【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
四棱锥形、四棱凸台形金属微颗粒的制备方法,其采用光刻、电镀和腐蚀技术制备金属颗粒,其特征在于:具体步骤如下:S1、首先制备掩膜版,用计算机软件绘制出要制作的金属颗粒底面形状,然后转印在石英玻璃或者胶片上,在曝光时使用;S2、选取合适大小的硅片作为基底,然后用去离子水对硅片进行清洗并烘干,使硅片表面清洁干燥;所述的硅片为100晶向;S3、采用等离子体增强化学气相沉积PECVD技术,在硅片上生成一层氮化硅Si3N4薄膜;S4、在制备的氮化硅薄膜上涂一层光刻胶,然后在匀胶台上匀胶,使光刻胶均匀分布在氮化硅薄膜上,并烘干;光刻胶有正性光刻胶和负性光刻胶之分,正性光刻胶是在显影时将被曝光部分光刻胶去除,将未被曝光部分光刻胶保留,负胶相反;根据需要采用正性光刻胶或负性光刻胶;S5、将涂好光刻胶的基片放置在曝光机上,并与预先制作好的掩膜版对正,然后开始曝光;S6、通过显影将金属颗粒图形转移到光刻胶上,然后对基片进行烘烤,以去除显影时所吸收的显影液和残留水分;S7、将显影后的基片,置入到配置好的腐蚀液中,以去除无光刻胶部分的氮化硅薄膜;S8、将基片置入到各向异性腐蚀溶液中,进行腐蚀,在无光刻胶覆盖可得 ...
【技术特征摘要】
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