【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器
技术介绍
当前诸如DRAM (动态随机存取存储器)、SRAM (静态RAM)和NAND闪存之类的存储器技术正接近其扩展性极限。对能够满足未来存储器应用的增长性能需求的新存储器技术存在逐渐增长的需求。忆阻器技术具有满足此需求的潜力。忆阻器依赖于移动电荷在施加电场时的漂移。忆阻器包括设置在两个接触区之间的导电沟道。可以在交叉(crossbar)结构中制造大量忆阻器。忆阻器提供非易失性的及多状态的数据存储。它们可以在三个维度上堆叠,并且与CMOS技术兼容。由像钽的氧化物这样的材料制造的忆阻器已显示出高耐用性,在一些情况下超过IO12个开关循环。【附图说明】附图不是按比例绘制的。它们通过示例说明本公开。图1是具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器的示例的透视图。图2是沿图1的线2-2的剖面图。图3是具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器的另一示例的剖面图。图4是具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器的电流-电压(1-V)曲线。图5是忆阻器的交叉结构的透视图,每个忆阻器具有与容纳区处于热平衡的沟道区。图6是具有与容纳区处于热平衡的圆柱形沟道区的忆阻器的示例的透视图。图7是示出制造具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器的方法的示例的流程图。【具体实施方式】说明性示例和细节在附图中和在本说明书中使用,但是其它配置可以存在且可以体现自己。诸如电压、温度、尺寸以及组件值之类的参数是近似的。诸如上、下、顶部及底部之类的方向术语仅用于方便表示组件相对于彼此的空间关系,并且除另有说明以外,相对于外部轴线的方向不是重要的。为了清楚,未详细地描述 ...
【技术保护点】
一种具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器,所述忆阻器包括:沟道区,具有可变浓度的移动离子;以及具有化学计量晶体材料的容纳区,容纳所述沟道区且与所述沟道区处于热平衡。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器,所述忆阻器包括: 沟道区,具有可变浓度的移动离子;以及 具有化学计量晶体材料的容纳区,容纳所述沟道区且与所述沟道区处于热平衡。2.根据权利要求1所述的忆阻器,其中所述沟道区包括芯和梯度区。3.根据权利要求2所述的忆阻器,其中所述沟道区包括双稳金属氧化物固溶体和非晶氧化物相。4.根据权利要求3所述的忆阻器,其中所述沟道区包括Ta(O)和TaOx,所述容纳区包括 Ta205。5.根据权利要求3所述的忆阻器,其中所述沟道区包括Hf(O)和HfOx,所述容纳区包括 HfO2。6.一种具有与容纳区处于热平衡的沟道区的忆阻器,所述忆阻器包括: 基板; 绝缘层,与所述基板相邻; 第一接触区,与所述绝缘层相邻; 第二接触区,与所述第一接触区间隔开; 容纳区,被设置在接触区之间;以及 沟道区,由所述容纳区、所述第一接触区以及所述第二接触区包围,所述沟道区具有可变浓度的移动离子且与所述容纳区处于热平衡。7.根据权利要求6所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:苗峰,杨建华,约翰·保罗·斯特罗恩,易伟,吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗,R·斯坦利·威廉姆斯,
申请(专利权)人:惠普发展公司,有限责任合伙企业,
类型:发明
国别省市:美国;US
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