一种AMOLED显示器件及其子像素结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种AMOLED显示器件及其子像素结构的制备方法，通过在子像素的制备中变更共振腔调整层的金属掩膜版，以形成具有不同厚度共振腔调整层的子像素，进而在一个像素单元中增加淡蓝色子像素结构和橘色子像素结构，以形成包含纯蓝色子像素、纯红色子像素、纯绿色子像素、淡蓝色子像素和橘色子像素的像素单元，并在相邻的两个像素单元中共用相邻的两个子像素，进而形成AMOLED显示器件，以有效降低显示屏功耗，并同时还能维持AMOLED显示器件原有的高色彩饱和度。

【技术实现步骤摘要】
一种AMOLED显示器件及其子像素结构的制备方法
本专利技术涉及一种有机发光器件，尤其涉及一种AMOLED显示器件及其子像素结构的制备方法。
技术介绍
目前，低耗电及高色彩饱和度的显示屏为目前显示屏的发展趋势，AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极体面板)面板具有自发光能力的背光源和具备高色彩饱和度成为电显示屏发展项目之一。在AMOLED显示屏中,包括三种颜色OLED的器件，其中绿光OLED器件同时具备最高的发光效率及高色纯度,而红光OLED器件想得到高色纯度的红光,发光效率将发生大幅减少，同样的蓝光OLED器件,欲得到高色纯度的蓝光,发光效率将也发生大幅降低；然而淡蓝色OLED器件比起高色纯度蓝光OLED器件,发光效率将可大幅提升，同样橘色OLED器件，也比红光OLED器件，发光效率也可进一步提高，因此，在传统RGB像素排列中，增加淡蓝色及橘色子像素,藉由高效率的淡蓝色及橘色OLED器件协助发光，将可以有效降低显示屏功耗,并维持AMOLED显示屏原有的高色饱和度；中国专利(公开号：CN1667455A)公开了一种半透射反射式液晶显示器的像素结构，包括一红色子像素、一绿色子像素、一蓝色子像素以及一彩度调整子像素,其中彩度调整子像素、红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素呈阵列排列,彩度调整子像素的彩度小于红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素的彩度,且彩度调整子像素中反射区域的面积大于红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素其中之一的反射区域的面积。由于在像素结构中设计一个可降低彩度的子像素,所以可调整半透射反射式液晶显示器的透射率以及像素整体的色彩饱和度。本专利技术是采用在像素结构中设计一可降低彩度的彩度调整子像素，进而可调整半透射反射式液晶显示器的透射率以及像素整体的色彩饱和度。中国专利(公开号：CN101262725A)公开了一种发光装置及其制造方法和电子设备。该发光装置(10)具有多个像素(P)。各像素(P)具有4个子像素(1)。各像素(P)的子像素(1)分别是红色子像素(1R)、桃色子像素(1P)、蓝色子像素(1B)和绿色子像素(1G)。各子像素具有发光层(16)、与该发光层16重叠的滤色器(192)。红色子像素(1R)、桃色子像素(1P)和蓝色子像素(1B)的发光层由发存在于红色光的波长区域的红色波峰和存在于蓝色光的波长区域的蓝色波峰之间成为波谷的发光光谱的双波峰白色光的白色发光材料形成。本专利技术通过适宜地规定除红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素之外的剩余子像素所表现出来的颜色，可以使各子像素的发光的利用效率充分提高，用低耗电就可以得到足够高的显示质量。美国专利(US2012105517A1)公开了一种主动式矩阵有机发光二级管显示面板的驱动方法。利用(1931)CIE色域坐标的特性以有效地设计出一套演算方法来决定如何驱动具有红色、绿色、第一蓝色(淡蓝色)与第二蓝色(深蓝色)四个子像素的单一像素。而且，于同一时间，单一像素中对应于两种蓝色(深蓝色与淡蓝色)的子像素只有一个会被用来以与其它的红色与绿色子像素进行混色。本专利技术利用(1931)CIE色域坐标的特性设计出一套演算方法来决定如何驱动单一像素，且单一像素中对应的两种蓝色的子像素只有一个用来与其他子像素进行混色，在增加矩阵式矩阵有机发光二极管的发光效率的同时，也可以有效减少主动式矩阵有机发光二极管显示器整体的功率消耗。
技术实现思路
本专利技术公开了一种AMOLED显示器件及其子像素结构的制备方法，通过在子像素的制备中变更共振腔调整层的金属掩膜版,以形成具有不同厚度共振腔调整层的子像素，进而在一个像素单元中增加淡蓝色子像素结构和橘色子像素结构,以形成包含纯蓝色子像素、纯红色子像素、纯绿色子像素、淡蓝色子像素和橘色子像素的像素单元，并在相邻的两个像素单元中共用相邻的2个子像素，进而形成AMOLED显示器件，以有效降低显示屏功耗，并同时还能维持AMOLED显示器件原有的高色彩饱和度。本专利技术记载了一种AMOLED显示器件，其中，所述显示器件包括由若干个像素单元构成的像素阵列，且每个所述像素单元均由至少四个子像素构成，并通过调配所述子像素，使所述像素单元发出所需的光；其中，每个所述子像素中均设置有共振腔调整层，且任意一个所述子像素的共振腔调整层的厚度与其余子像素的共振腔调整层的厚度均不相同。上述AMOLED显示器件，其中，所述子像素包括纯蓝色子像素、纯红色子像素、纯绿色子像素、淡蓝色子像素和橘色子像素。上述AMOLED显示器件，其中，所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述纯绿色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素按照瓦矩阵像素排列方式进行排列，形成所述像素阵列。上述AMOLED显示器件，其中，每个所述像素单元中，均以所述纯绿色子像素为中心，环绕该所述纯绿色子像素设置所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素；其中，通过共用所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素形成所述像素单元。上述AMOLED显示器件，其中，所述橘色子像素的共振腔调整层的厚度为160纳米～170纳米，所述淡蓝色子像素的共振腔调整层的厚度为100纳米～110纳米。上述AMOLED显示器件，其中，所述纯蓝色子像素的共振腔调整层的厚度为80纳米～90纳米，所述纯红色子像素的共振腔调整层的厚度为180纳米～190纳米。本专利技术记载了一种子像素结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一具有反射阳极和空穴注入层的基底；于该空穴注入层的上表面形成一共振腔调整层；于所述共振腔调整层上依次制备空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和半透明阴极，进而形成纯蓝色子像素结构、纯红色子像素结构、纯绿色子像素结构、淡蓝色子像素结构和橘色子像素结构；其中，所述橘色子像素结构中的共振腔调整层的厚度小于所述纯红色子像素结构中的共振腔调整层的厚度，所述淡蓝色子像素结构中的共振腔调整层的厚度大于所述纯蓝色子像素结构中的共振腔调整层的厚度。上述子像素结构的制备方法，其中，所述发光层为蓝光发光层、红光发光层或绿光发光层。上述子像素结构的制备方法，其中，所述淡蓝色子像素结构中的发光层为所述蓝光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为100纳米～110纳米；所述蓝色子像素结构中的发光层为所述蓝光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为80纳米～90纳米。上述子像素结构的制备方法，其中，所述橘色子像素结构中的所述发光层为红光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为160纳米～170纳米；所述红色子像素结构中的所述发光层为红光发光层，且所述共振腔调整层的厚度为180纳米～190纳米。本专利技术具有如下技术优势：1、通过制备不同厚度的共振腔层，在像素单元中增加了淡蓝色子像素和橘色子像素，可以有效降低显示屏功耗。2、通过瓦矩阵像素(Pentile)排列概念,在一个完整的像素单元中包括5个子像素,分别为纯蓝色子像素，纯红色子像素,纯绿色子像素,淡蓝色子像素,橘色子像素，并在相邻的两个像素中，共用相邻的2个子像素可以减少1/3子像素的数量,得到较高的显示解析度。附图说明构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED显示器件，其特征在于，所述显示器件包括由若干个像素单元构成的像素阵列，且每个所述像素单元均由至少四个子像素构成，并通过调配所述子像素，使所述像素单元发出所需的光；其中，每个所述子像素中均设置有共振腔调整层，且任意一个所述子像素的共振腔调整层的厚度与其余子像素的共振腔调整层的厚度均不相同。

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED显示器件，其特征在于，所述显示器件包括由若干个像素单元构成的像素阵列，且每个所述像素单元均由至少四个子像素构成，并通过调配所述子像素，使所述像素单元发出所需的光；其中，每个所述子像素中均设置有共振腔调整层，且任意一个所述子像素的共振腔调整层的厚度与其余子像素的共振腔调整层的厚度均不相同；所述子像素包括纯蓝色子像素、纯红色子像素、纯绿色子像素、淡蓝色子像素和橘色子像素；每个所述像素单元中，均以所述纯绿色子像素为中心，环绕该所述纯绿色子像素设置所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素；其中，通过共用所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素形成所述像素单元。2.如权利要求1所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述纯蓝色子像素、所述纯红色子像素、所述纯绿色子像素、所述淡蓝色子像素和所述橘色子像素按照瓦矩阵像素排列方式进行排列，形成所述像素阵列。3.如权利要求1所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述橘色子像素的共振腔调整层的厚度为160纳米～170纳米，所述淡蓝色子像素的共振腔调整层的厚度为100纳米～110纳米。4.如权利要求1所述的AMOLED显示器件，其特征在于，所述纯蓝色子像素的共振腔调整层的厚度为80纳米～90纳米，所述纯红色子像素的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林信志，邹忠哲，张斌，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31