超材料像元结构及使用其的焦平面阵列成像探测器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于太赫兹及毫米波探测的超材料像元结构以及使用该超材料像元结构的焦平面阵列成像探测器，该超材料像元结构包含顶层和底层，顶层形成谐振器，谐振器包括纵向设置的至少一组分裂环，其中每个分裂环具有露出底层的特殊形状的镂空区域，从而使得超材料像元的顶层既作为微反射镜，又作为谐振器构成超材料结构，同时由顶层材料和底层材料构成双材料悬臂梁执行器；本发明专利技术涉及的焦平面阵列成像探测器包含由多个如本发明专利技术提供的超材料像元结构按周期排列组成的焦平面阵列，其中，多个所述超材料像元排列形成超材料周期结构，从而实现高分辨率成像以及对太赫兹波或毫米波的高吸收率，具有高探测灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
超材料像元结构及使用其的焦平面阵列成像探测器
本专利技术属于太赫兹(THz-Terahertz)及毫米波探测和成像
，涉及一种超材料像元结构，特别是涉及一种用于太赫兹及毫米波探测的超材料像元结构以及使用该超材料像元结构的焦平面阵列成像探测器，主要应用于非制冷型太赫兹或者毫米波实时成像系统中。
技术介绍
太赫兹及毫米波探测及成像技术在国防、安检、无损探测、生物医疗、工业生产、基础科研等领域具有广泛的应用。目前，国内外已有相关研究将超材料吸收结构应用到太赫兹波段，解决太赫兹成像探测器吸收率低的问题。例如：2010年，波士顿大学HuTao等人利用超材料理论设计了用于微波和太赫兹波段的光机传感器阵列，将超材料谐振环加入双材料悬臂梁单元；2013年，美国海军研究院的FabioAlves等人采用SiOx和Al作为双材料悬臂梁的两种材料，设计并制作了基于超材料的悬臂梁式太赫兹探测器；申请号为201210250324的中国专利申请“一种基于MEMS技术的太赫兹焦平面阵列”中也涉及使用了超材料吸收结构作为太赫兹吸收结构层。但目前用于太赫兹探测的超材料结构及使用其的双材料悬臂梁式太赫兹成像探测器主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超材料像元结构，包含顶层和底层，其特征在于，所述顶层形成谐振器，所述谐振器包括纵向设置的至少一组分裂环，其中每一组分裂环包含一个分裂环，每个分裂环包括露出底层的形镂空区域，并且只有形镂空区域的横向向外延伸的一端镂空出顶层。

【技术特征摘要】
1.一种超材料像元结构，包含顶层和底层，其特征在于，所述顶层形成谐振器，所述谐振器包括纵向设置的至少一组分裂环，其中每一组分裂环包含一个分裂环，每个分裂环包括露出底层的形镂空区域，并且只有形镂空区域的横向向外延伸的一端镂空出顶层。2.一种超材料像元结构，包含顶层和底层，其特征在于，所述顶层形成谐振器，所述谐振器包括纵向设置的至少一组分裂环，其中每一组分裂环包含横向背靠背对称的两个分裂环，每个分裂环包括露出底层的形镂空区域，并且只有形镂空区域的横向向外延伸的一端镂空出顶层，每一组分裂环中的两个分裂环的形镂空区域的竖向段靠近以形成背靠背对称结构。3.如权利要求1或2所述的超材料像元结构，所述谐振器由纵向设置的两组分裂环组成。4.如权利要求3所述的超材料像元结构，其中，位于上方的一组分裂环的尺寸大于位于下方的一组分裂环的尺寸。5.一种超材料像元结构，包含顶层和底层，其特征在于，所述顶层形成谐振器，所述谐振器包括一个单独的分裂环，该分裂环包括E字形镂空区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚诚，
申请(专利权)人：龚诚，
类型：发明
国别省市：重庆;85