金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，属于太阳能电池技术领域，其包括如下步骤：1）将P型多晶硅片进行预清洗去除损伤层得到去除损伤层后的硅片；2）将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室干法制绒；3）在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，得到磷源扩散后的硅片；4）将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的硅片；5）在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷正银后烧结，得到电池成品。该制作方法，提高了短波响应，提高了太阳能电池转换效率，适用范围广，电池形貌效果好，太阳能转换效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种金刚线切割多晶硅片的电池制作方法。
技术介绍
金刚线切割技术也被称为固结磨料切割技术，它是利用电镀或树脂粘结的方法将金刚石磨料附着在钢线表面，将金刚线直接作用于硅棒或硅锭表面产生磨削，达到切割的效果，与常规砂浆切割技术相比较而言，金刚线切割速度快，产能高，切割精度高，材料损耗低等特点，但是硅片表面线痕很明显，硅片的纹裂密度很低，后续电池制作工艺需要改进或结合其他方式。金刚线切割电池使用常规制绒技术方式，硅片表面比较亮，制绒后反射率大于30%，用硝酸银或三氯化金等金属催化法作清洗，电池反射率虽有所降低，但硅表面的均匀性会有影响，导致电池表面的形貌色差比较严重，且有可能金属离子去除不完整，对太阳能电池的质量和寿命及扩散炉管均造成影响。光学损失是阻碍太阳电池效率提高的重要障碍之一，要减小太阳电池表面的光反射可以利用减反射膜和减反射结构，常规制绒、硝酸银清洗、三氯化金清洗等技术已经不能满足金刚线切割硅片的电池工艺制作需求。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的目的在于提供一种，该方法工艺稳定性好，能 保证该电池较高的品质，电池形本文档来自技高网...

【技术保护点】
金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：1）将P型多晶硅片进行预清洗，表面用HNO3与HF混合溶液去除损伤层得到去除损伤层后的硅片；2）将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室，通入气体SF6与O2进行干法制绒，时间为10min，得到干法制绒后的硅片；3）在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，采用POCl3液态磷扩散源制备P‑N结，扩散温度830℃，时间为80min，方块电阻为60~90ohm，得到磷源扩散后的硅片；4）将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的硅片；5）在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、铝浆后烘干，然后在其正表面印刷...

【技术特征摘要】
1.金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法，其特征在于:包括如下步骤: .1)将P型多晶硅片进行预清洗，表面用HNO3与HF混合溶液去除损伤层得到去除损伤层后的娃片； .. 2)将去除损伤后的硅片放置在制绒装置反应室，通入气体SF6与O2进行干法制绒，时间为lOmin，得到干法制绒后的硅片； . 3)在干法制绒后的硅片表面进行磷源扩散，采用POCl3液态磷扩散源制备P-N结，扩散温度830°C，时间为80min，方块电阻为6(T90ohm，得到磷源扩散后的硅片；. 4)将磷源扩散后的硅片进行湿法刻蚀，然后在其正表面PECVD沉积SiNx薄膜，得到沉积后的娃片； . 5)在沉积后的硅片背面分别印刷银浆、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红冬，张辉，刘仁中，张斌，邢国强，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32