太阳能电池装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:10345930 阅读:120 留言:0更新日期:2014-08-22 11:05
根据实施例,提供一种太阳能电池装置。该太阳能电池装置包括基板上的背电极层、所述背电极层上的光吸收层、所述光吸收层上的缓冲层,所述缓冲层上的前电极层、以及连接部,该连接部与所述前电极层接触、穿过所述光吸收层、并与所述背电极层接触。所述连接部包括与构成所述前电极层的材料不同的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池装置及其制造方法
实施例涉及太阳能电池装置及其制造方法。
技术介绍
一种用于太阳能发电的太阳能电池的制造方法如下。首先,在准备好基板后,在该基板上形成背电极层,并通过激光图形化该背电极层,从而形成多个背电极。此后,在所述背电极上顺序形成光吸收层、缓冲层以及高阻缓冲层。为了形成所述光吸收层,多种方法被广泛采用,例如通过同时或分别蒸发Cu、In、Ga和Se以形成Cu(In,Ga)Se2(CIGS)基光吸收层的方案、以及先形成金属前体膜再进行硒化过程的方案。所述光吸收层的能带间隙在约1eV到约1.8eV的范围内。然后,通过溅射过程在所述光吸收层上形成包括硫化镉(CdS)的缓冲层。所述缓冲层的能带间隙在约2.2eV到约2.4eV的范围内。之后,通过溅射过程在所述缓冲层上形成包括氧化锌(ZnO)的高阻缓冲层。所述高阻缓冲层的能带间隙在约3.1eV到约3.3eV的范围内。此后,在所述光吸收层、所述缓冲层以及所述高阻缓冲层上可以形成凹槽图形。之后,在所述高阻缓冲层上层叠透明导电材料,该透明导电材料也填充在所述凹槽图形中。因此,在所述高阻缓冲层上形成透明电极层,并在所述凹槽图形内形成连接线本文档来自技高网...
太阳能电池装置及其制造方法

【技术保护点】
一种太阳能电池装置,包括:在基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;在所述缓冲层上的前电极层;以及连接部,该连接部与所述前电极层接触、穿过所述光吸收层、并与所述背电极层接触,其中,所述连接部包括与构成所述前电极层的材料不同的材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.18 KR 10-2011-01063731.一种太阳能电池装置,包括:在基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;在所述缓冲层上的前电极层;连接部,该连接部与所述前电极层接触、穿过所述光吸收层、并与所述背电极层接触;第二通孔,所述第二通孔穿过所述光吸收层、所述缓冲层、所述前电极层,同时露出所述背电极层的上表面;第一通孔,所述第一通孔邻近所述第二通孔形成,同时穿过所述背电极层、所述光吸收层、所述缓冲层以及所述前电极层,其中,所述第一通孔内设置有绝缘部,所述绝缘部的上表面低于所述前电极层的上表面,其中,所述连接部形成在所述第二通孔内,并且所述连接部的一部分延伸到所述第一通孔内并且与所述绝缘部接触,其中,所述连接部包括与构成所述前电极层的材料不同的材料。2.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述连接部包括金属。3.如权利要求2所述的太阳能电池装置,其中,所述连接部包括铝(Al)、镍(Ni)或银(Ag)。4.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述绝缘部的上表面高于所述背电极层的上表面。5.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述绝缘部包括聚合物或者陶瓷材料。6.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述连接部设置在所述绝缘部上。7.如权利要求1所述的太阳能电池装置,其中,所述连接部的一部分被设置在所述第一通孔中。8.如权利要求1所述的太阳能电池装置,进一...

【专利技术属性】
技术研发人员:林真宇
申请(专利权)人:LG伊诺特有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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