本发明专利技术涉及抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低的太赫兹波检测装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。本发明专利技术所涉及的太赫兹波检测装置（100）包括：吸收部（60），其吸收太赫兹波并产生热；和转换部（30），其将由吸收部（60）产生的热转换成电信号，吸收部（60）具有：电介质层（62）；金属构造体（64），其设置于电介质层（62）的一侧的面（62a），并且相互分离以规定长度的周期排列有多个；以及金属层（36），其设置于电介质层（62）的另一侧的面（62b），金属构造体（64）的规定长度的周期小于被吸收部（60）吸收的太赫兹波的波长。
【技术实现步骤摘要】
太赫兹波检测装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置
[0001 ] 本专利技术涉及太赫兹波检测装置、拍摄装置、成像装置以及计测装置。
技术介绍
近年来，具有IOOGHz以上30THz以下的频率的电磁波亦即太赫兹波备受关注。太赫兹波例如能够用于成像、分光计测等各种计测、无损检测等。作为对上述的太赫兹波进行检测的检测装置，如专利文献I所示，公知有具备了电阻体的电阻值因温度而变化的辐射热计测器的检测装置。具体而言，在专利文献I中记载有如下内容，即，若将太赫兹波照射至天线元件，则天线元件所接收的电力被供给至辐射热计测器(检测元件)而使辐射热计测器的电阻值变化，辐射热计测器两端的电压根据施加电流而发生变化，从而将太赫兹波的接收电力作为辐射热计测器的检测电压输出。专利文献1:日本特开2009-141661号公报然而，在专利文献I的太赫兹波检测装置中，为了对太赫兹波进行检测而必须对辐射热计测器施加电流，会由此而产生噪声，导致太赫兹波的检测灵敏度降低。
技术实现思路
本专利技术的一些方式的目的之一在于提供一种抑制了由电噪声导致的检测灵敏度降低的太赫兹波检测装置。另外，本专利技术的一些方式的目的之一在于提供包含上述太赫兹波检测装置的拍摄装置、成像装置以及计测装置。本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置包括:吸收部，其吸收太赫兹波并产生热；和转换部，其将由上述吸收部产生的热转换成电信号，上述吸收部具有:电介质层；金属构造体，其被设置于上述电介质层的一侧的面，并且相互分离以规定长度的周期排列有多个；以及金属层，其被设置于上述电介质层的另一侧的面，上述金属构造体的上述规定长度的周期小于被上述吸收部吸收的上述太赫兹波的波长。根据上述的太赫兹波检测装置，能够抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低。在本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置中，上述金属构造体的薄层电阻以及上述金属层的薄层电阻也可以为10Ω/ □以下。根据上述的太赫兹波检测装置，能够将太赫兹波检测装置金属构造体的与电介质层接触的接触面以及金属层的与电介质层接触的接触面的太赫兹波的反射率设为90%以上(详细后述)。因此，能够在金属构造体与金属层之间可靠地使太赫兹波进行多重反射而使太赫兹波产生共振现象。在本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置中，上述转换部也可以为热电传感器。根据上述的太赫兹波检测装置，能够抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低。本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置包括:吸收部，其吸收太赫兹波并产生热，并且包括超材料；和转换部，其将由上述吸收部产生的热转换成电信号。根据上述的太赫兹波检测装置，能够抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低。本专利技术所涉及的拍摄装置包括:太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置，上述太赫兹波检测装置对从上述太赫兹波产生部射出并透过了对象物的上述太赫兹波、或者从上述太赫兹波产生部射出并被对象物反射了的上述太赫兹波进行检测；以及存储部，其对上述太赫兹波检测装置的检测结果进行存储。根据上述的拍摄装置，包括本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置，因此能够抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低。本专利技术所涉及的成像装置包括:太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置，上述太赫兹波检测装置对从上述太赫兹波产生部射出并透过了对象物的上述太赫兹波、或者从上述太赫兹波产生部射出并被对象物反射了的上述太赫兹波进行检测；以及图像形成部，其基于上述太赫兹波检测装置的检测结果，来生成上述对象物的图像。根据上述的成像装置，包括本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置，因此能够抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低。本专利技术所涉及的计测装置包括:太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置，上述太赫兹波检测装置对从上述太赫兹波产生部射出并透过了对象物的上述太赫兹波、或者从上述太赫兹波产生部射出并被对象物反射了的上述太赫兹波进行检测；以及计测部，其基于上述太赫兹波检测装置的检测结果，对上述对象物进行计测。根据上述的计测装置，包括本专利技术所涉及的太赫兹波检测装置，因此能够抑制由电噪声导致的检测灵敏度降低。【附图说明】图1是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的剖视图。图2是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的俯视图。图3是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的俯视图。图4是用于对金属膜的反射进行说明的图。图5是表示薄层电阻与反射率之间的关系的图表。图6是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图7是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图8是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图9是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图10是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图11是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图12是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置的制造工序的剖视图。图13是示意性地表示本实施方式的第一变形例所涉及的太赫兹波检测装置的俯视图。图14是示意性地表示本实施方式的第二变形例所涉及的太赫兹波检测装置的俯视图。图15是示意性地表示本实施方式的第三变形例所涉及的太赫兹波检测装置的金属构造体的俯视图。图16是示意性地表示本实施方式的第三变形例所涉及的太赫兹波检测装置的金属构造体的俯视图。图17是示意性地表示本实施方式的第三变形例所涉及的太赫兹波检测装置的金属构造体的俯视图。图18是示意性地表示本实施方式所涉及的成像装置的框图。图19是示意性地表示本实施方式所涉及的成像装置的太赫兹波检测部的俯视图。图20是表示对象物的太赫兹带上的频谱的图表。图21是表示对象物的物质A、B以及C的分布的图像的图。图22是示意性地表示本实施方式所涉及的计测装置的框图。图23是示意性地表示本实施方式所涉及的拍摄装置的框图。图24是示意性地表示本实施方式所涉及的拍摄装置的立体图。【具体实施方式】以下，使用附图对本专利技术的优选实施方式详细地进行说明。此外，以下说明的实施方式并不不当地限定权利要求书所记载的本专利技术的内容。另外，以下所说明的全部结构未必都是本专利技术的必要构成要件。1.太赫兹波检测装置首先，参照附图对本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置进行说明。图1是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置100的太赫兹波检测元件102的剖视图。图2是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置100的太赫兹波检测元件102的俯视图。图3是示意性地表示本实施方式所涉及的太赫兹波检测装置100的俯视图。此夕卜，图1是图2的1-1线剖视图。另外，为了方便起见，在图3中，简化示出了太赫兹波检测元件102。如图1?图3所示，太赫兹波检测装置100包括基板10和太赫兹波检测元件102。太赫兹波检测元件102包括转换部30和吸收部60。并且，太赫兹波检测元件102能够包括柱部16、18、隔膜20、配线层40、42、接触部44、46以及绝缘层50。基板10的形状为平板状。基板10具有支承基板3、层间绝缘层4以及第一保护层6。支承基板3的材质例如为硅。层间绝缘层4被设置在支承基板3上。层间绝缘层4的材质例如为氧化本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太赫兹波检测装置，其特征在于，包括：吸收部，其吸收太赫兹波并产生热；和转换部，其将由所述吸收部产生的热转换成电信号，所述吸收部具有：电介质层；金属构造体，其被设置于所述电介质层的一侧的面，并且相互分离以规定长度的周期排列有多个；以及金属层，其被设置于所述电介质层的另一侧的面，所述金属构造体的所述规定长度的周期小于被所述吸收部吸收的所述太赫兹波的波长。
【技术特征摘要】
2013.02.21 JP 2013-0317891.一种太赫兹波检测装置，其特征在于，包括: 吸收部，其吸收太赫兹波并产生热；和 转换部，其将由所述吸收部产生的热转换成电信号， 所述吸收部具有: 电介质层； 金属构造体，其被设置于所述电介质层的一侧的面，并且相互分离以规定长度的周期排列有多个；以及 金属层，其被设置于所述电介质层的另一侧的面， 所述金属构造体的所述规定长度的周期小于被所述吸收部吸收的所述太赫兹波的波长。2.根据权利要求1所述的太赫兹波检测装置，其特征在于， 所述金属构造体的薄层电阻以及所述金属层的薄层电阻为10Ω/ □以下。3.根据权利要求1或2所述的太赫兹波检测装置，其特征在于， 所述转换部为热电传感器。4.一种太赫兹波检测装置，其特征在于，包括: 吸收部，其吸收太赫兹波并产生热，并且包括超材料；和 转换部，其将由所述吸收部产生的热转换成电信号。5.一种拍摄装置，其特征在于，包括: 太赫兹波产生部，其产生太赫兹波； 权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：富冈纮斗，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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