液晶显示器制造技术

根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器包括：栅极线，位于第一基板上；数据线，位于第一基板上，该数据线交叉栅极线并且包括分别位于每个单元像素的左侧和右侧的第一数据线和第二数据线；以及屏蔽电极，平行于数据线延伸并且交叠第一像素的第二数据线和第二像素的第一数据线之间的部分。单元像素包括第一像素和邻近第一像素的第二像素并且第一像素的第二数据线邻近第二像素的第一数据线。

【技术实现步骤摘要】
过所述多条信号线向像素电极施加电压。晶显示器由于其高对比度和宽参考视角而有施加电场时液晶分子的长轴关于显示面'使侧面可视性接近正面可视性，已经提出子像素施加不同的电压以改变透射率的方I'，所述两个子像素的透射率改变使得侧面之高灰度级增加，这影响了在侧面的灰度级以像素尺寸需要减小以增加设置在基板上薄膜晶体管的结构可以被减小多少存在限透射率的减少。:勺可视性、在低灰度级区域中具有更准确的冲液晶显示器，该液晶显示器包括:第一基供第一电压；第二子像素电极，位于第一基-子像素电极和第二子像素电极之间。第一绝缘层下的第一子区域和位于绝缘层上的在绝缘层中的接触孔连接。第二部分包括在多个不同方向上延伸的多像素电极的第二部分可以与其间的绝缘层勺部分可具有平坦形状。第一基板上；数据线，位于第一基板上并且I的左侧和右侧的第一数据线和第二数据霧上，交叠数据线并且被绝缘层覆盖。-像素的第二像素，第一像素的第二数据线平行于数据线延伸并且可以交叠第一像素此外，根据本公开的示例性实施方式，可以通过形成交叠数据线的屏蔽电极而抑制寄生电容的产生，寄生电容可能发生在像素电极和数据线之间。因此，可以减小像素电极和数据线之间的分隔距离，以改善整体开口率。此外，根据本公开的示例性实施方式，提供一种结构，在该结构中绝缘层覆盖屏蔽电极以防止位于上面板和下面板上的电极短路。 【附图说明】 图1是根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的布局图。 图2是图1的液晶显示器沿线I1-1I截取的截面图。 图3是图1的液晶显示器的第一子像素电极的布局图。 图4是图1的液晶显示器的第一子像素电极和第二子像素电极的一部分的布局图。 图5是图1的液晶显示器沿线V-V截取的截面图。 图6是图1的液晶显示器沿线V1-VI截取的截面图。 图7是图1的液晶显示器沿线VI1-VII截取的截面图。 图8是图1的液晶显示器沿线VII1-VIII截取的截面图。 图9是根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的布局图。 图10是图9的液晶显示器沿线X-X截取的截面图。 【具体实施方式】 在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施方式。如同本领域的技术人员能了解的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式修改，所有修改都不脱离本公开的精神或范围。 在图中，为了清晰，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。将理解，当一层被称为“在”另一层或基板“上”时，它可以直接在所述另一层或基板上，或者也可以存在居间层。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的元件。 在下文中，将参考图1至图8描述根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器。图1是根据本公开的示例性实施方式的液晶显示器的布局图。图2是图1的液晶显示器沿线I1-1I截取的截面图。图3是图1的液晶显示器的第一子像素电极的布局图。图4是图1的液晶显示器的第一子像素电极和第二子像素电极的一部分的布局图。图5是图1的液晶显示器沿线V-V截取的截面图。图6是图1的液晶显示器沿线V1-VI截取的截面图。图7是图1的液晶显示器沿线VI1-VII截取的截面图。图8是图1的液晶显示器沿线VII1-VIII截取的截面图。 首先，参考图1和图2，根据本示例性实施方式的液晶显示器包括彼此面对的下面板100和上面板200以及插置在两个显示面板100和200之间的液晶层3。 首先，将描述下面板100。 栅极线121、参考电压线131和存储电极135设置在由透明玻璃或塑料制成的绝缘基板110上。栅极线121主要在水平方向上延伸以传送栅信号。 栅极线121包括用于与第一栅电极124a、第二栅电极124b、第三栅电极124c和另一层或外部驱动电路连接的宽的端部分(未示出)。 参考电压线131可以平行于栅极线121延伸，并且具有连接到将在以下描述的第三漏电极175c的延伸部分136。 参考电压线131包括围绕像素区域的存储电极135。 栅极绝缘层140设置在栅极线121、参考电压线131和存储电极135上。 可以由非晶娃或晶体娃制成的第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c设置在栅极绝缘层140上。此外，半导体条(未示出)设置在将在以下描述的数据线171下面。 多个欧姆接触163a、163b、163c、165a和165b设置在第一半导体154a、第二半导体154b和第三半导体154c上。线形的欧姆接触(未示出)可以设置在数据线171下面。当半导体154a、154b和154c是氧化物半导体时，欧姆接触可以被省略。 包括在与水平方向垂直的竖直方向上延伸的数据线171、第一源极电极173a、第二源极电极173b、第一漏极电极175a、第二漏极电极175b、第三源极电极173c和第三漏极电极175c的数据导体171、173a、173b、173c、175a、175b和175c设置在欧姆接触163a、163b、163c、165a和165b以及栅极绝缘层140上。在本示例性实施方式中，数据线171包括分别位于单元像素的左侧和右侧的第一数据线171a和第二数据线171b。在图1所示的布局图中，左像素被称为第一像素，右像素被称为第二像素，第一像素的第二数据线171b和第二像素的第一数据线171a彼此邻近。此外，具有不同极性的信号可以被施加到第一像素的数据线171和第二像素的数据线171。 第二漏极电极175b连接到第三源极电极173c。 第一栅极电极124a、第一源极电极173a和第一漏极电极175a与第一半导体154a一起形成第一薄膜晶体管Qa，该薄膜晶体管的沟道形成在第一源极电极173a和第一漏极电极175a之间的半导体部分154a中。类似地,第二栅极电极124b、第二源极电极173b和第二漏极电极175b与第二半导体154b —起形成第二薄膜晶体管Qb，该薄膜晶体管的沟道形成在第二源极电极173b和第二漏极电极175b之间的半导体部分154b中。此外，第三栅极电极124c、第三源极电极173c和第三漏极电极175c与第三半导体154c —起形成第三薄膜晶体管Qc，该薄膜晶体管的沟道形成在第三源极电极173c和第三漏极电极175c之间的半导体部分154c中。 第一钝化层180a，其可以由无机绝缘体诸如硅氮化物或硅氧化物制成，设置在数据导体 171、173a、173b、173c、175a、175b 和 175c 上以及半导体 154a、154b 和 154c 的暴露部分上。 滤色器230位于第一钝化层180a上。 光阻挡构件(未示出)可以位于没有滤色器230的区域上并且可以交叠滤色器230的一部分。光阻挡构件还被称为黑矩阵并且防止光泄漏。 第一外覆层(盖层)80位于滤色器230上。第一外覆层80防止滤色器230分离并且可以防止由于有机材料诸如从滤色器渗入的溶剂而引起的对液晶层3的污染，因而防止可能在屏幕被驱动时发生的缺陷诸如余像。 第一子像素电极191a的第一子区域191al设置在第一外覆层80上。 参考图3，第一子像素电极191a的第一子区域191al具有平坦形状，其包括位于像素区域的中心的十字形连接部分和位于十字形连接部分周围以围绕十字形连接部分的四个平行四边形。第一延伸部分193位于十字形连接部分的中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器，包括：栅极线，位于第一基板上；数据线，位于所述第一基板上，所述数据线交叉所述栅极线并且包括分别位于每个单元像素的左侧和右侧的第一数据线和第二数据线，其中所述单元像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第二像素，所述第一像素的所述第二数据线邻近所述第二像素的所述第一数据线；以及屏蔽电极，平行于所述数据线延伸并且交叠所述第一像素的所述第二数据线和所述第二像素的所述第一数据线的一部分。

【技术特征摘要】
2013.03.12 KR 10-2013-00263311.一种液晶显示器，包括: 栅极线，位于第一基板上； 数据线，位于所述第一基板上，所述数据线交叉所述栅极线并且包括分别位于每个单元像素的左侧和右侧的第一数据线和第二数据线，其中所述单元像素包括第一像素和邻近所述第一像素的第二像素，所述第一像素的所述第二数据线邻近所述第二像素的所述第一数据线；以及 屏蔽电极，平行于所述数据线延伸并且交叠所述第一像素的所述第二数据线和所述第二像素的所述第一数据线的一部分。2.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括: 第一子像素电极，位于所述第一基板上并且被提供第一电压； 第二子像素电极，位于所述第一基板上并且被提供第二电压；和 绝缘层，位于所述第一子像素电极和所述第二子像素电极之间， 其中所述第一子像素电极的至少一部分位于所述绝缘层下面，所述第二子像素电极位于所述绝缘层上。3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中: 所述屏蔽电极形成在与所述第一子像素电极相同的层中并且具有与所述第一子像素电极相同的材料，并且被所述绝缘层覆盖。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑载勋，金寿桢，金孝植，金勋，申旗澈，DB梁，韩民主，洪知杓，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR