【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种存储器抗震抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质：十二烷基苯磺酸8-13份，纳米氧化镁2-5份，硬脂酸盐5-9份，乙烯基双硬脂酰胺12-17份，乙酸正丁酯13-16份，盐酸1-6份，纳米氧化铜2-7份，纳米氧化锌1-2份，过氧化苯甲酰9-10份，酸洗剂3-4份，二氧化氯11-16份，甲基硅油4-9份，除蜡水5-8份，硬脂酰胺1-3份。本专利技术的抛光液性能稳定，抛光效果好，可满足制备纳电子相变存储器中工艺的需要。【专利说明】一种存储器抗震抛光液
本专利技术涉及一种存储器抗震抛光液。
技术介绍
相变存储器因具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震动和抗辐射、成本具有竞争力等优点，而被国际半导体行业协会认为是最有可能取代目前的闪存存储器的下一代非易失性存储器。相变存储器技术的基本原理是以硫系化合物为存储介质，利用电能使材料在晶态与非晶态(高阻)之间相互转换实现信息的写入与擦除，信息的读出则靠测量电阻的变化实现。存储单元包括由电介质材料定义的细孔，相变材料沉积在细孔中，相变材料在细孔的一端上连接电极。电极接触使电流通过该通道产生焦耳热对该单元进行编程，或者读取该单元的电阻状态。 目前，在构建相变存储单元时，通行的做法是:先通过磁控溅射的方法沉积相变材料在由电介质材料定义的细孔中，然后通过反应离子刻蚀CRIE)或者化学机械抛光的方法，将细空上方的相变材料进行去除。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种存储器抗震抛光液。 为解决上述技术问题，本专利技术采...
【技术保护点】
一种存储器抗震抛光液，其特征在于，包括下列重量份数的物质：十二烷基苯磺酸8‑13份，纳米氧化镁2‑5份，硬脂酸盐5‑9份，乙烯基双硬脂酰胺12‑17份，乙酸正丁酯13‑16份，盐酸1‑6份，纳米氧化铜2‑7份，纳米氧化锌1‑2份，过氧化苯甲酰9‑10份，酸洗剂3‑4份，二氧化氯11‑16份，甲基硅油4‑9份，除蜡水5‑8份，硬脂酰胺1‑3份。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范向奎，
申请(专利权)人：青岛宝泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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