四棱锥形、四棱凸台形金属微颗粒的制备方法技术

技术编号:10375067 阅读:210 留言:0更新日期:2014-08-28 17:33
四棱锥形、四棱凸台形金属微颗粒的制备方法,属于金属颗粒制备技术领域。本发明专利技术金属颗粒的制备方法能够克服现存金属颗粒制备方法中,颗粒大小不统一、形状不规则等缺点,其主要特征在于采用光刻、电镀和刻蚀技术制备金属颗粒,首先在基片上刻蚀出凹槽,然后在通过电镀技术使凹槽内生长出金属颗粒,最后通过超声振动冲击使金属颗粒脱离基片,从而制备出金属颗粒。本发明专利技术制备的金属颗粒形状规则统一、尺寸大小相同,可应用于工业产品开发和科学实验研究等。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
四棱锥形、四棱凸台形金属微颗粒的制备方法,其采用光刻、电镀和腐蚀技术制备金属颗粒,其特征在于:具体步骤如下:S1、首先制备掩膜版,用计算机软件绘制出要制作的金属颗粒底面形状,然后转印在石英玻璃或者胶片上,在曝光时使用;S2、选取合适大小的硅片作为基底,然后用去离子水对硅片进行清洗并烘干,使硅片表面清洁干燥;所述的硅片为100晶向;S3、采用等离子体增强化学气相沉积PECVD技术,在硅片上生成一层氮化硅Si3N4薄膜;S4、在制备的氮化硅薄膜上涂一层光刻胶,然后在匀胶台上匀胶,使光刻胶均匀分布在氮化硅薄膜上,并烘干;光刻胶有正性光刻胶和负性光刻胶之分,正性光刻胶是在显影时将被曝光部分光刻胶去除,将未被曝光部分光刻胶保留,负胶相反;根据需要采用正性光刻胶或负性光刻胶;S5、将涂好光刻胶的基片放置在曝光机上,并与预先制作好的掩膜版对正,然后开始曝光;S6、通过显影将金属颗粒图形转移到光刻胶上,然后对基片进行烘烤,以去除显影时所吸收的显影液和残留水分;S7、将显影后的基片,置入到配置好的腐蚀液中,以去除无光刻胶部分的氮化硅薄膜;S8、将基片置入到各向异性腐蚀溶液中,进行腐蚀,在无光刻胶覆盖可得到倒置硅杯;然后用去离子水清洗干净并烘干;S9、采用溅射工艺,将基片放入溅射台,在基片正面上溅射一层电镀种子层;所述的电镀种子层是为了电镀时硅杯部位能通过该种子层形成电流,从而制备出金属颗粒;S10、在制备的电镀种子层上涂一层负性光刻胶,然后在匀胶台上匀胶,使光刻胶均匀分布在基片上,并烘干;S11、将涂好光刻胶的基片正确的安装在曝光机上,并与预先制作好的掩膜版对正,然后进行曝光;S12、通过显影将金属颗粒图形转移到光刻胶上,然后对基片进行烘烤,以去除显影时所吸收的显影液和残留水分。并对剩余部分的光刻胶固化;S13、首先镀前预处理,将基片放置到稀硫酸中清洗。然后开始电镀,将基片作为阴极,金属块作阳极,分别放置在电镀浴液中,并通入直流电流或脉冲直流电源,进行电镀;有光刻胶的部位无变化,无光刻胶的种子层部位会生长出金属颗粒;S14、采用等离子刻蚀或去胶液去除基片上的光刻胶,然后放置在装有纯净水的容器中,采用超声清洗机对基片进行超声振动冲击,使金属颗粒脱离电镀种子层,从而得到所需的金属颗粒;S15、将基片取出,然后对容器中液体进行过滤得到金属颗粒,再对金属颗粒烘干即可。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘本东苏彦强
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:北京;11

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