太阳能装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种太阳能装置及其制造方法。所述太阳能装置包括：基板、在所述基板上的背电极层、与所述背电极层直接接触并沿第一方向延伸的多个子电极、在所述背电极层上的光吸收层、以及在所述光吸收层上的前电极层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能装置及其制造方法
本专利技术涉及一种太阳能装置及其制造方法。
技术介绍
将太阳光转化为电能的太阳能电池装置包括太阳能电池板、二极管和支架。太阳能电池板具有平板形状。例如，太阳能电池板具有矩形平板形状。太阳能电池板设置在支架内。太阳能电池板的四个侧面设置在支架内。太阳能电池板接收太阳光，并将太阳光转化为电能。太阳能电池板包括多个太阳能电池。太阳能电池板可以进一步包括基板、膜、或者用于保护太阳能电池的防护玻璃。太阳能电池板包括与太阳能电池相连的汇流条。汇流条从最外的太阳能电池的上表面延伸并分别与导线连接。所述二极管与太阳能电池板并联。电流选择性地流经二极管。也就是说，当太阳能电池板性能恶化时，电流流经二极管。因此，可以防止实施例所述的太阳能电池装置的短路。太阳能电池装置可以进一步包括与二极管和太阳能电池板相连的导线。这些导线连接彼此相邻的太阳能电池板。所述支架容纳所述太阳能电池板。支架由金属制成。支架设置在所述太阳能电池板的侧面。支架容纳太阳能电池板的侧面。支架可以包括多个子支架。这种情况下，子支架可以彼此相连。这样的太阳能电池装置安置于室外区以将太阳光转化为电能。因此，太阳能电池装置可以受到外部的物理影响、电影响和化学影响。未审查的韩国专利申请No.10-2009-0059529公开了一种与该太阳能电池装置相关的技术。
技术实现思路
技术问题本专利技术提供一种具有提高的电学和物理性能并且容易制造的太阳能装置及其制造方法。技术方案本实施例所述的太阳能电池装置包括基板、在基板上的背电极层、与背电极层直接接触并沿第一方向延伸的多个子电极、在背电极层上的光吸收层、及在光吸收层上的前电极层。本实施例所述的太阳能装置的制造方法包括以下步骤：在基板上形成多个子电极、在所述基板上形成与子电极接触的背电极层、在所述背电极层上形成光吸收层、以及在所述光吸收层上形成前电极层。有益效果根据实施例所述的太阳能装置，所述背电极层的电学性能可以通过与背电极层直接接触的子电极而提高。特别地，子电极可以包括电阻比背电极层的电阻更低的金属。特别地，在本实施例所述的太阳能装置中，子电极可以沿电流流动方向延伸。因此，所述子电极可以提高本实施例所述的太阳能装置的电学性能。因此，所述太阳能装置可以减小背电极层的厚度。特别地，当背电极层使用钼时，背电极层的厚度可以降低，从而可以容易地以低成本制造所述太阳能装置。另外，所述子电极可以彼此隔开。因此，子电极和基板之间的热应力可以释放。因此，本实施例所述的太阳能装置可以呈现出提高的可靠性和提高的耐久性。附图说明图1是平面图，示出了本实施例所述的太阳能装置；图2是沿图1的A-A'线截取的剖视图；图3是沿图1的B-B'线截取的剖视图；图4到图8示出了本实施例所述的太阳能装置的制造步骤；图9是剖视图，示出了根据另一实施例所述的太阳能装置；以及图10是剖视图，示出了根据又一实施例所述的太阳能装置。具体实施方式在实施例描述中，应该明白，当某一基板、膜、层、或电极被称作是在另一基板、另一膜、另一层、或另一电极“之上”或者“之下”时，它可以是“直接”或“间接”在该另一基板、膜、层、或电极之上或者之下，或者也可以存在一个或更多的中间层。要素的这种位置参照附图进行了描述。为了方便或清晰起见，附图中所示的每个要素的厚度和尺寸可以夸大、省略或示意地画出。另外，要素的尺寸并不完全反映实际尺寸。图1是平面图，示出了根据实施例所述的太阳能装置。图2是沿图1的A-A'线截取的剖视图。图3是沿图1的B-B'线截取的剖视图。参考图1到图3，所述太阳能装置包括支撑基板100、多个子电极150、背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500、前电极层600、以及多个连接部700。支撑基板100具有平板形状并支撑背电极层200、光吸收层300、缓冲层400、高阻缓冲层500、前电极层600、以及多个连接部700。支撑基板100可以包括绝缘体。支撑基板100可以包括玻璃基板、塑料基板、或金属基板。更详细地讲，支撑基板100可以包括钠钙玻璃基板。支撑基板100可以是透明的或者可以是刚性的或可弯曲的。子电极150设置在支撑基板100上。子电极150沿第一方向延伸。子电极150可以沿第一方向设置成排。另外，子电极150彼此隔开。另外，子电极150彼此平行设置。子电极150可以彼此平行设置。另外，子电极150的宽度W可以在约1mm到约3mm的范围内。另外，子电极150之间的距离可以在约80mm到150mm的范围内。因此，由于子电极150彼此隔开，所以，可以抑制子电极150的分离。特别地，由于子电极150不是在前表面上形成，所以，可以抑制由子电极150和支撑基板100的热膨胀系数之间的差异所导致的分离。子电极150插在支撑基板100和背电极层200之间。子电极150与背电极基板200的下表面直接接触。另外，子电极150与支撑层100的上表面直接接触。子电极150的厚度T1可以在约50nm到约100nm的范围内。子电极150可以包括低电阻金属。更详细地讲，子电极150可以包括电阻比背电极层200所用材料的电阻更低的金属。子电极150所用材料可以包括银或铜。背电极层200设置在支撑基板100上。更详细地讲，背电极层200设置在子电极150上。也就是说，背电极层200覆盖子电极150。特别地，背电极层200覆盖子电极150的侧面152。背电极层200可以与支撑基板100的上表面和子电极150的侧面152直接接触。背电极层200与子电极150直接接触。更详细地讲，背电极层200与子电极150的上表面直接接触。也就是说，背电极层200与子电极150直接电连接。背电极层200可以是导电层。背电极层200可以包括金属，例如钼(Mo)。由于子电极150补充了背电极层200的电学特性，所以，背电极层200可以以较薄的厚度形成。特别地，背电极层200由钼形成，并且当子电极150由低电阻金属(例如银或铜)形成时，背电极层200的厚度可以变薄。这种情况下，背电极层200的厚度可以在约100nm到约300nm范围内。另外，背电极层200可以包括至少两层。这种情况下，这些层可以用同种金属或不同种金属形成。在背电极层200内设置第一通孔TH1。第一通孔TH1是开放区域以露出支撑基板100的上表面。在平面图中看时，第一通孔TH1可以具有沿第二方向延伸的形状。第一通孔TH1穿过子电极150形成。也就是说，每个第一通孔TH1的内侧面201和每个子电极150的顶端面151可以在同一平面上对齐。也就是，通过第一通孔TH1，子电极150可以彼此电绝缘。第一通孔TH1的宽度可以在约80μm到约200μm的范围内。第一通孔TH1将背电极层200分为多个背电极。也就是说，背电极由第一通孔TH1限定。通过第一通孔TH1，背电极彼此隔开。背电极以条的形式排列。相反地，背电极可以以矩阵形式排列。这种情况下，当在平面图中看时，第一通孔TH1可以呈晶格形式。光吸收层300设置在背电极层200上。另外，组成光吸收层300的材料填充在第一通孔TH1内。光吸收层300包括Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物。例如，光吸收层300可以具有Cu(In,Ga)Se2(CIGS)晶体结构、Cu(In)Se2晶体结构、或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能装置，包括：基板；在所述基板上的背电极层；与所述背电极层直接接触并沿第一方向延伸的多个子电极；在所述背电极层上的光吸收层；以及在所述光吸收层上的前电极层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.04 KR 10-2011-01008491.一种太阳能装置，包括：基板；在所述基板上的背电极层；与所述背电极层直接接触并沿第一方向延伸的多个子电极；在所述背电极层上的光吸收层；以及在所述光吸收层上的前电极层，其中，所述背电极层包括：在所述基板上的第一背电极层；以及在所述第一背电极层上的第二背电极层，其中，所述子电极插在所述第一背电极层和所述第二背电极层之间，其中，所述子电极的厚度在50nm到100nm的范围内，所述子电极的宽度在1mm到3mm的范围内，并且所述子电极之间的距离在80mm到150mm的范围内，其中，所述子电极与所述第一背电极层的上表面和所述第二背电极层的下表面直接接触，其中，所述第二背电极层覆盖所述子电极的上表面和侧面，并且所述第二背电极层与所述第一背电极层的上表面直接接触。2.如权利要求1所述的太阳能装置，其中，所述太阳能装置包括沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的多个第一通孔。3.如权利要求2所述的太阳能装置，其中，每个第一通孔的内表面与每个子电极的顶端面在同一平面上对齐。4.如权利要求1所述的太阳能装置，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹豪健，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR