本实用新型专利技术公开了一种三复合触点，包括纯铜基体、银化合物复合层和连接复合层，所述纯铜基体由圆台状头部和圆柱状脚部构成，所述圆台状头部和圆柱状脚部一体设置，所述头部背向脚部一侧上设有第一凹槽，所述第一凹槽上设有银化合物复合层，所述银化合物复合层与第一凹槽相嵌，所述脚部背向头部一侧设有第二凹槽，所述第二凹槽上设有连接复合层，所述连接复合层与第二凹槽相嵌。本实用新型专利技术的三复合触点，导电性能好，头部的银化合物复合层不容易变形，不会从纯铜基体上脱落。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
三复合触点
本技术涉及一种电子元器件用的触点，更具体的说是涉及一种三复合触点。
技术介绍
触点是各种电子元器件中常用的元件，虽然体积很小，但对其性能的要求很高，所以触点的制作材料大多数都是贵金属材料，尤其银在其中占有很大的分量。目前市场上用的是纯银的复合触点，但是这种触点强度低、硬度低，而且用量大，价格昂贵，生产成本高，于是就有人专利技术了一种三复合触点，将铜作为基体，然后将银化合物复合到基体的顶部，在保证了触点通电性能的同时，也增加了触点的硬度，但是这种三复合触点内部的复合面为平面，由于触点在使用的时候需要不断的接触和分离，在这个力的作用下，银化合物就会被挤压变形，就会使得触点的导电性能出现问题，而且由于复合面是平面，难免会出现复合在基体顶部的银化合物出现脱落的情况，使得触点的导电性能下降。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的在于提供一种顶部银化合物复合层不易变形，不会脱落的三复合触点。为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案:一种三复合触点，包括纯铜基体、银化合物复合层和连接复合层，所述纯铜基体由圆台状头部和圆柱状脚部构成，所述圆台状头部和圆柱状脚部一体设置，所述头部背向脚部一侧上设有第一凹槽，所述第一凹槽上设有银化合物复合层，所述银化合物复合层与第一凹槽相嵌，所述脚部背向头部一侧设有第二凹槽，所述第二凹槽上设有连接复合层，所述连接复合层与第二凹槽相嵌。通过采用上述技术方案，当触点在使用中时，由于外部的作用，触点之间需要不断的接触和分离，这样就会对触点上的银化合物复合层产生一个冲击力，由于头部背向脚部一侧上设有第一凹槽，第一凹槽上设有银化合物复合层，银化合物复合层与第一凹槽相嵌，这种设置使得银化合物复合层不是平板形状，这样在其中一点受力的时候，就可以更好的将所受到的力均匀的分布在整个银化合物复合层上，就可以避免银化合物复合层因为单点受力而产生变形，让触点的导电性能变差，而且由于有第一凹槽的存在，银化合物复合层与基体之间的复合面就不是平面，这样就不会出现银化合物复合层从基体上脱落的问题，同时第二凹槽的设置也可以放置连接复合层从基体上脱落的问题。本技术进一步设置为:所述第一凹槽为半球形凹槽，所述第二凹槽为半球形凹槽。通过采用上述技术方案，半球形的设置可以让第一凹槽和第二凹槽所受到的力更加均匀的分布到槽的每一处，使得设置在第一凹槽上的银化合物复合层和设置在第二凹槽上的连接复合层不容易产生变形，而且在制作的时候也比较简单方便。本技术进一步设置为:所述银化合物复合层为圆盘状，所述银化合物复合层直径小于第一凹槽槽口直径，所述银化合物复合层与第一凹槽同轴设置。通过采用上述技术方案，在触点相接触时由于是点接触，所以整个银化合物复合层所受到的力基本都是集中在中间部位，该圆盘状的银化合物复合层是中间厚两边薄的，这样中间所能承受的力要比两边远远大的多，而且银化合物复合层直径小于第一凹槽槽口直径，相当于是将整个银化合物复合层镶嵌到基体上，在银化合物复合层将要产生形变时就可以通过第一凹槽有效的抵住，防止银化合物复合层变形。本技术进一步设置为:所述连接复合层为半球形，所述连接复合层直径大于第二凹槽槽口直径，所述连接复合层背向脚部一面设有焊接面，所述焊接面面积大于脚部截面面积。通过采用上述技术方案，连接复合层为半球形，半球形的设置可以让第二凹槽上所受到的力均匀的分到第二凹槽的每一处，这样第二凹槽就可以承受比较大的力而不变形，而焊接面的设置，就可以通过焊接面将连接复合层焊接到电器元件上，焊接的时候更加方便，而且焊接完成以后连接也更加的牢固。【附图说明】图1为本技术的三复合触点的剖视图。图中:1、基体；2、银化合物复合层；3、连接复合层；11、头部；12、脚部；111、第一凹槽；121、第二凹槽；31、焊接面。【具体实施方式】参照图1所示，本实施例的一种三复合触点，包括纯铜基体1、银化合物复合层2和连接复合层3，所述纯铜基体I由圆台状头部11和圆柱状脚部12构成，所述圆台状头部11和圆柱状脚部12 —体设置，所述头部11背向脚部12 —侧上设有第一凹槽111，所述第一凹槽111上设有银化合物复合层2，所述银化合物复合层2与第一凹槽111相嵌，所述脚部12背向头部11 一侧设有第二凹槽121，所述第二凹槽121上设有连接复合层3，所述连接复合层3与第二凹槽121相嵌。通过采用上述技术方案，当触点在使用中时，由于外部的作用，触点之间需要不断的接触和分离，这样就会对触点上的银化合物复合层2产生一个冲击力，由于头部11背向脚部12 —侧上设有第一凹槽111，第一凹槽111上设有银化合物复合层2，银化合物复合层2与第一凹槽111相嵌，这种设置使得银化合物复合层2不是平板形状，这样在其中一点受力的时候，就可以更好的将所受到的力均匀的分布在整个银化合物复合层2上，就可以避免银化合物复合层2因为单点受力而产生变形，让触点的导电性能变差，而且由于有第一凹槽111的存在，银化合物复合层2与基体I之间的复合面就不是平面，这样就不会出现银化合物复合层2从基体I上脱落的问题，同时第二凹槽121的设置也可以放置连接复合层3从基体I上脱落的问题。所述第一凹槽111为半球形凹槽，所述第二凹槽121为半球形凹槽。通过采用上述技术方案，半球形的设置可以让第一凹槽111和第二凹槽121所受到的力更加均匀的分布到槽的每一处，使得设置在第一凹槽111上的银化合物复合层2和设置在第二凹槽121上的连接复合层3不容易产生变形，而且在制作的时候也比较简单方便。所述银化合物复合层2为圆盘状，所述银化合物复合层2直径小于第一凹槽111槽口直径，所述银化合物复合层2与第一凹槽111同轴设置。通过采用上述技术方案，在触点相接触时由于是点接触，所以整个银化合物复合层2所受到的力基本都是集中在中间部位，该圆盘状的银化合物复合层是中间厚两边薄的，这样中间所能承受的力要比两边远远大的多，而且银化合物复合层2直径小于第一凹槽111槽口直径，相当于是将整个银化合物复合层2镶嵌到基体I上，在银化合物复合层2将要产生形变时就可以通过第一凹槽111有效的抵住，防止银化合物复合层2变形。所述连接复合层3为半球形，所述连接复合层3直径大于第二凹槽121槽口直径，所述连接复合层3背向脚部12 —面设有焊接面31，所述焊接面31面积大于脚部12截面面积。通过采用上述技术方案，连接复合层3为半球形，半球形的设置可以让第二凹槽121上所受到的力均匀的分到第二凹槽121的每一处，这样第二凹槽121就可以承受比较大的力而不变形，而焊接面31的设置，就可以通过焊接面31将连接复合层3焊接到电器元件上，焊接的时候更加方便，而且焊接完成以后连接也更加的牢固。本技术具有以下优点:导电性能好，头部11的银化合物复合层2不容易变形，不会从纯铜基体I上脱落；当触点在使用中时，由于外部的作用，触点之间需要不断的接触和分离，这样就会对触点上的银化合物复合层2产生一个冲击力，由于头部11背向脚部12一侧上设有第一凹槽111，第一凹槽111上设有银化合物复合层2，银化合物复合层2与第一凹槽111相嵌，这种设置使得银化合物复合层2不是平板形状，这样在其中一点受力的时候，就可以更本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种三复合触点，包括纯铜基体、银化合物复合层和连接复合层，所述纯铜基体由圆台状头部和圆柱状脚部构成，所述圆台状头部和圆柱状脚部一体设置，其特征在于：所述头部背向脚部一侧上设有第一凹槽，所述第一凹槽上设有银化合物复合层，所述银化合物复合层与第一凹槽相嵌，所述脚部背向头部一侧设有第二凹槽，所述第二凹槽上设有连接复合层，所述连接复合层与第二凹槽相嵌。
【技术特征摘要】
1.一种三复合触点，包括纯铜基体、银化合物复合层和连接复合层，所述纯铜基体由圆台状头部和圆柱状脚部构成，所述圆台状头部和圆柱状脚部一体设置，其特征在于:所述头部背向脚部一侧上设有第一凹槽，所述第一凹槽上设有银化合物复合层，所述银化合物复合层与第一凹槽相嵌，所述脚部背向头部一侧设有第二凹槽，所述第二凹槽上设有连接复合层，所述连接复合层与第二凹槽相嵌。2.根据权利要求1所述的三复合触点，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：范康康，
申请(专利权)人：温州铁通电器合金实业有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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