有机电致发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，该有机电致发光显示装置（1）的特征在于，具有：基板（10）；形成在上述基板上的多个像素（P）；和覆盖上述多个像素的密封膜（40），上述密封膜包括：第一阻挡层（40a）；覆盖上述第一阻挡层的上表面的基底层（40b）；局部地形成在上述基底层的上表面的中间层（40c）；和覆盖上述基底层的上表面和上述中间层的上表面的第二阻挡层（40d），上述中间层以覆盖所述基底层的上表面的高低差（S）的方式形成。

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光显示装置及其制造方法
本专利技术涉及有机电致发光显示装置和有机电致发光显示装置的制造方法。
技术介绍
作为薄型轻量的发光源，有机电致发光（organicelectroluminescent）元件受到关注，且开发出了配备多个有机电致发光元件的图像显示装置。有机电致发光元件具有以下结构：具有发光层的有机层被阳极与阴极夹着。作为这种有机电致发光显示装置，公开了有机层的上表面被密封膜覆盖的结构。该密封膜通过层叠作为平坦化材料的去耦层、和防止水分渗入的阻挡层而构成。另外，去耦层的外边缘也被阻挡层覆盖。
技术实现思路
根据现有的结构，因在覆盖去耦层上表面的阻挡层上出现划伤等，水分有可能由此渗入到去耦层中。另外，如果在去耦层的上表面有凹凸，则在形成阻挡层的工序中，在凹凸周围的阻挡层的成膜受到阻碍。因此，水分有可能从凹凸周围渗入到去耦层中。密封膜在多个像素中共用地形成。因此，水分渗入到去耦层，由此，水分扩散至多个像素中。水分扩散的去耦层膨胀后从阻挡层中剥离，因此，发生有机电致发光显示装置的亮度和强度下降等问题。因此，难以实现有机电致发光显示装置的高亮度化和可靠性的提高。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，实现有机电致发光显示装置的高亮度化和可靠性的提高。（1）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，具有：基板；形成在上述基板上的多个像素；和覆盖上述多个像素的密封膜，上述密封膜包括：第一阻挡层；覆盖上述第一阻挡层的上表面的基底层；局部地形成在上述基底层的上表面的中间层；和覆盖上述基底层的上表面和上述中间层的上表面的第二阻挡层，上述中间层以覆盖上述基底层上表面的高低差的方式形成。（2）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，在（1）中，形成在多个上述像素内的上述中间层在相邻的上述像素之间相互分离。（3）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，在（1）或（2）中，所述中间层可以包含有机物。（4）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，在（1）或（2）中，所述第一阻挡层可以包含Si。（5）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，在（1）或（2）中，所述第二阻挡层可以包含Si。（6）本专利技术的在基板上形成有像素的有机电致发光显示装置，上述像素包括薄膜晶体管、由上述薄膜晶体管控制的像素电极、配置在上述像素电极上的有机层和配置在上述有机层上的对置电极，该有机电致发光显示装置的特征在于：上述像素被密封膜覆盖，上述像素上的上述密封膜具有：层叠第一阻挡层、基底层和第二阻挡层的第一区域；和层叠上述第一阻挡层、上述基底层、中间层和上述第二阻挡层的第二区域。（7）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，在（6）中，上述像素电极的端部被像素分隔膜覆盖，上述第一区域重叠在上述像素的发光区域上，上述第二区域的一部分重叠在上述像素分隔膜上。（8）本专利技术的有机电致发光显示装置，其特征在于，在（6）中，上述像素电极的端部被上述像素分隔膜覆盖，上述发光区域中的上述中间层与上述基底层的接触角小于上述像素分隔膜与上述像素电极的接触角。（9）本专利技术的有机电致发光显示装置的制造方法，其特征在于，具有：在基板上按每个像素形成多个有机电致发光元件的工序；和以遍及多个上述像素地覆盖在上述有机电致发光元件上的方式形成密封膜的工序，上述形成密封膜的工序包括：形成第一阻挡层的工序；形成覆盖上述第一阻挡层的上表面的基底层的工序；在上述基底层的上表面局部地形成中间层的工序；和形成覆盖上述基底层的上表面和上述中间层的上表面的第二阻挡层的工序，上述基底层的材料与上述中间层的材料的亲和性高于上述第一阻挡层与上述中间层的材料的亲和性，在形成上述中间层的工序中，覆盖上述基底层的上表面的局部突出的部分与上述基底层的上表面的高低差。（10）本专利技术的有机电致发光显示装置的制造方法，在（9）中，在形成上述中间层的工序中，以在相邻的上述像素彼此之间相互分离的方式形成上述中间层。（11）本专利技术的有机电致发光显示装置的制造方法，在（9）或（10）中，可以形成包含有机物的上述中间层。（12）本专利技术的有机电致发光显示装置的制造方法，在（9）或（10）中，所述第一阻挡层可以包含Si。（13）本专利技术的有机电致发光显示装置的制造方法，在（9）或（10）中，所述第二阻挡层可以包含Si。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置的概略平面图。图2是图1所示的有机电致发光显示装置的Ⅱ-Ⅱ切断线中的概略截面图。图3是图2所示的有机电致发光显示装置的Ⅲ-Ⅲ区域的局部放大图。图4是图1所示的有机电致发光显示装置的Ⅳ区域的局部放大图。图5是图4所示的有机电致发光显示装置的Ⅴ-Ⅴ切断线中的概略截面图。图6是用来说明本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置的制造方法的、与Ⅴ-Ⅴ切断线对应的概略截面图。图7是用来说明本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置的制造方法的、与Ⅴ-Ⅴ切断线对应的概略截面图。图8是用来说明本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置的制造方法的、与Ⅴ-Ⅴ切断线对应的概略截面图。图9是用来说明本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置的制造方法的流程图。图10是本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置的像素部的平面图。图11是与图10所示的有机电致发光显示装置的Ⅺ-Ⅺ切断线对应的概略截面图。附图标记的说明1…有机电致发光显示装置、2…柔性电路基板、3…驱动器、10…基板、11…薄膜晶体管、12…电路层、13…钝化膜、14…像素分隔膜、30…有机电致发光元件、32…阳极、32a…接触孔、33…有机层、34…阴极、40…密封膜、40a…第一阻挡层、40a1…上表面、40a2…第一阻挡层覆盖部、40b…基底层、40b1…上表面、40b2…基底层覆盖部、40c…中间层、40c1…上表面、40c2…第一覆盖部、40c3…第二覆盖部、40d…第二阻挡层、41…部分、41a…异物、41b…接触面、41c、41d…部分、42…角部、45…填充剂、50…对置基板、D…显示区域、d1、d2…高度、P…像素、S…高低差、α…接触角。具体实施方式下面，根据附图，对本专利技术的一个实施方式的有机电致发光显示装置1进行说明。此外，在以下说明中所参照的附图，有时为了便于理解特征而放大表示作为特征的部分，各构成部分的尺寸比例等并非与实际相同。另外，在以下的说明中所列举的材料等是一个例子，各构成部分也可以不同于它们，在不改变其宗旨的范围能够变更并实施。图1是本专利技术的本实施方式的有机电致发光显示装置1的概略平面图，图2是图1所示的有机电致发光显示装置1的Ⅱ-Ⅱ切断线中的概略切截面。如图2所示，本实施方式的有机电致发光显示装置1具有基板10、电路层12、有机电致发光元件30、密封膜40和隔着填充剂45配置在密封膜40上的对置基板50。基板10是绝缘性基板，在其上表面形成后述的薄膜晶体管11和有机电致发光元件30。在基板10的上表面10a的上方设有有机电致发光元件30。此外，有机电致发光元件30在基板10的上表面10a的上方设有多个，为了方便说明，在图2中省略详细的图示。如图1所示，有机电致发光元件30例如设置于具有平视时比基板10小的外周的显示区域D中。另外，在显示区域D的外侧区域中，如图2所示，配本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光显示装置，其特征在于，具有：基板；形成在所述基板上的多个像素；和覆盖所述多个像素的密封膜，所述密封膜包括：第一阻挡层；覆盖所述第一阻挡层的上表面的基底层；局部地形成在所述基底层的上表面的中间层；和覆盖所述基底层的上表面和所述中间层的上表面的第二阻挡层，所述中间层以覆盖所述基底层上表面的高低差的方式形成。

【技术特征摘要】
2013.03.15 JP 2013-0534691.一种在基板上形成有像素的有机电致发光显示装置，所述像素包括薄膜晶体管、由所述薄膜晶体管控制的像素电极、配置在所述像素电极上的有机层和配置在所述有机层上的对置电极，该有机电致发光显示装置的特征在于：所述像素被密封膜覆盖，所述像素上的所述密封膜具有：层叠第一阻挡层、基底层和第二阻挡层的第一区域；和层叠所述第一阻挡层、所述基底层、中间层和所述第二阻挡层的第二区域，所述基底层由非晶硅、S...

【专利技术属性】
技术研发人员：神谷哲仙，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP