集成电路设计中的通孔嵌入制造技术

本发明专利技术涉及集成电路设计中的通孔嵌入，所揭示的是用于通孔嵌入(insertion)以改善所产生的装置的制造性同时确保符合DRC规则的方法及设备(apparatus)。具体实施例包括：判断具有第一通孔与多条绕线(route)的IC设计的基底的层件，多条绕线水平延伸(extend)于基底上并且置于多个等间隔垂直位置的其中一个上；以一个或多个临界值(threshold value)比较层件垂直延伸于第一组多绕线之间以及水平延伸于第二组多绕线之间的区域，此区域邻近(adjacent)第一通孔并且与多条绕线分开；以及基于此比较嵌入第二通孔。

【技术实现步骤摘要】
集成电路设计中的通孔嵌入
本揭示关于IC设计中通孔的嵌入。本揭示尤其适用于利用自对准双图案化(SADP)或侧壁影像转移(SIT)技术将通孔或介层条(via bar)的嵌入应用到IC设计中。
技术介绍
在IC设计制造中，尤其是使用SADP技术的IC设计制造，通孔经常配置成连接例如「I号金属」(Ml)以及「2号金属」(M2)层的层件。如此，通常是在设计程序的早期进行尺寸化并且安置通孔以有效利用IC设计上的空间并且取得所产生的装置的适当效能、可靠度、以及可制造性。为了改良所产生的装置的效能、可靠度、以及可制造性，可在设计程序中的后面步骤(例如在摆置绕线(P&R)之后、在分解(decomposition)之后)嵌入额外通孔。然而，为了确保所产生的装置的可制造性，传统程序需要复杂的二维设计规则检查(DRC)，其使如DRC引擎和自动化绕线器之类之标准IC设计工具的执行时间变慢，会增加整体的设计周期时间。此外，传统DRC可能为颜色相关(color dependent)因而需要分解信息,如特征是否为心轴或非心轴金属以及尖端对尖端、侧部对尖端、和侧部对侧部距离。 因此，需要能嵌入通孔以确保所产生的装置的可制造性而不用复杂的二维DRC并且颜色无关(color independent)的方法及设备。
技术实现思路
本揭示的一个态样通过比较邻近既存通孔并且与既存绕线分开的区域与一个或多个临界值而判断用以嵌入(冗余或置换)通孔之区域的一种方法。 本揭示的一个态样是组构成通过比较邻近既存通孔并且与既存绕线分开之区域与一个或多个临界值而用于判断要嵌入(冗余或置换)通孔的区域。 本揭示另外的态样及其它特征将在下文的说明中提出并且部分在查阅下文后对所属领域的技术人员将显而易知或可经由本揭示的实践予以学习。本揭示的优点可随着所附权利要求书所特别指出而实现并且取得。 如本揭示所述，某些技术功效可通过一种方法而部分达成，其包括:判断具有第一通孔和多条绕线之IC之基底之层件，多条绕线水平延伸于基底上并且置于多个等间隔垂直位置之其中一者上；以一个或多个临界值比较垂直延伸于多条绕线之第一组之间并且水平延伸于多条绕线之第二组之间的层件的区域；以及基于比较而嵌入第二通孔。 某些态样包括一种方法，其中，一个或多个临界值包括预定高度与宽度以及比较进一步包括:判断邻近第一通孔并且从第一通孔之外缘延伸至少预定高度的矩形区，矩形区具有至少为预定宽度的宽度；以及比较区域与矩形区，其中，第二通孔嵌入于矩形区内并且更基于区域与矩形区的比较。另外的态样包括一种方法，其中，矩形区自外缘延伸预定高度以及宽度等于预定宽度。还有态样包括:判断介于第一通孔之外缘与第一组绕线之其中一者之间的垂直距离；判断介于第一通孔之水平中点与沿着第一水平方向之第二组绕线之其中一者之间的第一水平距离；以及判断介于第一通孔之水平中点与沿着另一水平方向之第二组绕线之其中一者之间的第二水平距离，其中，区域是自第一通孔之外缘以垂直距离垂直延伸并且具有等于第一与第二水平距离总和之宽度之矩形区的至少一部分。某些态样包括一种方法，其中，一个或多个临界值包括预定高度与宽度，以及比较进一步包括:比较垂直距离与预定高度；以及比较第一和第二水平距离与预定宽度，其中第二通孔嵌入于矩形区内并且更基于垂直距离与预定高度的比较及第一和第二水平距离与预定宽度的比较。另外的态样包括基于矩形区的尺寸判断第二通孔的尺寸。还有态样包括一种方法，其中，层件为IC设计的Ml或M2层，以及第一与第二通孔是介于层件与IC设计之另一层件之间的连接件、针脚接通件(access)、或金属转移区。某些态样包括:判断用于嵌入第二通孔的最小区域；以及判断与产生绕线、第一通孔、第二通孔、或其结合之屏蔽相关联的关键距离，其中一个或多个临界值基于最小区域和关键距离。 本揭示的另一态样是一种设备，其包括:至少一个处理器；以及包括用于一个或多个程序之计算机程序码的至少一个内存，至少一个内存和计算机程序码组构成与至少一个处理器令设备进行至少下列所述者:判断具有第一通孔与多条绕线之IC设计之基底上之层件，多条绕线水平延伸于基底上并且置于多个等间隔垂直位置之其中一者上；以一个或多个临界值比较垂直延伸于多条绕线之第一组之间与水平延伸于多条绕线之第二组之间的区域，区域为邻近第一通孔并且与多条绕线分开；以及基于比较而嵌入第二通孔。 态样包括一种设备，其中，一个或多个临界值包括预定高度与宽度，该比较进一步包括:判断邻近第一通孔并且从第一通孔之外缘延伸至少预定高度的矩形区，矩形区具有至少为预定宽度的宽度；以及比较区域与矩形区，其中，第二通孔嵌入于矩形区内并且更基于区域与矩形区的比较。某些态样包括一种设备，其中，矩形区自外缘延伸预定高度以及宽度等于预定宽度。另外的态样包括一种设备，其造成:判断介于第一通孔之外缘与第一组绕线之其中一者之间的垂直距离；判断介于第一通孔之水平中点与沿着第一水平方向之第二组绕线之其中一者之间的第一水平距离；以及判断介于第一通孔之水平中点与沿着另一水平方向之第二组绕线之其中一者之间的第二水平距离，其中，区域是自具有第一和第二水平距离之宽度的第一通孔之外缘垂直延伸垂直距离之矩形区的至少一部分。还有态样包括一种设备，其中，一个或多个临界值包括预定高度与宽度，该比较进一步包括:比较垂直距离与预定高度；以及比较第一和第二水平距离与预定宽度，其中，第二通孔嵌入于矩形区内并且更基于垂直距离与预定高度的比较及第一和第二水平距离与预定宽度的比较。某些态样包括一种设备，其造成基于矩形区的尺寸判断第二通孔的尺寸。另外的态样包括一种设备，其中，层件为IC设计的Ml或M2层，以及第一与第二通孔是介于层件与IC设计之另一层件之间的连接件、针脚接通件、或金属转移区。还有态样包括一种设备，其进一步造成:判断用于嵌入第二通孔的最小区域；以及判断与产生绕线、第一通孔、第二通孔、或其结合之屏蔽相关联的关键距离，其中，一个或多个临界值基于最小区域和关键距离。 本揭示的另一态样是一种方法，其包括:判断具有第一通孔与多条绕线之集成电路(IC)之基底上的Ml或M2层，多条绕线水平延伸于基底上并且置于通过距离予以分开之多个等间隔垂直位置之其中一者上，并且第一通孔为介于IC设计之Ml或M2层与另一 Ml或M2层之间的连接件、针脚接通件、或金属转移区；判断垂直延伸于多条绕线之第一组之间并且水平延伸于多条绕线之第二组之间用于嵌入第二通孔之Ml或M2层的第一区域，该区域以一个或多个临界值邻近第一通孔并且与多条绕线分开；判断用于嵌入第二通孔的最小区域；判断与产生绕线、第一通孔、第二通孔、或其结合之屏蔽相关联的关键距离；基于最小区域和关键距离判断预定高度和宽度；比较第一区域与预定高度和宽度；以及基于比较而在区域内嵌入第二通孔。 态样包括:判断邻近第一通孔并且从第一通孔之外缘延伸预定高度的矩形区，矩形区具有预定宽度的宽度；以及比较第一区域与矩形区，其中，第二通孔嵌入于矩形区内并且更基于区域与矩形区的比较。某些态样包括:判断介于第一通孔之外缘与第一组绕线之其中一者之间的垂直距离；判断介于第一通孔之水平中点与沿着第一水平方向之第二组绕线之其中一者之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包含：判断具有第一通孔和多条绕线的集成电路(IC)的基底的层件，该多条绕线水平延伸于该基底上并且置于多个等间隔垂直位置的其中一者上；将该层件中垂直延伸于该多条绕线的第一组之间并且水平延伸于该多条绕线的第二组之间的的区域与一个或多个临界值比较，该区域邻近该第一通孔并与该多条绕线分开；以及基于该比较嵌入第二通孔。

【技术特征摘要】
2013.03.15 US 13/838,3781.一种方法，包含: 判断具有第一通孔和多条绕线的集成电路(IC)的基底的层件，该多条绕线水平延伸于该基底上并且置于多个等间隔垂直位置的其中一者上； 将该层件中垂直延伸于该多条绕线的第一组之间并且水平延伸于该多条绕线的第二组之间的的区域与一个或多个临界值比较，该区域邻近该第一通孔并与该多条绕线分开；以及 基于该比较嵌入第二通孔。2.如权利要求1所述的方法，其中，该一个或多个临界值包括预定高度与宽度，以及该比较更包含: 判断邻近该第一通孔并且自该第一通孔的外缘延伸至少该预定高度的矩形区，该矩形区具有至少该预定宽度的宽度；以及 比较该区域与该矩形区，其中，该第二通孔嵌入于该矩形区内，并且更基于该区域与该矩形区的比较。3.如权利要求2所述的方法，其中，该矩形区自该外缘延伸该预定高度，以及该宽度等于该预定宽度。4.如权利要求1所述的方法，包含: 判断介于该第一通孔的外缘与该第一组绕线的其中一者之间的垂直距离； 判断介于该第一通孔的水平中点与沿着第一水平方向的该第二组绕线的其中一者之间的第一水平距离；以及 判断介于该第一通孔的该水平中点与沿着另一水平方向的该第二组绕线的其中一者之间的第二水平距离，其中，该区域是自该第一通孔的该外缘以该垂直距离垂直延伸并且具有等于该第一与第二水平距离总和的宽度的矩形区的至少一部分。5.如权利要求4所述的方法，其中，该一个或多个临界值包括预定高度与宽度，以及该比较更包含: 比较该垂直距离与该预定高度；以及 比较该第一和第二水平距离与该预定宽度，其中，该第二通孔嵌入于该矩形区内并且更基于该垂直距离与该预定高度的比较及该第一和第二水平距离与该预定宽度的比较。6.如权利要求5所述的方法,包含 基于该矩形区的尺寸判断该第二通孔的尺寸。7.如权利要求1所述的方法，其中，该层件为IC设计的Ml或M2层，以及该第一与第二通孔是介于该层件与该IC设计的另一层件之间的连接件、针脚接通件、或金属转移区。8.如权利要求1所述的方法，包含: 判断用于嵌入该第二通孔的最小区域；以及 判断与产生该绕线、该第一通孔、该第二通孔、或其结合的屏蔽相关联的关键距离，其中，该一个或多个临界值基于该最小区域和该关键距离。9.一种设备,包含: 至少一个处理器；以及 包括用于一个或多个程序的计算机程序码的至少一个内存， 该至少一个内存和该计算机程序码组构成与该至少一个处理器令该设备进行至少下列所述者， 判断具有第一通孔与多条绕线的集成电路(IC)设计的基底上的层件，该多条绕线水平延伸于该基底上并且置于多个等间隔垂直位置的其中一者上； 以一个或多个临界值比较垂直延伸于该多条绕线的第一组之间与水平延伸于该多绕线的第二组之间的区域，该区域为邻近该第一通孔并且与该多条绕线分开；以及基于该比较而嵌入第二通孔。10.如权利要求9所述的设备，其中，该一个或多个临界值包括预定高度与宽度，以及该比较更包含: 判断邻近该第一通孔并且从该第一通孔的外缘延伸至少该预定高度的矩形区，该矩形区具有至少为该预定宽度的宽度；以及 比较该区域与该矩形区，其中，该第二通孔嵌入于该矩形区内，并且更基于该区域与该矩形区的比较。11.如权利要求10所述的设备，其中，该矩形区从该外缘延伸该预定高...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁磊，J·桂，H·莱文森，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY