 钛-镍-银金属层；所述芯片设置于壳体内部一侧，壳体的另一侧设有陶瓷体，陶瓷体上表 面设有2个镀金内电极，所述硅焊接片为2个，分别与上述镀金内电极焊接，硅焊接片的铝 层朝上；所述芯片与硅焊接片之间通过内引线连接；所述壳体下方与芯片及镀金内电极相 对应的部位分别设有镀金外电极。 所述的硅焊接片电阻率P为0· 0015?0· 0020 Ω...
【技术保护点】
一种采用硅焊接片的表贴半导体器件，包括壳体，芯片，内引线，陶瓷体，硅焊接片，镀金外电极，其特征在于，所述硅焊接片为重掺杂单晶硅，上表面溅射/蒸发铝层，下表面溅射/蒸发钛‑镍‑银金属层；所述芯片设置于壳体内部一侧，壳体的另一侧设有陶瓷体，陶瓷体上表面设有2个镀金内电极，所述硅焊接片为2个，分别与上述镀金内电极焊接，硅焊接片的铝层朝上；所述芯片与硅焊接片之间通过内引线连接；所述壳体下方与芯片及镀金内电极相对应的部位分别设有镀金外电极。
【技术特征摘要】
1. 一种采用硅焊接片的表贴半导体器件，包括壳体，芯片，内引线，陶瓷体，硅焊接片， 镀金外电极，其特征在于，所述硅焊接片为重掺杂单晶硅，上表面溅射/蒸发铝层，下表面 溅射/蒸发钛-镍-银金属层；所述芯片设置于壳体内部一侧，壳体的另一侧设有陶瓷体， 陶瓷体上表面设有2个镀金内电极，所述硅焊接片为2个，分别与上述镀金内电极焊接，硅 焊接片的铝层朝上；所述芯片与硅焊接片之间通过内引线连接；所述壳体下方与芯片及镀 金内电极相对应的部位分别设有镀金外电极。2. 根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李志福，
申请(专利权)人：朝阳无线电元件有限责任公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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