蒸发源及蒸镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种蒸发源及蒸镀装置，蒸发源包括坩埚本体、腔室、蒸镀口和挡止部。坩埚本体包括相对的顶壁和底壁以及连接于所述顶壁和底壁的侧壁。腔室由所述顶壁、底壁和侧壁围绕构成。蒸镀口形成于所述底壁上。挡止部的底端连接于所述蒸镀口周缘，顶端延伸至所述腔室内，挡止部与侧壁围成的空间用于容置蒸镀材料。本发明专利技术蒸发源，在蒸镀工艺中能减少基板的弯曲变形，从而提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
蒸发源及蒸镀装置
本专利技术涉及一种用于蒸镀工艺的蒸发源及蒸镀装置。
技术介绍
蒸镀工艺是生产有机电致发光器件（Organic Light Emitting Diode, 0LED)的一 种重要的技术路线，使用蒸镀工艺，蒸发源及蒸镀装置又是必不可少的。蒸发源及蒸镀装置 的结构设计对有机材料成膜品质有重要影响。 如图1所示，传统的蒸发源包括坩埚本体10,坩埚本体10具有一用于容置蒸镀材 料的腔室11，在坩埚本体10的上端部设有蒸镀口 12。 传统的蒸镀装置包括上述传统蒸发源，用于向一基板100上蒸镀薄膜。基板100 上表面设有磁性板300,基板100下表面设有能形成蒸镀图案的掩膜板200,掩膜板200通 过磁性板300吸附于基板100下表面。其中基板100在四周通过支撑件（图中未示出）固 定；为了使掩膜板200与基板100紧密贴合，可进一步在基板100与磁性板300之间插入一 压板400,压板400将基板100压紧于掩膜板200。 然而，上述传统的蒸镀装置中，基板100在蒸发源的上方，为避开掩膜板200,基板 100只能依靠周围的支撑件固定，在重力作用下，基板100容易弯曲，掩膜板200难以与弯曲 后的基板100紧密贴合，从而影响了蒸镀图案的精度，包括位置精度和形状精度，最终导致 产品的良率下降。 在所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此它 可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术公开一种蒸发源，其在蒸镀工艺中能减少基板的弯曲变形，从而提高产品 良率。 本专利技术还公开一种设有本专利技术蒸发源的蒸镀装置。 本专利技术的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中 变得显然，或者可以通过本专利技术的实践而习得。 根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种蒸发源，包括坩埚本体、腔室、蒸镀口和 挡止部。坩埚本体包括相对的顶壁和底壁以及连接于所述顶壁和底壁的侧壁。腔室由所述 顶壁、底壁和侧壁围绕构成。蒸镀口形成于所述底壁上。挡止部的底端连接于所述蒸镀口 周缘，所述挡止部顶端延伸至所述腔室内，并于所述挡止部与所述腔室的侧壁间形成一用 于容置蒸镀材料的空间。 根据本专利技术的一实施方式，所述挡止部为圆筒。 根据本专利技术的一实施方式，所述挡止部为圆锥筒，且圆锥筒底端部的直径小于顶 端部的直径。 根据本专利技术的一实施方式，所述挡止部的高度为所述腔室的高度的2/3?4/5。 根据本专利技术的一实施方式，其中，还包括挡板，挡板固定于所述挡止部的顶端外 周。 根据本专利技术的一实施方式，其中，还包括坩埚本体加热元件，坩埚本体加热元件设 置于所述坩埚本体。 根据本专利技术的一实施方式，其中，还包括保温隔热罩，保温隔热罩设置于所述坩埚 本体加热元件外面。 根据本专利技术的一实施方式，其中，还包括蒸镀口加热元件，蒸镀口加热元件设置于 所述挡止部上。 根据本专利技术的一实施方式，其中，所述挡止部内形成有容置槽，所述蒸镀口加热元 件设置于所述容置槽内。 根据本专利技术的一实施方式，其中，所述蒸镀口的数目为多个，并呈线形排布，且多 个蒸镀口在两端部的排布密度大于在中部的排布密度。 根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种蒸镀装置，用于向一基板蒸镀薄膜，包括 用于固定所述基板的基板支撑装置和本专利技术所述的蒸发源，所述蒸发源设于所述基板支撑 装置上方，且所述蒸发源的蒸镀口朝向所述基板。 由上述技术方案可知，本专利技术的优点和积极效果在于：由于本专利技术蒸发源的蒸镀 口设于底壁上，当蒸发源用于蒸镀工艺中时，基板能够设置于蒸发源的下方，因此可通过多 种方式从基板的下面固定基板，而且可以在基板下面设置多处支撑，故本专利技术能有效防止 基板中部下沉而产生弯曲变形，从而置于基板上表面的掩膜板能与基板保持紧密贴合，保 证了基板上蒸镀图案的精度，从而有效提高了有机发光器件等产品的良率。 【附图说明】 通过参照附图详细描述其示例实施方式，本专利技术的上述和其它特征及优点将变得 更加明显。 图1示出传统的蒸镀装置的结构示意图。 图2A示出根据本专利技术的蒸发源的结构示意图。 图2B是图2A的仰视图。 图3示出根据本专利技术的蒸镀装置的结构示意图。 【具体实施方式】 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形 式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将 全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图 标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。 以下所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方 式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然 而，本领域技术人员将意识到，可以实践本专利技术的技术方案而没有所述特定细节中的一个 或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结 构、材料或者操作以避免模糊本专利技术的各方面。 蒸发源实施方式 参见图2A和图2B。本专利技术蒸发源包括坩埚本体。坩埚本体可以是空心圆柱形、空 心棱柱形等多种形状。下面以空心圆柱形坩埚本体为例进行说明。 坩埚本体包括顶壁21、底壁22和圆筒形侧壁23。顶壁21固定于或一体成型于侧 壁23顶端部，底壁22固定于或一体成型于侧壁23底端部。因此，由顶壁21、底壁22和圆 筒形侧壁23共同围成一腔室20,腔室20用于容置蒸镀材料。在坩埚本体的底壁22中心线 位置形成有多个蒸镀口 222。 为了避免腔室20内的蒸镀材料由蒸镀口 222流出，在蒸镀口 222处设置有挡止部 24。挡止部24为筒形，如圆筒形或圆锥筒形，挡止部24底端连接于蒸镀口 222外周，顶端 延伸至腔室20内。挡止部24与圆筒形侧壁23及底壁22围成一环形空间，蒸镀材料容置 于该环形空间内。当挡止部24为圆锥筒时，圆锥筒底端部的直径小于顶端部的直径，即在 蒸镀口 222处的直径较小，以减腔室20内的热量损失。 挡止部24的高度H1为腔室20的高度Η的2/3,以防止蒸镀过程中蒸镀材料喷溅。 通常挡止部24的高度Η1为腔室20的高度Η的2/3?4/5范围内均是可行的，但并不以此 为限，实际应用中可根据蒸发源的容积、蒸镀材料的性质等因素合理确定。 在一实施方式中，蒸发源还包括挡板25。挡板25可以是一块带有中央贯通孔的圆 形板。挡板25固定于挡止部24的顶端外侧，并暴露出蒸镀口 222,以便于蒸镀气体能由筒 形挡止部24经蒸镀口 222喷出。 在另一实施方式中，蒸发源还包括坩埚本体加热元件30,例如电阻丝，电阻丝环绕 设置于坩埚本体的圆筒形侧壁23外面，坩埚本体加热元件30还可以进一步设置于顶壁21 和底壁22上。进一步的，蒸发源还包括罩在坩埚本体加热元件30外面的保温隔热罩50。 保温隔热罩50用于减少热量散失，使坩埚本体加热元件30产生的热量尽可能多地用于加 热蒸发源内的蒸镀材料，以提高热能利用率。当然，坩埚本体加热元件30不限于电阻丝，还 可以采用激光加热、红外加热等多种加本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸发源，包括：坩埚本体，其包括相对的顶壁和底壁，以及连接于所述顶壁和底壁的侧壁；腔室，由所述顶壁、底壁和侧壁围绕构成；蒸镀口，形成于所述底壁上；以及挡止部，底端连接于所述蒸镀口周缘，所述挡止部顶端延伸至所述腔室内，并于所述挡止部与所述腔室的侧壁间形成一用于容置蒸镀材料的空间。

【技术特征摘要】
1. 一种蒸发源，包括： 坩埚本体，其包括相对的顶壁和底壁，以及连接于所述顶壁和底壁的侧壁； 腔室，由所述顶壁、底壁和侧壁围绕构成； 蒸镀口，形成于所述底壁上；以及 挡止部，底端连接于所述蒸镀口周缘，所述挡止部顶端延伸至所述腔室内，并于所述挡 止部与所述腔室的侧壁间形成一用于容置蒸镀材料的空间。2. 如权利要求1所述的蒸发源，其中，所述挡止部为圆筒。3. 如权利要求1所述的蒸发源，其中，所述挡止部为圆锥筒，且圆锥筒底端部的直径小 于顶端部的直径。4. 如权利要求1所述的蒸发源，其中，所述挡止部的高度（H1)为所述腔室的高度（H) 的 2/3 ?4/5。5. 如权利要求1所述的蒸发源，其中，还包括： 挡板，固定于所述挡止部的顶端外侧。6. 如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜亮，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31