本发明专利技术提供提高过电流检测电流值的精度并且安全性高的电池装置。充放电控制电路，其特征在于，过电流检测电路的基准电压电路由连接在二次电池两端的、因恒流电路和电阻和二次电池的电压而电阻值发生变化的晶体管构成，输出因恒流电路的电流流过电阻和晶体管而产生的电压作为基准电压。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供提高过电流检测电流值的精度并且安全性高的电池装置。充放电控制电路，其特征在于，过电流检测电路的基准电压电路由连接在二次电池两端的、因恒流电路和电阻和二次电池的电压而电阻值发生变化的晶体管构成，输出因恒流电路的电流流过电阻和晶体管而产生的电压作为基准电压。【专利说明】充放电控制电路、充放电控制装置及电池装置
本专利技术涉及控制二次电池的充放电的充放电控制电路、充放电控制装置及电池装置，尤其涉及防止连接在电池或电池装置的设备中有过量的电流流过的技术。
技术介绍
在图4中示出现有的电池装置的电路图。 现有的电池装置包括:二次电池11 ；Nch放电控制场效应晶体管12 ;Nch充电控制场效应晶体管13 ;充放电控制电路14 ;电阻22、31 ;电容32 ;和外部端子20、21。充放电控制电路14包括:控制电路15、过电流检测电路16、过电流检测端子19、充电控制信号输出端子41、放电控制信号输出端子42、正极电源端子44、和负极电源端子43。过电流检测电路16包括比较电路18和基准电压电路17。 接着，对现有的电池装置的动作进行说明。 在外部端子20、21之间连接有负载，若有电流流过，则在二次电池11的负极与外部端子21间产生电位差。该电位差由流过外部端子20、21间的电流量IpNch放电控制场效应晶体管12的电阻值R12、Nch充电控制场效应晶体管13的电阻值R13决定，表示为I1X(R12 + R13)。过电流检测端子19的电压与外部端子21的电压相等。比较电路18比较基准电压电路17的电压与过电流检测端子19的电压，如果过电流检测端子19的电压较高，则使Nch放电控制场效应晶体管12截止，进行过电流保护。 设过电流检测电流值的设定值为IDQP、基准电压电路17的电压为V17、Nch放电控制场效应晶体管12的电阻值为R12、Nch充电控制场效应晶体管13的电阻值为R13。比较电路18输出检测信号的成为阈值电压时的外部端子21的电压为V17。此时，在外部端子20、21间流过的电流，成为外部端子21的电压除以Nch放电控制场效应晶体管12和Nch充电控制场效应晶体管13的电阻值的合计的值，表示为Iiwp = V17/ (R12 + R13)ο 将比较电路18输出检测信号时的充放电控制电路的过电流检测端子的电压称为过电流检测电压。 现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2004 - 104956号公报。 但是在现有技术中，即便二次电池电压或温度发生变化，充放电控制电路的过电流检测电压也为恒定的值，与之相对，Nch充放电控制场效应晶体管的电阻值随着二次电池电压或温度的变化而发生变化，因此过电流检测电流值会变动。因此，存在过电流检测电流值的精度差、电池装置的安全性低的课题。
技术实现思路
本专利技术为了解决如以上的课题而构思，提供提高过电流检测电流值的精度并且安全性高的电池装置。 为了解决现有的课题，本专利技术的充放电控制电路采用如下构成。 过电流检测电路的基准电压电路由连接在二次电池两端的、因恒流电路和电阻和二次电池的电压而电阻值发生变化的晶体管构成。 依据本专利技术的电池装置，能够使充放电控制电路的过电流检测电压的二次电池电压依赖性和温度依赖性与充放电控制开关的电阻值的二次电池电压依赖性和温度依赖性一致，可以提供提高过电流检测电流值的精度并且安全性高的电池装置。 【专利附图】【附图说明】 图1是第一实施方式的电池装置的电路图；图2是第二实施方式的电池装置的电路图；图3是第三实施方式的电池装置的电路图；图4是现有的电池装置的电路图；图5是第四实施方式的电池装置的电路图。 【具体实施方式】 以下，参照附图，对本实施方式进行说明。 实施例 <实施方式1>图1是第一实施方式的电池装置的电路图。 第一实施方式的电池装置包括:二次电池11 ；Nch放电控制场效应晶体管12 ；Nch充电控制场效应晶体管13 ;充放电控制电路14 ;电阻22、31 ;电容32 ;和外部端子20、21。由Nch放电控制场效应晶体管12、Nch充电控制场效应晶体管13、和充放电控制电路14构成充放电控制装置。 充放电控制电路14包括:控制电路15、过电流检测电路16、过电流检测端子19、充电控制信号输出端子41、放电控制信号输出端子42、正极电源端子44、和负极电源端子43。过电流检测电路16包括:比较电路18、恒流电路23、电阻24 JPNMOS晶体管25。由恒流电路23、电阻24、和NMOS晶体管25构成基准电压电路17。 二次电池11正极与外部端子20和电阻31连接，负极与电容32和负极电源端子43和Nch放电控制场效应晶体管12的源极及背栅极连接。正极电源端子44与电阻31和电容32的连接点连接。Nch放电控制场效应晶体管12栅极与放电控制信号输出端子42连接，漏极与Nch充电控制场效应晶体管13的漏极连接。Nch充电控制场效应晶体管13栅极与充电控制信号输出端子41连接，源极及背栅极与外部端子21及电阻22连接。电阻22的另一个端子与过电流检测端子19连接。比较电路18的反相输入端子与过电流检测端子19连接，非反相输入端子与恒流电路23和电阻24的连接点连接，输出端子与控制电路15连接。NMOS晶体管25栅极与正极电源端子44连接，漏极与电阻24的另一个端子连接，源极与负极电源端子43连接。恒流电路23的另一个端子与正极电源端子44连接。控制电路15的第一输入与正极电源端子44连接，第二输入与负极电源端子43连接，第一输出与充电控制信号输出端子41连接，第二输出与放电控制信号输出端子42连接。 接着，对第一实施方式的电池装置的动作进行说明。 当二次电池11为过充电检测电压以下且过放电检测电压以上时，Nch放电控制场效应晶体管12、Nch充电控制场效应晶体管13被控制为导通。若在该状态下外部端子20、21之间连接负载，有放电电流流过，则在二次电池11的负极与外部端子21间产生电位差。该电位差由流过外部端子20、21间的电流量Ip Nch放电控制场效应晶体管12的电阻值R12、Nch充电控制场效应晶体管13的电阻值R13决定，表示为I1X (R12 + R13)。 恒流电路23使电流流过电阻24、NMOS晶体管25，产生电压。输出该电压作为基准电压电路17的输出电压。比较电路18比较基准电压电路17的电压和过电流检测端子19的电压，如果过电流检测端子19的电压高，则将检测信号输出到控制电路15，使Nch放电控制场效应晶体管12截止并进行过电流保护。 设过电流检测电流值的设定值为Iiwp、基准电压电路17的电压为V17、Nch放电控制场效应晶体管12的电阻值为R12、Nch充电控制场效应晶体管13的电阻值为R13。比较电路18输出检测信号的成为阈值电压时的外部端子21的电压为V17。此时，在外部端子20、21间流过的电流，成为外部端子21的电压除以Nch放电控制场效应晶体管12和Nch充电控制场效应晶体管13的电阻值的合计的值，表示为Iiwp = V17/ (R12 + R13)ο 这里，Nch场效应晶体管的电阻值显然具有栅极一源本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种充放电控制电路，具有探测二次电池的电压或异常的控制电路、和以过电流检测端子的电压检测过电流的过电流检测电路，所述充放电控制电路的特征在于，所述过电流检测电路具备基准电压电路，该基准电压电路由因恒流电路和第一电阻和所述二次电池的电压而电阻值发生变化的晶体管构成，输出因所述恒流电路的电流流过所述电阻和所述晶体管而产生的电压。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：前谷文彦，小池智幸，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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