太阳能电池及其制备方法技术

公开了一种太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括：在支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的氧化钼层；在所述氧化钼层上的光吸收层；以及，在所述光吸收层上的前电极层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[0001 ] 实施例涉及。
技术介绍
近来，因为严重的环境污染和矿物燃料的缺少，对于新的可再生能源的需求和新的可再生能源的兴趣一直在增加。在这一点上，太阳能电池作为解决未来的能量问题的无污染能源成为人们关注的焦点，因为它很少引起环境污染，并且具有半永久性寿命，并且存在用于太阳能电池的无限资源。太阳能电池可以被定义为用于通过使用当光入射在P-N结二极管上时产生电子的光生伏打效应来将光能转换为电能的装置。太阳能电池可以根据构成结型二极管的材料被分类为:娃太阳能电池；化合物半导体太阳能电池，其主要包括1-1I1-VI族化合物或II1-V族化合物；染料敏化太阳能电池；以及，有机太阳能电池。由作为基于1-1I1-VI族黄铜矿的化合物半导体之一的CIGS(CuInGaSe)构成的太阳能电池表现出优越的光吸收性，使用薄的厚度的较高的光电转换效率和优越的电光稳定性，因此将CIGS太阳能电池关注为传统的硅太阳能电池的替代品。通过依序形成包括钠(Na)、背电极层、光吸收层和窗口层的薄膜的基板来制造CIGS薄膜太阳能电池。如上所述，光吸收层包括CIGS化合物。当在背电极层上形成CIGS化合物时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，包括：在支撑基板上的背电极层；在所述背电极层上的氧化钼层；在所述氧化钼层上的光吸收层；以及，在所述光吸收层上的前电极层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.02 KR 10-2011-01132921.一种太阳能电池，包括: 在支撑基板上的背电极层； 在所述背电极层上的氧化钥层； 在所述氧化钥层上的光吸收层；以及， 在所述光吸收层上的前电极层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括在所述氧化钥层和所述光吸收层之间的接触电阻层，其中，所述接触电阻层的厚度比所述氧化钥层的厚度薄。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述氧化钥层的所述厚度在IOnm至50nm的范围内，并且所述接触电阻层的所述厚度在IOnm至40nm的范围内。4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述接触电阻层包括硒化钥(MoSe2)或硫化钥(MoS2)。5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述氧化钥层包括MoO2或此03。6.一种太阳能电池,包括: 在支撑基板上的背电极，穿透所述背电极层形成的部分地暴露所述支撑基板上表面的穿孔； 在透过所述穿孔暴露的所述背电极层的至少一个表面上的电流阻挡部； 在所述背电极层上的氧化钥层； 在所述氧化钥层上的光吸收层；以及 在所述光吸收层上的前电极层。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，进一步包括在所述氧化钥层和所述光吸收层之间的接触电阻层。8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述接触电阻层和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴起昆，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR