【技术实现步骤摘要】
相关申请本申请要求2013年3月12日提交的美国临时申请号61/778244的权益,并且通过引用将其结合到本文中。
本专利技术涉及一种微电子器件的封装,并且更具体地涉及一种光学或化学半导体器件的封装。
技术介绍
半导体器件的趋势是封装在更小封装(其保护芯片,同时提供了离片信令连通性)中的更小的集成电路(IC)器件(也称作芯片)。一个示例是图像传感器,其是包括了将入射光转变成电信号(其以良好的空间分辨率精确地反映了入射光的强度和色彩信息)的光电探测器的IC器件。 在用于图像传感器的晶片级封装解决方案的研发背后存在不同的驱动力。例如,减小的形状因子(即,为了实现最高能力/体积比而增加的密度)克服了空间限制并且能够实现更小的照相机模块解决方案。增加的电学性能可以利用更短的互连长度来实现,这提高了电学性能并且因此提高了器件速度,并且这强烈降低了芯片功耗。 当前,板上芯片(C0B-其中裸芯片被直接安装在印刷电路板上)和壳箱(Shellcase)晶片级CSP(其中晶片被层叠在两个玻璃薄片之间)是用于构建图像传感器模块的主要封装和组装工艺(例如用于移动设备照相机、光学鼠标等等)。然而,在使用更高分辨率像素图像传感器时,由于组装限制、尺寸限制(对于更小轮廓器件的需求)、产量问题和光学性能上所需的改进,COB和壳箱WLCSP组装变得越来越困难。 需要改进的封装和封装技术,其提供了具有改进性能的小轮廓封装解决方案。
技术实现思路
一种图像传感器封装,包括主衬底组件和传感器芯片。主衬底组件包括第一衬底、第一衬底中的一个或多个电路层、以及电耦 ...
【技术保护点】
一种传感器封装,包括:主衬底组件,包括:第一衬底,一个或多个电路层,其在所述第一衬底中,多个第一接触垫,其被电耦合至所述一个或多个电路层;传感器芯片,包括:第二衬底,其具有相对的第一和第二表面,一个或多个传感器,其被形成在所述第二衬底之上或之下,多个第二接触垫,其被形成在所述第二衬底的第一表面处,并且被电耦合至所述一个或多个传感器;多个孔洞,每一个都被形成到所述第二衬底的第二表面中并且贯穿所述第二衬底延伸到所述第二接触垫中的一个,以及导电引线,每一个都从所述第二接触垫中的一个贯穿所述多个孔洞中的一个,并且沿着所述第二衬底的第二表面延伸;多个电连接器,每一个都将所述第一接触垫中的一个与所述导电引线中的一个电连接。
【技术特征摘要】
2013.03.12 US 61/778244;2014.03.07 US 14/2011541.一种传感器封装,包括: 主衬底组件,包括: 第一衬底, 一个或多个电路层,其在所述第一衬底中, 多个第一接触垫,其被电耦合至所述一个或多个电路层; 传感器芯片,包括: 第二衬底,其具有相对的第一和第二表面, 一个或多个传感器,其被形成在所述第二衬底之上或之下, 多个第二接触垫,其被形成在所述第二衬底的第一表面处,并且被电耦合至所述一个或多个传感器; 多个孔洞,每一个都被形成到所述第二衬底的第二表面中并且贯穿所述第二衬底延伸到所述第二接触垫中的一个,以及 导电引线,每一个都从所述第二接触垫中的一个贯穿所述多个孔洞中的一个,并且沿着所述第二衬底的第二表面延伸; 多个电连接器,每一个都将所述第一接触垫中的一个与所述导电引线中的一个电连接。2.根据权利要求1所述的传感器封装,进一步包括: 间隔件衬底,其被安装在所述第二衬底的第一表面之上,其中所述间隔件衬底包括布置在所述一个或多个传感器之上的一个或多个开口。3.根据权利2所述的传感器封装,进一步包括: 间隔件材料,其被布置在所述间隔件衬底和所述第二衬底之间,其中所述间隔件材料包括布置在所述一个或多个传感器之上的一个或多个开口,以及其中所述间隔件材料被布置在所述第二接触垫上并且向所述第二接触垫提供机械支撑。4.根据权利要求1所述的传感器封装,进一步包括: 间隔件衬底,其被安装在所述第二衬底的第一表面上,其中所述间隔件衬底包括布置在所述一个或多个传感器之上的一个或多个开口,以及其中所述间隔件衬底被布置在所述第二接触垫上并且向所述第二接触垫提供机械支撑。5.根据权利要求1所述的传感器封装,进一步包括: 绝缘材料的层,其在所述导电引线中的每一个与所述第二衬底之间。6.根据权利要求1所述的传感器封装,进一步包括: 绝缘材料的层,其被布置在所述第二衬底的第二表面之上并且覆盖了所述多个电连接器,除了与所述多个电连接器电接触的其接触垫部分之外。7.根据权利要求1所述的传感器封装,其中,所述多个孔洞中的每一个都具有漏斗形状的横截面。8.根据权利要求1所述的传感器封装,其中,所述一个或多个传感器包括被配置为接收入射在所述第二衬底的第一表面上的光的多个光电探测器。9.根据权利要求8所述的传感器封装,进一步包括: 透镜模块,其被安装至所述主衬底组件,其中所述透镜模块包括被布置用于将光聚焦到所述光电探测器上的一个或多个透镜。10.根据权利要求1所述的传...
【专利技术属性】
技术研发人员:V·奥加涅相,Z·卢,
申请(专利权)人:奥普蒂兹公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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