有机电致发光器件及其制备方法技术

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、掺杂空穴层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述掺杂空穴层的材料包括金属酞菁化合物及掺杂在所述金属酞菁化合物中的金属氧化物及空穴传输材料，所述金属氧化物占所述金属酞菁化合物的质量百分数为1%～5%，所述空穴传输材料占所述金属酞菁化合物的质量百分数为10%～40%。上述有机电致发光器件的出光效率较高。本发明专利技术还提供一种有机电致发光器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

[0001 ] 本专利技术涉及一种。
技术介绍
有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种出光效率较高的。—种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、掺杂空穴层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述掺杂空穴层的材料包括金属酞菁化合物及掺杂在所述金属酞菁化合物中的金属氧化物及空穴传输材料，所述金属酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种，所述金属氧化物选自二氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、掺杂空穴层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述掺杂空穴层的材料包括金属酞菁化合物及掺杂在所述金属酞菁化合物中的金属氧化物及空穴传输材料，所述金属酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种，所述金属氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述空穴传输材料选自1，1‑二[4‑[N，N′‑二(p‑甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4′′‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺及N，N’‑（1‑萘基）‑N，N’‑二苯基‑4,4’‑联苯二胺中的至少一种，所述金属氧化物占所述金属酞菁化合物的质量百分数为1%～...

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基底、阳极、掺杂空穴层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述掺杂空穴层的材料包括金属酞菁化合物及掺杂在所述金属酞菁化合物中的金属氧化物及空穴传输材料，所述金属酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁及酞菁钒中的至少一种，所述金属氧化物选自二氧化镨、三氧化二镨、三氧化镱及氧化钐中的至少一种，所述空穴传输材料选自1，1-二 [4-[N，K - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’_ (1-萘基)-N，N’-二苯基_4，4’-联苯二胺中的至少一种，所述金属氧化物占所述金属酞菁化合物的质量百分数为1%~5%，所述空穴传输材料占所述金属酞菁化合物的质量百分数为10%~40%。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂空穴层的厚度为10nm~80nmo3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率为1.8~2.2。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料选自4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在玻璃基底的背面磁控...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，冯小明，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44